配管和处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及配管和处理装置。抑制配管的连接部分处的放电的产生。一种配管，其配置在具有电位差的两个导电性构件之间，使气体从一个所述导电性构件向另一个所述导电性构件流动，其中，该配管具备外筒、芯材以及高介电常数构件。芯材配置在外筒内，具有与外筒的内侧壁相对应的形状的外侧壁。高介电常数构件的介电常数比外筒和芯材的介电常数高。在外筒的内侧壁和芯材的外侧壁的至少任一者形成有螺旋状的槽，螺旋状的槽在芯材收纳在外筒内的状态下形成气体的流路。高介电常数构件配置在外筒的端部和芯材的端部的至少任一者。

【技术实现步骤摘要】
配管和处理装置
本公开的各种侧面和实施方式涉及配管和处理装置。
技术介绍
在使用等离子体对基板进行蚀刻等处理的处理装置中，重要的是基板的温度管理。基板载置在设于下部电极上的静电卡盘之上。下部电极由在下部电极的内部流通的制冷剂进行温度控制，静电卡盘由设于内部的加热器进行温度控制。向静电卡盘和基板之间供给氦气等传热气体。下部电极的热向静电卡盘传递，静电卡盘的热经由传热气体向基板传递。通过控制传热气体的压力，从而能够控制静电卡盘和基板之间的传热量，能够控制基板的温度。经由在下部电极和被接地的壳体之间设置的配管，供给传热气体。在此，由于向下部电极供给RF(RadioFrequency：射频)电力，因此，在设于壳体和下部电极之间的配管的两端产生电位差。因此，在配管内，从电极放出的电子被加速，与配管内的传热气体的原子碰撞，从而有时在配管内产生放电(发火花)。为了防止该情况，公知有将配管内的流路设为螺旋状的技术(参照例如下述专利文献1)。由此，能够使配管内的空间的电场方向上的长度缩短，能够抑制电子的加速，抑制放电的产生。专利文献1：美国专利第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种配管，其配置在具有电位差的两个导电性构件之间，使气体从一个所述导电性构件向另一个所述导电性构件流动，其中，/n该配管具备：/n外筒；/n芯材，其配置在所述外筒内，具有与所述外筒的内侧壁相对应的形状的外侧壁；以及/n高介电常数构件，其介电常数比所述外筒和所述芯材的介电常数高，/n在所述外筒的内侧壁和所述芯材的外侧壁的至少任一者形成有螺旋状的槽，/n所述螺旋状的槽在所述芯材收纳在所述外筒内的状态下形成气体的流路，/n所述高介电常数构件配置在所述外筒的端部和所述芯材的端部的至少任一者。/n

【技术特征摘要】
20191128 JP 2019-2156911.一种配管，其配置在具有电位差的两个导电性构件之间，使气体从一个所述导电性构件向另一个所述导电性构件流动，其中，
该配管具备：
外筒；
芯材，其配置在所述外筒内，具有与所述外筒的内侧壁相对应的形状的外侧壁；以及
高介电常数构件，其介电常数比所述外筒和所述芯材的介电常数高，
在所述外筒的内侧壁和所述芯材的外侧壁的至少任一者形成有螺旋状的槽，
所述螺旋状的槽在所述芯材收纳在所述外筒内的状态下形成气体的流路，
所述高介电常数构件配置在所述外筒的端部和所述芯材的端部的至少任一者。


2.根据权利要求1所述的配管，其中，
所述外筒的内侧壁的形状是圆筒状，
所述芯材的外侧壁的外形是圆柱状。


3.根据权利要求1或2所述的配管，其中，
所述高介电常数构件沿着所述芯材的外侧壁呈环状地配置在所述外筒的端部。


4.根据权利要求1～3中任一项所述的配管，其中，
所述高介电常数构件沿着所述芯材的外侧壁在比所述槽靠所述芯材的轴线侧的位置以包围所述轴线的方式呈环状地配置。


5.根据权利要求1～4中任一项所述的配管，其中，
所述槽和所述高介电常数构件之间的距离是所述槽的宽度的2倍以内。


6.根据权利要求1～5中任一项所述的配管，其中，
所述高介电常数构件的沿着所述配管的轴线的方向上的长度是所述槽的宽度的12倍以上。


7.根据权利要求1～6中任一项所述的配管，其中，
所述外筒和所述芯材由树脂形成，
所述高介电常数构件由包含石英、陶瓷、硅以及金属的至少任一者的材料形成。


8.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：大岛一辉，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP