基板处理系统以及状态监视方法技术方案

本发明专利技术提供一种基板处理系统以及状态监视方法，该基板处理系统具备：基板处理装置，其对处理基板进行处理；基板搬送机构，其具有保持基板的基板保持部，基板搬送机构构成为能够通过基板保持部来保持基板并相对于基板处理装置搬入和搬出该基板；摄像装置，其设置于基板搬送机构，用于拍摄基板处理装置内的监视对象构件；以及控制装置，其中，控制装置使基板保持部移动，并使摄像装置拍摄监视对象构件中的多个部分，该多个部分包括在进行处理时与基板的中央相向的中央部以及在进行处理时与基板的周缘侧相向的周缘部，控制装置基于拍摄结果，针对监视对象构件中的多个部分分别计算表示该部分的状态的物理量。示该部分的状态的物理量。示该部分的状态的物理量。

【技术实现步骤摘要】
基板处理系统以及状态监视方法


[0001]本公开涉及一种基板处理系统以及状态监视方法。

技术介绍

[0002]专利文献1中公开了一种测定系统，该测定系统用于对具有处理容器、载置台以及聚焦环的等离子体蚀刻装置中的聚焦环的消耗量进行测定，该测定系统具备设置有距离传感器的传感器基板以及用于测定聚焦环的消耗量的测定装置。在该系统中，测定装置具有：搬送指示部，其指示搬送措施，来使测定装置搬送到处理容器内；获取部，其获取距离传感器测定出的与从距离传感器到聚焦环的距离相应的物理量的信息；以及测定部，其基于获取到的物理量的信息，来测定聚焦环的消耗量。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2016
‑
100407号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的问题
[0007]本公开所涉及的技术在不使基板处理装置内向大气开放地监视基板处理装置内的构件的状态的情况下，即使在上述构件的状态在处理时的与基板的中央相向的部分以及与该基板的周缘侧相向的部分不同时，也能够在基于监视结果进行了上述构件的更换时期的判定等时，得到适当的结果。
[0008]用于解决问题的方案
[0009]本公开的一个方式是一种基板处理系统，具备：基板处理装置，其对基板进行处理；基板搬送机构，其具有保持基板的基板保持部，所述基板搬送机构构成为能够通过所述基板保持部来保持基板并相对于所述基板处理装置搬入和搬出该基板；摄像装置，其设置于所述基板搬送机构，用于拍摄所述基板处理装置内的监视对象构件；以及控制装置，其中，所述控制装置使所述基板保持部移动，并使所述摄像装置拍摄所述监视对象构件中的多个部分，所述多个部分包括在进行处理时与基板的中央相向的中央部以及在进行处理时与基板的周缘侧相向的周缘部，所述控制装置基于拍摄结果，针对所述监视对象构件中的所述多个部分分别计算表示该部分的状态的物理量。
[0010]专利技术的效果
[0011]根据本公开，在不使基板处理装置内向大气开放地监视基板处理装置内的构件的状态的情况下，即使在上述构件的状态在处理时的与基板的中央相向的部分以及与该基板的周缘侧相向的部分不同时，也能够在基于监视结果进行了上述构件的更换时期的判定等时，得到适当的结果。
附图说明
[0012]图1是示出本实施方式所涉及的作为基板处理系统的晶圆处理系统的结构的概要的俯视图。
[0013]图2是示出处理装置的结构的概要的纵截面图。
[0014]图3是静电吸盘的部分放大截面图。
[0015]图4是示意性地示出晶圆搬送机构的结构的侧视图。
[0016]图5是示出叉的结构的概要的俯视图。
[0017]图6是示出在对处理装置的电极板进行监视的处理中使用的摄像图像的一例的概要的图。
[0018]图7是示出摄像单元的其它例的图。
[0019]附图标记说明
[0020]1：晶圆处理系统；32：晶圆搬送机构；32a：搬送臂；40：处理装置；41：处理装置；42：处理装置；43：处理装置；50：控制装置；203：保持臂；301：摄像装置；303：线状构件；303a：第一导光构件；W：晶圆。
具体实施方式
[0021]例如在半导体器件等的制造工艺中，通过基板处理装置对半导体晶圆(下面称为“晶圆”。)等基板进行成膜处理、蚀刻处理等规定的处理。
[0022]该基板处理装置内的构件由于重复上述的处理，所述构件的状态发生变化。例如，在进行蚀刻处理的基板处理装置中，设置为设置有多个朝向基板喷出处理气体的喷出孔的喷淋头与基板相向，但是由于对基板进行蚀刻处理，喷出孔也被蚀刻，因此喷出孔的直径逐渐增大。另外，若为了确认基板处理装置内的各构件的状态而使基板处理装置内向大气开放，则需要长时间以使基板处理装置内回到真空环境。
[0023]与这一点相关，专利文献1中公开了一种使用设置有距离传感器的传感器基板来测定设置于等离子体蚀刻装置的处理容器内的聚焦环的消耗量的方法。
