等离子体处理装置和等离子体处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供等离子体处理装置和等离子体处理方法，其使用多个高频电功率脉冲信号来提高处理的性能。等离子体处理装置具有：第一RF生成部，其生成第一RF脉冲信号，该信号在第一期间具有第一功率水平，在第二期间具有第二功率水平，在第三期间具有第三功率水平，第一期间为30μs以下；第二RF生成部，其生成第二RF脉冲信号，该信号的频率比第一RF脉冲信号的频率低，在第一期间具有第四功率水平，在第二期间和第三期间中的至少一者具有第五功率水平；第三RF生成部，其生成第三RF脉冲信号，该信号的频率比第二RF脉冲信号的频率低，在第二期间具有第六功率水平，并且在第一期间和第三期间中的至少一者具有第七功率水平。的至少一者具有第七功率水平。的至少一者具有第七功率水平。

【技术实现步骤摘要】
等离子体处理装置和等离子体处理方法


[0001]本专利技术涉及等离子体处理装置和等离子体处理方法。

技术介绍

[0002]例如，专利文献1提案了一种具有2个高频电源，并且对腔室上部的天线和下部电极(基座)供给2个频率的高频电功率的ICP(Inductively Coupled Plasma：电感耦合等离子体)装置。从2个高频电源中的一个高频电源对下部电极供给例如13MHz的频率的偏置用的高频电功率。在腔室的上方设置天线，从另一个高频电源对构成天线的外侧线圈的线路的中点或者其附近供给例如27MHz的等离子体激发用的高频电功率。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2019
‑
67503号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的问题
[0007]本专利技术提供能够使用多个高频(RF：Radio Frequency)电功率脉冲信号来提高处理的性能的技术。
[0008]用于解决问题的技术手段
[0009]根据本专利技术的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，具有：腔室；与所述腔室耦合的第一匹配电路；与所述腔室耦合的第二匹配电路；第一RF生成部，其构成为与所述第一匹配电路耦合，能够生成包含多个脉冲周期的第一RF脉冲信号，所述多个脉冲周期分别包含第一期间、第二期间和第三期间，所述第一RF脉冲信号在所述第一期间具有第一功率水平，在所述第二期间具有第二功率水平，并且在所述第三期间具有第三功率水平，所述第一期间为30μs以下；第二RF生成部，其构成为与所述第二匹配电路耦合，能够生成包含所述多个脉冲周期的第二RF脉冲信号，所述第二RF脉冲信号的频率比所述第一RF脉冲信号的频率低，所述第二RF脉冲信号在所述第一期间具有第四功率水平，并且在所述第二期间和所述第三期间中的至少一者具有第五功率水平；和第三RF生成部，其构成为与所述第二匹配电路耦合，能够生成包含所述多个脉冲周期的第三RF脉冲信号，所述第三RF脉冲信号的频率比所述第二RF脉冲信号的频率低，所述第三RF脉冲信号在所述第二期间具有第六功率水平，并且在所述第一期间和所述第三期间中的至少一者具有第七功率水平。2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述第二RF脉冲信号在所述第二期间具有所述第五功率水平，所述第三RF脉冲信号在所述第一期间具有所述第七功率水平。3.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述第三功率水平、所述第五功率水平和所述第七功率水平是零功率水平。4.如权利要求1～3中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述第一功率水平大于所述第二功率水平。5.如权利要求1～4中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述脉冲周期的1个周期是50μs～100μs。6.如权利要求1～5中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述第一RF脉冲信号是20MHz～60MHz的频率，所述第二RF脉冲信号是1MHz～15MHz的频率，所述第三RF脉...

【专利技术属性】
技术研发人员：竹内贵广，小林宪，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：