信息处理方法、信息处理装置和计算机可读取的存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术说明对基于基片的表面图像，以高可靠性评价基片的表面的处理状态有效的信息处理方法、信息处理装置和计算机可读取的存储介质。信息处理方法的一个例子可以包括：获取对象基片的表面的变形因子的信息的步骤；获取对象基片的表面图像的步骤；基于表面的变形因子的信息计算补偿因表面的变形导致的图像变化的校正系数的步骤；和使用校正系数校正对象基片的表面图像，生成对象基片的校正图像的步骤。

【技术实现步骤摘要】
信息处理方法、信息处理装置和计算机可读取的存储介质
本专利技术涉及信息处理方法、信息处理装置和计算机可读取的存储介质。
技术介绍
专利文献1公开了一种基于基片表面的拍摄图像计算形成于基片上的膜的膜厚的装置。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2015-215193号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题本专利技术对基于基片的表面图像以高可靠性评价基片的表面的处理状态的有效的信息处理方法、信息处理装置和计算机可读取的存储介质进行说明。用于解决技术问题的技术方案信息处理方法的一个例子可以包括：获取对象基片的表面的变形因子的信息的步骤；获取对象基片的表面图像的步骤；基于表面的变形因子的信息计算补偿因表面的变形导致的图像变化的校正系数的步骤；和使用校正系数校正对象基片的表面图像，生成对象基片的校正图像的步骤。专利技术效果本专利技术的信息处理方法、信息处理装置和计算机可读取的存储介质对基于基片的表面图像以高可靠性评价基片的表面的处理状态是有效的。附图说明图1是表示基片处理系统的一个例子的立体图。图2是图1的II-II线截面图。图3是表示处理模块的一个例子的俯视图。图4是表示从上方观察检查单元的一个例子的截面图。图5是表示从侧方观察检查单元的一个例子的截面图。图6是表示检查单元的一个例子的立体图。图7是表示从前方观察周缘拍摄副单元的一个例子的立体图。图8是表示从后方观察周缘拍摄副单元的一个例子的立体图。图9是表示周缘拍摄副单元的一个例子的俯视图。图10是表示周缘拍摄副单元的一个例子的侧视图。图11是表示反射部件的一个例子的立体图。图12是表示反射部件的一个例子的侧视图。图13的(a)是用于说明来自照明组件的光在反射部件反射的情形的图，图13的(b)是用于说明来自基片的光在反射部件反射的情形的图。图14是表示基片处理系统的主要部分的一个例子的框图。图15是表示控制器的硬件结构的一个例子的概要图。图16是用于说明计算翘曲系数的流程的一个例子的流程图。图17的(a)是表示呈向上凸的旋转抛物面形状的基片的立体图，图17的(b)是表示呈向下凸的旋转抛物面形状的基片的立体图。图18是表示圆顶形状的基准基片的表面图像的一个例子的图。图19是表示基准基片的轮廓线的一个例子的图表。图20是用于说明校正基片的翘曲的步骤的一个例子的流程图。图21是表示倾斜的保持台和基片的示意图。图22是从上方观察检查单元的一个例子的截面图。图23是用于说明计算系数模型的流程的一个例子的流程图。图24是用于说明生成校正图像的流程的一个例子的流程图。附图标记说明1……基片处理系统；2……涂敷显影装置；100……壳体；200……旋转保持单元(基片保持部)；300……表面拍摄单元；400……周缘拍摄单元；Ctr……控制器(信息处理装置)；Ctr2……处理器(计算部、生成部)；Ctr3……内存(存储部)；Ctr4……存储器(存储部)；M2……存储部；M3……处理部；M31……计算部；M32……生成部；RM……存储介质；U3……检查单元；W、WA、WP……基片；WS、WSF、WSW……基准基片；Wa……表面具体实施方式在以下的说明中，对相同要素或具有相同功能的要素标注相同的附图标记，省略重复的说明。1.第一实施方式[基片处理系统]如图1和图2所示，基片处理系统1包括涂敷显影装置2(基片处理装置)、曝光装置3和控制器Ctr(信息处理装置)。曝光装置3在其与涂敷显影装置2之间交接基片W，进行形成于基片W的表面Wa(参照图4等)的抗蚀剂膜(感光性覆膜)的曝光处理(图案曝光)。曝光装置3例如通过液浸曝光等的方法对抗蚀剂膜的曝光对象部分选择性地照射能量线。能量线例如可以为电离辐射线、非电离辐射线等。电离辐射线是具有足够使原子或分子电离的能量的辐射线。电离辐射线例如可以为极紫外线(EUV：ExtremeUltraviolet)、电子射线、离子束、X射线、α射线、β射线、γ射线、重粒子射线、质子射线等。非电离辐射线是不具有足够用于使原子或分子电离的能量的辐射线。非电离辐射线例如可以为g射线、i射线、KrF受激准分子激光、ArF受激准分子激光、F2受激准分子激光等。涂敷显影装置2在由曝光装置3进行的曝光处理之前，在基片W的表面Wa形成抗蚀剂膜的处理。涂敷显影装置2在曝光处理后进行抗蚀剂膜的显影处理。基片W可以呈圆板状，但也呈多边形等圆形以外的板状。基片W可以具有一部分缺口的缺口部。缺口部例如，可以为刻口(U字形、V字形等的槽)，可以为呈直线状延伸的直线部(即，orientaionflat：定向平面)。基片W例如可以为半导体基片、玻璃基片、掩模基片、FPD(FlatPanelDisplay：平板显示器)基片这样的其他各种基片。基片W的直径例如可以为200mm～450mm程度。如图1～图3所示，涂敷显影装置2具有承载器区块4、处理区块5和接口区块6。承载器区块4、处理区块5和接口区块6在水平方向上并排。如图1和图3所示，承载器区块4具有承载器台12和送入送出部13。承载器台12支承多个承载器11。承载器11以密封状态收纳至少一个基片W。在承载器11的侧面11a侧设置有用于使基片W出入的开闭门(未图示)。承载器11以侧面11a面向送入送出部13侧的方式可拆状地设置在承载器台12上。送入送出部13位于承载器台12与处理区块5之间。送入送出部13具有多个开闭门13a。当在承载器台12上载置承载器11时，承载器11的开闭门成为面向开闭门13a的状态。通过使开闭门13a和侧面11a的开闭门同时开放，承载器11内与送入送出部13内连通。送入送出部13内置有输送臂A1。输送臂A1能够从承载器11取出基片W并将其交接至处理区块5，从处理区块5接收基片W并将其送回承载器11内。如图1～图3所示，处理区块5包括处理模块PM1～PM4。上述的处理模块例如从底面起侧按处理模块PM4、处理模块PM1、处理模块PM2、处理模块PM3的顺序依次排列。如图3所示，处理模块PM1～PM4包括液处理单元U1、热处理单元U2和检查单元U3。检查单元U3的详情在后文说明。处理模块PM1以在基片W的表面上形成下层膜的方式构成，也被称为BCT模块。如图2和图3所示，处理模块PM1内置有各单元U1～U3和对各单元U1～U3输送基片W的输送臂A2。处理模块PM1的液处理单元U1例如能够将下层膜形成用的涂敷液涂敷在基片W。处理模块PM1的热处理单元U2例如能够进行用于使通过液处理单元U1形成在基片W的涂敷膜固化成为下层膜的加热处理。作为下层膜例如能够例举防反射(SiARC)膜。处理模块PM2能够在下层膜上形成中间膜(硬掩模)，也被称为HMCT模块。如图2和图3本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种信息处理方法，其特征在于，包括：/n获取对象基片的表面的变形因子的信息的步骤；/n获取所述对象基片的表面图像的步骤；/n基于所述表面的变形因子的信息，计算补偿因所述表面的变形导致的图像变化的校正系数的步骤；和/n使用所述校正系数校正所述对象基片的表面图像，生成所述对象基片的校正图像的步骤。/n

