晶片处理方法和等离子体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供晶片处理方法和等离子体处理装置，其目的在于提供抑制由在基片上形成的膜引起的凹部的开口的闭塞的技术，基片处理方法包含使前驱体吸附于基片的侧壁面的工序(a)，侧壁面在基片区划形成凹部，基片处理方法还包含向基片供给第一化学种和第二化学种的工序(b)，第一化学种在侧壁面上由前驱体形成膜，第二化学种抑制膜的厚度的增加，工序(a)与工序(b)交替重复。(b)交替重复。(b)交替重复。

【技术实现步骤摘要】
晶片处理方法和等离子体处理装置


[0001]本专利技术的例示的实施方式涉及基片处理方法和等离子体处理装置。

技术介绍

[0002]等离子体蚀刻用于在基片形成凹部(recess)。在等离子体蚀刻中，寻求抑制凹部横向扩展的技术。因此，使用在区划形成凹部的侧壁面形成膜的技术。这样的技术在专利文献1和2中有所记载。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：美国专利申请公开第2016/0343580号说明书
[0006]专利文献2：美国专利申请公开第2018/0174858号说明书

技术实现思路

[0007]专利技术所要解决的问题
[0008]本专利技术提供抑制由在基片上形成的膜引起的凹部的开口的闭塞的技术。
[0009]用于解决问题的方式
[0010]在一个例示的实施方式中，提供基片处理方法。基片处理方法包含使前驱体吸附于基片的侧壁面的工序(a)。侧壁面在基片区划形成凹部。基片处理方法还包含向基片供给第一化学种和第二化学种的工序(b)。第一化学种在侧本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基片处理方法，其特征在于，包括：(a)使前驱体吸附在基片的侧壁面的工序，该侧壁面在该基片区划形成凹部；和(b)向所述基片供给第一化学种和第二化学种的工序，该第一化学种在所述侧壁面上由所述前驱体形成膜，该第二化学种抑制该膜的厚度的增加，所述(a)与所述(b)交替重复。2.如权利要求1所述的基片处理方法，其特征在于：所述第二化学种是卤素化学种。3.如权利要求2所述的基片处理方法，其特征在于：所述第二化学种是氟化学种。4.如权利要求3所述的基片处理方法，其特征在于：所述第二化学种由碳氟化合物、氢氟碳化合物、三氟化氮和六氟化硫中至少一种生成。5.如权利要求2～4中的任一项所述的基片处理方法，其特征在于：所述前驱体含有硅。6.如权利要求1所述的基片处理方法，其特征在于：在所述(b)蚀刻所述侧壁面上的堆积物。7.如权利要求6所述的基片处理方法，其特征在于：在所述(a)与所述(b)交替重复前，还包含以形成所述凹部的方式蚀刻所述基片的蚀刻膜的工序，通过该蚀刻膜的蚀刻在所述侧壁面上形成所述堆积物。8.如权利要求6或7所述的基片处理方法，其特征在于：所述堆积物和所述前驱体含有硅，所述第一化学种从由含氧气体形成的等离子体供给，所述第二化学种从由含氟气体形成的等离子体供给。9.如权利要求8所述的基片处理方法，其特征在于：在所述(b)，由含有所述含氧气体和所述含氟气体的处理气体生成等离子体，该处理气体中的该含氟气体的流量比该处理气体中的该含氧气体的流量多。10.如权利要求8或9所述的基片处理方法，其特征在于：所述含氟气体包含碳氟化合物、氢氟碳化合物、三氟化氮和六氟化硫中至少一种。11.如权利要求1～10中的任一项所述的基片处理方法，其特征在于：在所述(b)，对支承所述基片的基片支承器的下部电极赋予电偏压。12.如权利要求11所...

【专利技术属性】
技术研发人员：胜沼隆幸，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：