[0024]另外，在规定的处理时，由重复蚀刻处理等规定的处理而造成的基板处理装置内的构件的状态的变化在与基板的中央相向的中央部以及与基板的周缘侧相向的周缘部是不同的。例如，在进行使用了等离子体的蚀刻处理的情况下，有时在基板的中央的上方为高等离子体密度，在基板的周缘侧的上方为低等离子体密度，在该情况下，与周缘部相比喷淋头的中央部的处理气体的喷出孔变大，且蚀刻量变得更多。因而，对于基板处理装置内的构件，若仅监视与基板的径向上的一部分相向的部分的状态，并基于该监视结果来进行该构件的更换时期的判定、处理条件的调整等，则有时无法得到适当的结果。
[0025]因此，本公开所涉及的技术在不使基板处理装置内向大气开放地监视上述构件的状态的情况下，即使在上述构件的状态在中央部与周缘部不同时，也能够在基于监视结果进行了上述构件的更换时期的判定等时，得到适当的结果。
[0026]下面，参照附图对本实施方式所涉及的基板处理系统以及状态监视方法进行说明。此外，在本说明书和附图中，通过对具有实质上相同的功能结构的要素赋予相同的附图标记来省略重复说明。
[0027]图1是示出本实施方式所涉及的作为基板处理系统的晶圆处理系统1的结构的概
要的俯视图。
[0028]图1的晶圆处理系统1是在减压下对作为基板的晶圆W进行例如成膜处理、扩散处理、蚀刻处理等规定的处理的系统。
[0029]该晶圆处理系统1具有将承载件站10和处理站11一体地连接的结构，该承载件站10搬入搬出能够收容多个晶圆W的承载件C，该处理站11具备在减压下对晶圆W实施规定的处理的多个各种处理装置。承载件站10和处理站11经由2个加载互锁装置12、13连结。
[0030]加载互锁装置12、13具有加载互锁室12a、13a，该加载互锁室12a、13a构成为使室内在大气压状态与真空状态间切换。加载互锁装置12、13设置为将后述的大气压搬送装置20和真空搬送装置30连结。
[0031]承载件站10具有大气压搬送装置20和承载件载置台21。此外，承载件站10中也可以还设置用于调节晶圆W的朝向的定向器(未图示)。
[0032]大气压搬送装置20具有形成使室内设为大气压下的大气搬送室22的壳体。大气搬送室22经由闸阀G1、G2来与加载互锁装置12、13的加载互锁室12a、13a连接。大气搬送室22内设置有在大气压下在大气搬送室22与加载互锁室12a、13a之间搬送晶圆W的搬送机构23。
[0033]搬送机构23具有搬送臂23a，搬送臂23a例如由多关节臂构成，该多关节臂的顶端设置有用于保持晶圆W的晶圆保持部。而且，搬送机构23是一边由搬送臂23a保持晶圆W一边进行搬送的结构。
[0034]承载件载置台21在大气压搬送装置20中设置于加载互锁装置12、13的相反侧的侧表面。在图示的例子中，承载件载置台21能够载置多个承载件C，例如3个。通本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板处理系统，具备：基板处理装置，其对基板进行处理；基板搬送机构，其具有保持基板的基板保持部，所述基板搬送机构构成为能够通过所述基板保持部来保持基板并相对于所述基板处理装置搬入和搬入该基板；摄像装置，其设置于所述基板搬送机构，用于拍摄所述基板处理装置内的监视对象构件；以及控制装置，其中，所述控制装置使所述基板保持部移动，并使所述摄像装置拍摄所述监视对象构件中的多个部分，所述多个部分包括在进行处理时与基板的中央相向的中央部以及在进行处理时与基板的周缘侧相向的周缘部，所述控制装置基于拍摄结果，针对所述监视对象构件中的所述多个部分分别计算表示该部分的状态的物理量。2.根据权利要求1所述的基板处理系统，其中，所述基板处理系统还具备线状构件，所述线状构件具有将从顶端入射的光导向基端的导光构件，所述线状构件形成为线状，配设于所述基板保持部，所述摄像装置经由所述导光构件来拍摄所述基板处理装置内的监视对象构件。3.根据权利要求2所述的基板处理系统，其中，所述摄像装置设置于所述基板搬送机构中的不与保持于所述基板保持部的基板发生干扰的位置，所述线状构件以不妨碍所述基板保持部对基板的保持的方式形成为线状且配设于所述基板保持部。4.根据权利要求1～3中的任一项所述的基板处理系统，其中，所述监视对象构件是形成有多个喷出孔的构件，所述喷出孔用于在进行处理时朝向基板喷出处理气体，所述物理量是所述喷出孔的直径。5.根据权利要求4所述的基板处理系统，其中，所述控制装置根据计算出的所述喷出孔的直径，来变更进行处理时的与处理气体有关的条件。6.根据权利要求1～5中的任一项所述的基板处理系统，其中，所述监视对象构件是用于对基板进行吸附来保持该基板的...

【专利技术属性】
技术研发人员：兒玉俊昭，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：