蚀刻方法和蚀刻装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及蚀刻方法和蚀刻装置。对嵌入至基板上具有开口幅度彼此不同的多个凹部的含氧硅膜进行蚀刻时，提高基板的面内各部的蚀刻量的控制性。一种蚀刻方法，其为向具备开口部的大小彼此不同的多个凹部的基板供给蚀刻气体、对嵌入至前述各凹部的含氧硅膜进行蚀刻的蚀刻方法，所述蚀刻方法实施如下工序：吸附工序，向前述基板供给有机胺化合物气体，并使其吸附于前述含氧硅膜；脱附工序，使多余的前述有机胺化合物气体从前述基板脱附；和，蚀刻工序，向吸附有前述有机胺化合物的基板供给所述包含卤素的前述蚀刻气体，对前述各凹部的前述含氧硅膜进行选择性地蚀刻。含氧硅膜进行选择性地蚀刻。含氧硅膜进行选择性地蚀刻。

【技术实现步骤摘要】
蚀刻方法和蚀刻装置


[0001]本公开涉及蚀刻方法和蚀刻装置。

技术介绍

[0002]构成半导体装置时，对形成于作为基板的半导体晶圆(以下，记作晶圆)的SiOx(氧化硅)膜等含氧硅膜进行蚀刻。例如专利文献1中记载了如下方案：供给HF(氟化氢)气体和有机胺化合物气体，对该SiOx膜进行蚀刻。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本专利第6700571号

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的问题
[0007]本公开提供如下技术：对嵌入至基板上具有开口幅度彼此不同的多个凹部的含氧硅膜进行蚀刻时，可以提高基板的面内各部的蚀刻量的控制性。
[0008]用于解决问题的方案
[0009]本公开的蚀刻方法为向具备开口部的大小彼此不同的多个凹部的基板供给蚀刻气体，对嵌入至前述各凹部的含氧硅膜进行蚀刻的蚀刻方法，所述蚀刻方法具备如下工序：
[0010]吸附工序，向前述基板供给有机胺化合物气体，并使其吸附于前述含氧硅膜；
[0011]脱附工序，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种蚀刻方法，其向具备开口部的大小彼此不同的多个凹部的基板供给蚀刻气体，对嵌入至所述各凹部的含氧硅膜进行蚀刻，所述蚀刻方法具备如下工序：吸附工序，向所述基板供给有机胺化合物气体，并使其吸附于所述含氧硅膜；脱附工序，使多余的所述有机胺化合物气体从所述基板脱附；和，蚀刻工序，向吸附有所述有机胺化合物的基板供给包含卤素的所述蚀刻气体，对所述各凹部的所述含氧硅膜进行选择性地蚀刻。2.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其中，所述吸附工序和所述蚀刻工序在彼此不同的时刻下进行。3.根据权利要求2所述的蚀刻方法，其中，重复进行由依次所述吸附工序、所述脱附工序、所述蚀刻工序构成的循环。4.根据权利要求2或3所述的蚀刻方法，其中，所述脱附工序包括：用于吹扫收纳有所述基板的处理容器内的吹扫气体的供给工序。5.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其中，在所述吸附工序后，所述脱附工序与所述蚀刻工序并行地进行，该脱附工序包括：仅将所述有机胺化合物气体和所述蚀刻气体中的蚀刻气体供给至所述基板的工序。6.根据权利要求5所述的蚀刻方法，其中，所述吸附工序与蚀刻工序并行地进行。7.根据权利要求1至6中任一项所述的蚀刻方法，其中，所述凹部由包含硅的材料构成。8.根据权利要求7所述的蚀刻方法，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：竹谷考司，杨元，李桢灿，户田聪，羽田敬子，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：