载置台装置和基片处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供载置台装置和基片处理装置，能够抑制载置台中的供升降销升降的销孔的周围、升降销成为低温部位，而载置面的温度在面内变得不均匀的情况，其中，载置台具有能够载置基片的载置面。载置台装置包括：载置台，其具有销孔，并且具有能够载置基片的载置面；能够在上述销孔中升降的升降销；和使上述升降销升降的升降机，上述载置台在其内部具有加热上述载置台的第1加热部，上述升降销在其内部或者周围具有加热上述升降销的第2加热部。具有加热上述升降销的第2加热部。具有加热上述升降销的第2加热部。

【技术实现步骤摘要】
载置台装置和基片处理装置


[0001]本专利技术涉及载置台装置和基片处理装置。

技术介绍

[0002]专利文献1公开了一种基片载置机构，其包括具有第1升降销插通孔的加热板、具有第2升降销插通孔的调温夹套、第1升降销和第2升降销。第1升降销插通孔具有被处理基片载置面，埋设有将被处理基片加热至成膜温度的加热体，在被处理基片载置面侧具有宽径部，在被处理基片载置面的相反侧具有直径比宽径部小的窄径部。第2升降销插通孔以至少覆盖加热板的被处理基片载置面以外的表面的方式形成，使温度成为小于成膜温度的非成膜温度，在被处理基片载置面侧具有宽径部，在被处理基片载置面的相反侧具有直径比宽径部小的窄径部。第1升降销包括：盖部，其被插在第1升降销插通孔中，能够插通第1升降销插通孔的宽径部；和轴部，其与该盖部连接，能够插通第1升降销插通孔的宽径部和窄径部这两者。第2升降销包括：盖部，其被插在第2升降销插通孔中，能够插通第2升降销插通孔的宽径部；和轴部，其与该盖部连接，能够插通到第2升降销插通孔的宽径部和窄径部这两者。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2009
‑
068037号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的技术问题
[0007]本专利技术提供载置台装置和基片处理装置，其能够抑制载置台中的供升降销升降的销孔的周围、升降销成为低温部位，而载置面的温度在面内变得不均匀的情况，其中该载置台具有能够载置基片的载置面。
[0008]用于解决技术问题的技术方案
[0009]本专利技术的一个方式的载置台装置包括：
[0010]载置台，其具有销孔，并且具有能够载置基片的载置面；
[0011]能够在上述销孔中升降的升降销；和
[0012]使上述升降销升降的升降机，
[0013]上述载置台在其内部具有加热上述载置台的第1加热部，
[0014]上述升降销在其内部或者周围具有加热上述升降销的第2加热部。
[0015]专利技术效果
[0016]依照本专利技术，能够抑制载置台中的供升降销升降的销孔的周围、升降销成为低温部位，而载置面的温度在面内变得不均匀的情况，其中该载置台具有能够载置基片的载置面。
附图说明
[0017]图1是表示实施方式的基片处理装置的一个例子的纵截面图。
[0018]图2是表示第1实施方式的载置台装置的一个例子的纵截面图。
[0019]图3是表示第1实施方式的载置台装置的另一个例子的纵截面图。
[0020]图4是表示第1实施方式的载置台装置的又一个例子的纵截面图。
[0021]图5是表示第2实施方式的载置台装置的一个例子的纵截面图。
[0022]图6是表示第2实施方式的载置台装置的另一个例子中的、升降销、导电体与线圈的相对关系的示意图。
[0023]图7是表示第3实施方式的载置台装置的一个例子的纵截面图。
[0024]图8是表示第4实施方式的载置台装置的一个例子的纵截面图。
[0025]附图标记说明
[0026]20d：销孔
[0027]20：载置台
[0028]21e：载置面
[0029]31：升降销
[0030]41：升降机
[0031]26：第1加热部
[0032]29、37b、39、55、56、56A：第2加热部
[0033]50、50A、50B、50C、50D、50E：载置台装置
[0034]W：基片(晶片)。
具体实施方式
[0035]以下，参照附图，对本专利技术的实施方式的载置台装置和基片处理装置进行说明。此外，在本说明书和附图中，对实质上相同的构成要素，标注相同的附图标记从而省略重复的说明。
