显影装置和显影方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供显影装置和显影方法，在对表面形成有已曝光的抗蚀剂膜的基片供给显影液进行显影时，能够提高在基片的面内的各部形成的抗蚀剂图案的尺寸的均匀性。该装置包括：形成从杯状体的外侧去往该杯状体内的气流的气流形成部；对基片的表面供给显影液来进行显影的显影液供给部；对进行了显影的基片的表面供给清洗液的清洗液供给部；以及用于限制在该基片的表面形成的气流的气流限制部件，其独立于显影液供给部和清洗液供给部设置，位于第一位置而限定地覆盖被供给了显影液的基片的一部分，设置有移动机构，在清洗液被供给到基片时使气流限制部件位于与第一位置相不同的第二位置，或者第一位置为杯状体的外侧的位置，即使在对基片供给清洗液时气流限制部件也位于该第一位置。位置。位置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】显影装置和显影方法


[0001]本专利技术涉及显影装置和显影方法。

技术介绍

[0002]在半导体器件的制造工艺中包含光刻工序。该光刻工序中，在作为基片的半导体晶片(以下记载为晶片)的表面上依次进行抗蚀剂膜的形成、按照所希望的图案的抗蚀剂膜的曝光、基于显影液的供给的抗蚀剂膜的显影，而形成抗蚀剂图案。在专利文献1中作为进行上述显影的装置，示出了一种装置，其具有对晶片供给显影液的喷嘴和对被供给了显影液的晶片的中央部供给温度调节用的非活性气体的喷嘴。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2016
‑
81964号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的技术问题
[0007]本专利技术提供一种技术，在对表面形成有已曝光的抗蚀剂膜的基片供给显影液进行显影时，能够提高在基片的面内的各部形成的抗蚀剂图案的尺寸的均匀性。
[0008]用于解决技术问题的技术方案
[0009]本专利技术的显影装置包括：
[0010]基片保持部本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种显影装置，其特征在于，包括：基片保持部，其保持在表面形成有已曝光的抗蚀剂膜的基片；杯状体，其包围由所述基片保持部保持的所述基片；气流形成部，其形成从所述杯状体的外侧去往该杯状体内的气流；显影液供给部，其对所述基片的表面供给显影液来进行显影；清洗液供给部，其对进行了显影的所述基片的表面供给清洗液；以及用于限制在该基片的表面形成的气流的气流限制部件，其独立于所述显影液供给部和所述清洗液供给部设置，位于第一位置而限定地覆盖被供给了所述显影液的基片的一部分，设置有移动机构，其在所述清洗液被供给到所述基片时使所述气流限制部件位于相对于该基片与所述第一位置相对地不同的第二位置，或者所述第一位置为所述杯状体的外侧的位置，即使在对基片供给所述清洗液时，所述气流限制部件也位于该第一位置。2.如权利要求1所述的显影装置，其特征在于：所述气流限制部件具有贯通孔，其将去往所述杯状体内的气流导入所述基片的中心部。3.如权利要求2所述的显影装置，其特征在于：所述气流限制部件为沿着所述基片的外周形成的环状体。4.如权利要求3所述的显影装置，其特征在于：所述环状体的下表面具有第一倾斜面，所述第一倾斜面与形成所述贯通孔的内周面相连续，并且随着从该内周面去往该环状体的周缘侧而靠近所述基片。5.如权利要求2所述的显影装置，其特征在于：所述气流限制部件的周缘部的下表面包含第二倾斜面，所述第二倾斜面随着去往该气流限制部件的周缘而远离所述基片。6.如权利要求1所述的显影装置，其特征在于：所述抗蚀剂膜为利用i线进行了曝光的抗蚀剂膜。7.如权利要求1所述的显影装置，其特征在于：所述气流限制部件限定地覆盖所述基片的中心部。8.如权利要求1所述的显影装置，其特征在于：设置有所述移动机构。9.如权利要求8所述的显影装置，其特征在于：所述气流限制部件在第一期间中位于所述第一位置，所述第一期间为从利用所述显影液供给部向所述基片的显影液的供给结束起，至利用所述清洗液供给部向所述基片的所述清洗液的供给开始为止的期间...

【专利技术属性】
技术研发人员：三浦拓也，下青木刚，饭野洋行，高桥大树，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：