本发明提供旋转机构和基板处理装置。不使用联轴器并容许第1旋转部与第2旋转部之间的安装误差地将第1旋转部和第2旋转部连接。被旋转体具有第1旋转部和第1固定部。平板固定于被旋转体的第1固定部，该平板在第1旋转部的旋转方向上具有刚性，并在相对...

本发明涉及一种处理装置。提供一种能够提高膜厚的面内均匀性和面间均匀性的技术。本公开的一技术方案的处理装置包括：处理容器，其为大致圆筒形状，在该处理容器的长度方向上空开间隔地将多个基板收容为多层；以及气体喷嘴，其沿所述处理容器的长度方向延...

本发明涉及气体导入构造和处理装置。提供一种能够向配置为多层的基板均匀地供给气体的技术。本公开的一技术方案的气体导入构造是沿大致圆筒形状的处理容器的长度方向延伸并向该处理容器内供给气体的气体导入构造，其中，该气体导入构造具有：导入部，其划...

本发明所公开的蚀刻方法包括在腔室内的表面上形成保护膜的工序(a)。蚀刻方法进一步包括在腔室内使用氟化氢对基板的蚀刻膜进行蚀刻的工序(b)。基板包括蚀刻膜及设置于该蚀刻膜上的掩模。保护膜由与掩模的材料相同种类的材料形成。的材料形成。的材料...

本发明提供能够通过消除气体的滞留来抑制颗粒积存的基片处理装置等，基片处理装置包括：真空输送室，其具有顶面、与顶面相对的底面以及顶面与底面之间的侧面，侧面具有第一侧面和与第一侧面相对的第二侧面；配置在真空输送室内的用于输送基片的输送机械臂...

本发明提供能够提高输送精度的基片输送系统的控制方法和基片输送系统。本发明的控制方法是具有保持基片的保持部且能够输送上述基片的输送机构的控制方法，其包括：检测由上述输送机构输送的上述基片的外缘，使用预先设定的与输送上述基片的路径对应的调整...

本发明提供一种基板处理系统以及状态监视方法，该基板处理系统具备：基板处理装置，其对处理基板进行处理；基板搬送机构，其具有保持基板的基板保持部，基板搬送机构构成为能够通过基板保持部来保持基板并相对于基板处理装置搬入和搬出该基板；摄像装置，...

实施例提供了对含钛材料层的非等离子体刻蚀，诸如气相和/或远程等离子体刻蚀，该非等离子体刻蚀对其他材料层具有可调选择性。在加工室内接收衬底，并且该衬底具有暴露的材料层，这些材料层包括含钛材料层和至少一个附加材料层。通过将该衬底暴露于包含含...

一种3D半导体器件的制造方法，该方法包括：形成第一目标结构，该第一目标结构包括至少一个上部栅极、至少一个底部栅极以及电介质分离层，该电介质分离层设置在该至少一个上部栅极与该至少一个底部栅极之间并且将该至少一个上部栅极与该至少一个底部栅极...

一种等离子体加工方法包括执行反应性物质控制阶段、执行离子/自由基控制阶段以及执行副产物控制阶段。反应性物质控制阶段包括以脉冲方式向加工室施加源功率以在等离子体中生成离子和自由基。在反应性物质控制阶段之后执行离子/自由基控制阶段。离子/自...

提供一种基板处理系统和基板处理装置的管理方法。通过对与基板的周缘部的膜去除有关的信息进行管理，能够长期地稳定地运用基板处理装置。具备：测定处理工序，基于通过由所述拍摄部对基于基板处理制程被处理后的基板的周缘部进行拍摄所得到的拍摄图像，测...

提供一种能够对吸附力的不均进行抑制，并降低成本的载置台、基板处理装置及吸附方法。该载置台包括：基台；静电吸盘，设置在所述基台上，并且在内部具有2极以上的n极的电极；以及电源，向所述n极的电极施加相位彼此不同的2相以上的n相的周期性地正负...

本发明提供一种使基底层相对于蚀刻对象膜的选择比提高的蚀刻处理方法。包括:载置工序,其将形成有至少具有含硅绝缘层、基底层以及掩模层的层叠膜的基板载置于处理容器内的载置台上；供给工序,其供给包括碳氟化合物气体或氢氟烃气体的至少一者的处理气体...

本发明提供一种能够使用多个高频电功率脉冲信号使工艺处理的性能提高的等离子体处理装置，其包括：第一、第二匹配电路；第一RF生成部，其与第一匹配电路耦合，生成包括多个第一脉冲周期的第一RF脉冲信号，其在第一脉冲周期的第一～第三期间分别具有第...

本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理方法，其使用多个高频电功率脉冲信号来提高处理的性能。等离子体处理装置具有：第一RF生成部，其生成第一RF脉冲信号，该信号在第一期间具有第一功率水平，在第二期间具有第二功率水平，在第三期间具有第三功...

本发明的成膜装置包括：处理容器；在处理容器内保持基片的基片保持部；配置于基片保持部的上方的阴极单元；和对处理容器内导入等离子体生成气体的气体导入机构。阴极单元包括：靶材；对靶材供给电功率的电源；设置于靶材的背面侧的磁体；和驱动磁体的磁体...

本披露内容的各方面提供了一种半导体装置，该装置包括第一晶体管堆叠体和第二晶体管堆叠体。该第一堆叠体包括第一晶体管和沿着垂直于衬底平面的Z方向堆叠在该第一晶体管上的第二晶体管。该第二堆叠体包括第三晶体管和沿着该Z方向堆叠在该第三晶体管上的...

披露了一种用于处理基底的方法，该方法包括：在真空处理室中接收基底。该基底包括布置在该基底上的III

一种集成电路包括单位单元阵列，该阵列中的每个单位单元包括布置成堆叠体场效应晶体管。局部互连结构形成这些场效应晶体管的选择端子之间的选择导电路径，以限定被限制在每个单位单元内的单元电路系统。触点阵列设置在该单位单元的可触及表面上，其中，每...

示例性实施方式所涉及的执行装置具备动作装置、加速度传感器及运算装置。动作装置为用于执行规定动作的装置。加速度传感器能够测量对执行装置施加的加速度。运算装置测量由加速度传感器进行测量的加速度成为基准范围内的值之后的经过时间，在加速度保持基...