【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】等离子体处理装置和等离子体处理方法
本专利技术的例示的实施方式涉及等离子体处理装置和等离子体处理方法。
技术介绍
在电子器件的制造中使用等离子体处理装置。在专利文献1中记载有一种等离子体处理装置。专利文献1中记载的等离子体处理装置包括处理容器、试样台、圆盘状部件、空腔谐振器和波导管。处理容器在其内部提供处理室。试样台配置于处理室内。圆盘状部件是电介质制。圆盘状部件设置于处理室的上方。空腔谐振器设置于圆盘状部件上。波导管与空腔谐振器连接。在专利文献1中记载的等离子体处理装置中,为了生成等离子体,将电场从波导管供给到空腔谐振器。被供给到空腔谐振器的电场,穿透圆盘状部件而被供给到处理室。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2011-103238号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题在等离子体处理装置中,要谋求使处理容器内的周向上的等离子体的密度的分布的均匀性得到提高。用于解决技术问题的技术手段在一个例示的实施方式中,提供等离子体处理装置。等离子体处理装 ...
【技术保护点】
1.一种等离子体处理装置,其特征在于,包括:/n处理容器;/n设置于所述处理容器内的工作台;/n隔着所述处理容器内的空间设置于所述工作台的上方的上部电极;/nVHF波或UHF波的高频的导入部,其设置于所述空间的横向端部,绕所述处理容器的中心轴线在周向上延伸;和/n构成为能够对所述导入部供给所述高频的波导部,/n所述波导部包含提供波导路径的谐振器,/n所述谐振器的所述波导路径绕着所述中心轴线在所述周向上延长且在所述中心轴线延伸的方向上延长而与所述导入部连接。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181206 JP 2018-2292391.一种等离子体处理装置,其特征在于,包括:
处理容器;
设置于所述处理容器内的工作台;
隔着所述处理容器内的空间设置于所述工作台的上方的上部电极;
VHF波或UHF波的高频的导入部,其设置于所述空间的横向端部,绕所述处理容器的中心轴线在周向上延伸;和
构成为能够对所述导入部供给所述高频的波导部,
所述波导部包含提供波导路径的谐振器,
所述谐振器的所述波导路径绕着所述中心轴线在所述周向上延长且在所述中心轴线延伸的方向上延长而与所述导入部连接。
2.如权利要求1所述的等离子体处理装置,其特征在于:
所述波导路径具有筒形形状。
3.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置,其特征在于:
所述波导路径包含在所述中心轴线延伸的所述方向上的一端和另一端,
所述一端与所述另一端之间的所述波导路径的尺寸,是对所述波导路径供给的高频的自由空间波长的大约1/2。
4.如权利要求1~3中任一项所述的等离子体处理装置,其特征在于:
所述波导路径在所述中心轴线延伸的所述方向上折返。
5.如权利要求1~4中任一项所述的等离子体处理装置,其特征在于:
所述波导部包含相对于所述中心轴线在径向延长而与所述波导路径连接的多个同轴波导管,
所述多个同轴波导管在所述周向上等间隔地排列。
6.如权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员:平山昌树,
申请(专利权)人:东京毅力科创株式会社,国立大学法人东北大学,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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