边缘环、载置台以及基板处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种边缘环,其能够降低导热气体的泄露。该边缘环配置于基板的周缘,其以如下方式形成:以将上述边缘环的中心轴线上的一点设定为中心点的、上述边缘环的内径以上外径以下的直径的假想圆为基准,自上述假想圆上的多个点至上述边缘环的下表面的垂直方向的高度的最大值与最小值的差值的绝对值为预定的的上限值以下。的上限值以下。的上限值以下。

【技术实现步骤摘要】
边缘环、载置台以及基板处理装置


[0001]本专利技术涉及边缘环、载置台以及基板处理装置。

技术介绍

[0002]在基板处理装置的处理室内,在载置于静电卡盘之上的基板的周缘，以包围基板的方式设有边缘环。边缘环在处理室内进行等离子体处理时使等离子体朝向晶圆的表面收敛,从而使晶圆处理的效率提高。
[0003]边缘环一般由Si(硅)形成,将硅的下表面的倾斜管理为自不倾斜的平坦的状态增减数μm。近年来,以边缘环的寿命的延长为目的,以SiC(碳化硅)为代表的、刚性更强的材料作为边缘环的材料被采用。
[0004]在配置于静电卡盘的外周的载置面的边缘环的下表面与静电卡盘的载置面之间,供给有He(氦)等的导热气体,由此,对边缘环的温度进行控制。例如,在专利文献1中,为了抑制导热气体自边缘环与静电卡盘的载置面之间的间隙泄漏的量(泄露量)的增大,提出了在晶圆搬入搬出时以及无晶圆干式清洁(WLDC:Wafer
‑
Less Dry Cleaning)时,对边缘环进行静电吸附。
[0005]<现有技术文献&本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种边缘环,其配置于基板的周缘,该边缘环以如下方式形成:以将上述边缘环的中心轴线上的一点设定为中心点的、上述边缘环的内径以上外径以下的直径的假想圆为基准,自上述假想圆上的多个点至上述边缘环的下表面的垂直方向的高度的最大值与最小值的差值的绝对值为预定的上限值以下。2.根据权利要求1所述的边缘环,其中,上述上限值为20μm。3.根据权利要求1所述的边缘环,其中,上述上限值为15μm。4.根据权利要求1至3中任一项所述的边缘环,其中,上述边缘环的下表面以上述边缘环的外周部比内周部低的方式倾斜形成。5.一种载置台,其具有用于载置配置于基板的周缘的边缘环的边缘环载置面,该载置台以如下方式形成:以将上述载置台的中心轴线上的一点设定为中心点的、上述边缘环载置面的内径以上外径以下的直径的假...

【专利技术属性】
技术研发人员：千叶谅，永山晃，佐佐木康晴，佐藤大树，富冈武敏，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：