本发明涉及输送装置和输送方法。在同时输送多个基板的输送装置中适当地对在该输送装置保持的基板进行检测。输送装置以在俯视时重叠的方式保持并输送第1基板和第2基板，该输送装置包括：第1保持臂，在水平方向上保持第1基板；第2保持臂，在水平方向上...

喷嘴待机装置、液处理装置以及液处理装置的运转方法。喷嘴在喷嘴收容部待机并在顶端部吸入溶剂而形成液层时，即使喷出的处理液高粘度也能在顶端部形成溶剂的液层。包括：喷嘴收容部，包含以包围喷嘴顶端部的方式形成的内周面并与喷嘴的喷出口相对地形成排...

本申请所公开的蚀刻方法包括工序(a)，所述工序(a)在等离子体处理装置的腔室内准备基板。基板包括含硅膜。蚀刻方法还包括工序(b)，所述工序(b)通过来自在腔室内从处理气体形成的等离子体的化学物种来对含硅膜进行蚀刻。处理气体包含含磷气体、...

本发明提供一种蚀刻装置，其包括：具有气体导入口和排气口的腔室；设置在所述腔室内的基片支承部，该基片支承部包括电极，可对该电极供给高频偏置电力；等离子体产生部；和进行下述的a控制～c控制的控制部，a控制，将包括由氮化硅形成的第一区域和由氧...

本发明提供推定与进行等离子体处理的处理空间内的状态的变化对应的温度的温度推定装置、等离子体处理系统、温度推定方法以及温度推定程序。温度推定装置具有推定部，该推定部通过向生成完毕时间序列模型依次输入与进行等离子体处理的处理空间内的状态有关...

本发明提供一种基板处理方法、存储介质以及基板处理装置，能够抑制基板间的膜厚变动。基板处理方法包括以下过程：进行液处理，所述液处理包括使用将基板保持于规定的处理位置并对基板的表面供给处理液的液处理单元来对被保持于处理位置的基板的表面供给处...

本发明为在基片的正面的周缘和侧面形成涂敷膜的基片处理装置、基片处理方法和存储介质。在基片的包含正面的周缘和侧面在内的周缘部形成涂敷膜的基片处理装置，包括：基片保持部，其构成为能够以基片可旋转的方式保持基片；第1药液供给部，其构成为能够对...

本发明提供基片处理装置和基片处理方法，其能够简化对在排出管线中流动的流体中的干燥液的浓度进行测量的浓度测量部的结构。基片处理装置通过将形成于基片的干燥液的液膜置换为超临界流体，来使上述基片干燥。基片处理装置包括压力容器、排出管线、减压阀...

本发明提供能够对基片的背面的除了周端以外的环状区域供给处理液以进行局部处理的液处理方法和液处理装置。液处理方法包括：将基片的背面的中心部载置在载置台上，并使该载置台旋转的工序；和从喷嘴对旋转的基片的背面的比周端靠中心的位置供给雾状的处理...

本发明提供显影装置和显影方法，在对表面形成有已曝光的抗蚀剂膜的基片供给显影液进行显影时，能够提高在基片的面内的各部形成的抗蚀剂图案的尺寸的均匀性。该装置包括：形成从杯状体的外侧去往该杯状体内的气流的气流形成部；对基片的表面供给显影液来进...

一种基板处理方法，包括：准备层叠基板，该层叠基板包括被分割为多个芯片的第一基板、按每个所述芯片完成分割且用于保护所述芯片的保护膜、用于支承所述第一基板的第二基板、以及将所述保护膜与所述第二基板粘接的粘接膜；利用透过所述第二基板的光线来使...

半导体装置具备电荷储存膜、电极、第一阻挡膜以及第二阻挡膜。第一阻挡膜设于电荷储存膜与电极之间。第二阻挡膜设于第一阻挡膜与电荷储存膜之间。此外，第一阻挡膜为包含钽的氧化膜，第一阻挡膜的介电常数比第二阻挡膜的介电常数大。电常数大。电常数大。

本公开提供一种半导体制造系统、控制装置、控制方法和存储介质。具有：本地操作终端，其显示半导体制造装置的装置画面；远程操作终端，其经由网络来与半导体制造装置连接，显示装置画面；以及控制装置，其基于本地操作终端和远程操作终端从用户处接受到的...

本发明提供使用3个电功率脉冲信号来提高处理性能的等离子体处理装置和等离子体处理方法，包括：生成至少3个功率水平的生成源RF脉冲信号的生成源RF生成部；第1及第2偏置RF生成部，其生成频率比生成源RF脉冲信号低的至少2个功率水平的第1及第...

本发明提供一种输送装置和输送方法，其利用与现有技术不同的方法来判断基片等部件是否通过了预定的区域。输送装置包括输送臂、照射部、受光部和控制装置。输送臂输送部件。照射部在输送臂输送部件时向部件所要通过的通过区域倾斜地照射光。受光部在部件从...

本发明提供一种控制方法和电感耦合等离子体处理装置，能够更高精度地控制等离子体密度。该控制方法是包括多个第一天线段和多个阻抗调整部的电感耦合等离子体处理装置中的控制方法，所述多个第一天线段构成电感耦合天线，所述多个阻抗调整部分别与多个第一...

本发明涉及基板处理装置。稳定地实施利用添加有添加剂的磷酸水溶液进行的蚀刻处理。本公开的一技术方案的基板处理装置包括内槽、外槽、盖体以及液体接触构件。内槽在上部具有开口部，该内槽供基板浸渍于处理液。外槽配置于内槽的外侧，该外槽接收从开口部...

本发明提供晶片处理方法和等离子体处理装置，其目的在于提供抑制由在基片上形成的膜引起的凹部的开口的闭塞的技术，基片处理方法包含使前驱体吸附于基片的侧壁面的工序(a)，侧壁面在基片区划形成凹部，基片处理方法还包含向基片供给第一化学种和第二化...

本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置，用于在基板的周缘部形成膜厚更均匀的处理膜。对基板表面的周缘部形成处理膜的基板处理方法包括：向所述周缘部供给用于形成所述处理膜的处理液；以及使被供给到所述基板表面中的比被供给了所述处理液的区域更靠...

本发明涉及蚀刻方法和蚀刻装置。对嵌入至基板上具有开口幅度彼此不同的多个凹部的含氧硅膜进行蚀刻时，提高基板的面内各部的蚀刻量的控制性。一种蚀刻方法，其为向具备开口部的大小彼此不同的多个凹部的基板供给蚀刻气体、对嵌入至前述各凹部的含氧硅膜进...