[0036][实施方式的基片处理装置和第1实施方式的载置台装置][0037]首先，参照图1至图4，说明本专利技术的实施方式的基片处理装置的一个例子和第1实施方式的载置台装置的一个例子。此处，图1是表示实施方式的基片处理装置的一个例子的纵截面图。图2是表示构成基片处理装置的、第1实施方式的载置台装置的一个例子的纵截面图，图3和图4均是表示第1实施方式的载置台装置的其他例子的纵截面图。
[0038]图1所示的基片处理装置100是CVD(Chemical Vapor Deposition：化学气相沉积)装置、ALD(Atomic Layer Deposition：原子层沉积)装置等能够执行成膜、溅射、蚀刻的装置。基片处理装置100包括：作为腔室的处理容器10；和配置在处理容器10内的载置台装置50，其能够在载置基片W(以下，将作为基片W的一个例子的半导体晶片称为“晶片”)的同时进行升降。基片处理装置100还包括：对处理容器10供给处理气体、吹扫气体的供给装置80；从处理容器10内排出各种处理气体、吹扫气体，进一步对处理容器10内进行抽真空以减压的排气装置70；和控制各装置的控制装置90。
[0039]载置台装置50包括：能够载置基片W并且具有销孔20d的载置台20；升降销单元30，其具有能够在销孔20d的内部升降的升降销31；和使升降销单元30升降及旋转的升降单元
40。通过驱动对构成升降单元40的升降机41，载置台20能够在由双点划线表示的运送位置与其上方的处理位置之间上下地升降。此处，运送位置是指，在从处理容器10的送出送入口13进入处理容器10的内部的晶片W的运送装置(未图示)与升降销31之间交接晶片W时，载置台20待机的位置。处理位置是指，对晶片W进行成膜等处理的位置。此外，关于载置台装置50，在后文说明。另外，基片处理装置也可以具有以下详细说明的其他载置台装置50A至50C。
[0040]处理容器10由铝等金属形成，包括具有大致圆筒状的侧壁11和俯视时呈圆形的底板12。在侧壁11开设有用于送出送入晶片W的送出送入口13，送出送入口13能够由闸门(gate valve)14开闭。在处理容器10的上方配置有截面形状为大致矩形的圆环状的排气管道15。在排气管道15沿着内周面形成有隙缝15a。此外，在排气管道15的外壁形成有排气口15b。在排气管道15的上表面设置有封闭处理容器10的上方开口的顶板16。在顶板16与排气管道15的抵接界面配置有密封环17，用密封环17将顶板16和排气管道15气密地密封。
[0041]在顶板16的下表面安装有帽部件61，在彼此相对的帽部件61与载置台20之间形成有能够处理基片W的处理空间S。例如，帽部件61由螺栓(bolt)等安装到顶板16。
[0042]在帽部件61的下表面设置有钵状的凹部62。形成处理空间S时的载置台20的高度被设定成，在帽部件61的凹部62的最下端与配置在载置台20的周围的密封部件28的上端之间形成隙间S1。凹部62例如优选采用处理空间S的容积尽可能小并且在通过吹扫对处理气体进行置换时的气体置换性良好的方式。
[0043]在帽部件61的中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种载置台装置，其特征在于，包括：载置台，其具有销孔，并且具有能够载置基片的载置面；能够在所述销孔中升降的升降销；和使所述升降销升降的升降机，所述载置台在其内部具有加热所述载置台的第1加热部，所述升降销在其内部或者周围具有加热所述升降销的第2加热部。2.如权利要求1所述的载置台装置，其特征在于：所述升降销在其内部还具有温度传感器。3.如权利要求1所述的载置台装置，其特征在于：在所述载置台中的所述销孔的周围配置有所述第2加热部。4.如权利要求1所述的载置台装置，其特征在于：在所述升降销的周围安装有所述第2加热部。5.如权利要求1所述的载置台装置，其特征在于：多个所述升降销由支承部件支承，所述支承部件固定于所述升降机，在所述支承部件中的所述升降销的周围配置有所述第2加热部。6.如权利要求1至5中任...

【专利技术属性】
技术研发人员：M，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：