【技术特征摘要】
20200219 JP 2020-026025;20201221 JP 2020-2116671.一种信息处理方法，其特征在于，包括：
获取对象基片的表面的变形因子的信息的步骤；
获取所述对象基片的表面图像的步骤；
基于所述表面的变形因子的信息，计算补偿因所述表面的变形导致的图像变化的校正系数的步骤；和
使用所述校正系数校正所述对象基片的表面图像，生成所述对象基片的校正图像的步骤。


2.如权利要求1所述的信息处理方法，其特征在于：
所述获取表面的变形因子的信息的步骤包括获取所述对象基片的翘曲量的步骤，
所述基于表面的变形因子的信息计算所述校正系数的步骤包括：基于根据翘曲量已知的基准基片得到的翘曲系数和所述对象基片的翘曲量，计算所述校正系数的步骤。


3.如权利要求2所述的信息处理方法，其特征在于：
所述计算校正系数的步骤包括：计算与所述对象基片的表面图像的各像素分别相应的所述校正系数的步骤。


4.如权利要求2所述的信息处理方法，其特征在于：
所述生成校正图像的步骤包括：使用所述校正系数分别校正所述对象基片的表面图像中的各像素的亮度值，由此生成所述校正图像的步骤。


5.如权利要求2所述的信息处理方法，其特征在于：
所述获取对象基片的翘曲量的步骤包括：基于大致平坦的基准基片的端面的轮廓线的数据和所述对象基片的端面的轮廓线的数据，计算所述对象基片的翘曲量的步骤。


6.如权利要求2所述的信息处理方法，其特征在于，还包括：
获取所述基准基片的翘曲量的步骤；
获取所述基准基片的表面图像的步骤；以及
基于所述基准基片的翘曲量和所述基准基片的表面图像，计算所述翘曲系数的步骤。


7.如权利要求6所述的信息处理方法，其特征在于：
所述计算翘曲系数的步骤包括：对所述基准基片的表面图像的各像素分别计算所述翘曲系数的步骤。


8.如权利要求7所述的信息处理方法，其特征在于：
所述计算翘曲系数的步骤包括：基于所述基准基片的翘曲量和所述基准基片的表面图像的各像素的亮度值，对所述基准基片的表面图像的各像素分别计算所述翘曲系数的步骤。


9.如权利要求8所述的信息处理方法，其特征在于：
所述计算翘曲系数的步骤包括：
生成用所述基准基片的表面图像的中央区域的亮度值将该表面图像的各像素的亮度值标准化了的标准化数据的步骤；以及

【专利技术属性】
技术研发人员：鹤田丰久，保坂理人，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP