本发明专利技术提供一种基板处理方法和基板处理装置，用于在基板的周缘部形成膜厚更均匀的处理膜。对基板表面的周缘部形成处理膜的基板处理方法包括：向所述周缘部供给用于形成所述处理膜的处理液；以及使被供给到所述基板表面中的比被供给了所述处理液的区域更靠内侧的区域的成形用溶剂与被供给到所述周缘部的所述处理液的靠所述基板的中央侧的边界接触。处理液的靠所述基板的中央侧的边界接触。处理液的靠所述基板的中央侧的边界接触。
【技术实现步骤摘要】
基板处理方法和基板处理装置
[0001]本公开涉及一种基板处理方法和基板处理装置。
技术介绍
[0002]在专利文献1中，记载了通过对在半导体基板的外周部形成在抗蚀材料膜上的隆起(hump)喷射流体来压碎该隆起的结构。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2012
‑
156454号公报
技术实现思路
[0006]专利技术要解决的问题
[0007]本公开提供一种在基板的周缘部形成膜厚更均匀的处理膜的技术。
[0008]用于解决问题的方案
[0009]本公开的一个方式的基板处理方法是用于在基板表面的周缘部形成处理膜的基板处理方法，该基板处理方法包括：向所述周缘部供给用于形成所述处理膜的处理液；以及使被供给到所述基板表面中的比被供给所述处理液的区域更靠内侧的区域的成形用溶剂与被供给到所述周缘部的所述处理液的靠所述基板的中央侧的边界接触。
[0010]专利技术的效果
[0011]根据一个例示的实施方式所涉及的基板处理方法，提供一种在基板的周缘部形成膜厚更均匀的处理膜的技术。
附图说明
[0012]图1是示出基板处理系统的一例的立体图。
[0013]图2是概要性地示出基板处理系统的内部的一例的侧视图。
[0014]图3是示出涂布单元的一例的示意图。
[0015]图4是示出控制装置的硬件结构的一例的框图。
[0016]图5是示出基板处理方法的一例的流程图。
[0017]图6的(a)～图6的(e)是用于说明基板处理方法的一例的示意图。
[0018]图7的(a)、图7的(b)是用于说明由于马兰戈尼对流而形成的隆起的形成方法的一例的示意图。
[0019]图8的(a)～图8的(d)是示出评价例1、2所涉及的工件的评价结果的一例的图。
[0020]图9的(a)～图9的(d)是示出评价例3、4所涉及的工件的评价结果的一例的图。
[0021]图10是说明涂布单元中的处理液供给源的变形例的示意图。
[0022]附图标记说明
[0023]1：基板处理系统；2：涂布显影装置；11～14：处理模块；21：旋转卡盘；22：旋转驱动
部；31：溶剂供给部；32：处理液供给部；41：处理液供给源；42：溶剂供给源；100：控制装置；R：保护膜(处理膜)；R1：溶剂(成形用溶剂)；R2：处理液；W：工件(基板)。
具体实施方式
[0024]下面，对各种例示性的实施方式进行说明。
[0025]在一个例示性的实施方式中，提供一种基板处理方法。基板处理方法用于在基板表面的周缘部形成处理膜，该基板处理方法包括：向所述周缘部供给用于形成所述处理膜的处理液；以及使被供给到所述基板表面中的比被供给所述处理液的区域更靠内侧的区域的成形用溶剂与被供给到所述周缘部的所述处理液的靠所述基板的中央侧的边界接触。
[0026]根据上述的基板处理方法，能够通过使被供给到基板表面中的比被供给处理液的区域更靠内侧的区域的成形用溶剂与被供给到周缘部的处理液的靠基板的中央侧的边界接触，来去除在供给处理液时由溶剂形成的隆起。因此，能够使由处理液形成的处理膜的膜厚均匀。
[0027]能够设为以下方式：所述成形用溶剂的挥发性比所述处理液中包含的溶剂的挥发性低。
[0028]在成形用溶剂的挥发性比处理液中包含的溶剂的挥发性低的情况下，能够使处理液与成形用溶剂的接触时间更长，能够促进利用成形用溶剂进行的成形。因而，能够使处理膜的膜厚更均匀。
[0029]能够设为以下方式：在供给所述处理液之前还包括向所述基板表面供给所述成形用溶剂。
[0030]通过在供给处理液之前包括向基板表面供给成形用溶剂，能够在使被供给到基板表面的成形用溶剂以某种程度挥发后供给处理液。因此，能够一边调节基板上残留的成形用溶剂的量一边使成形用溶剂与处理液接触，能够更细致地进行处理膜的膜厚的调整。
[0031]能够设为以下方式：在供给所述成形用溶剂时，一边使所述基板旋转一边供给所述成形用溶剂，在供给所述成形用溶剂之后且供给所述处理液之前，还包括使所述基板的转速减小。
[0032]通过在供给成形用溶剂之后且供给处理液之前使基板的转速减小，能够利用转速的变化来调整与处理液接触的成形用溶剂的量。
[0033]能够设为以下方式：根据所述成形用溶剂的挥发性及供给量，来决定供给所述成形用溶剂与供给所述处理液之间的间隔。
[0034]通过改变供给成形用溶剂与供给处理液之间的间隔，能够调整在基板上与处理液接触的成形用溶剂的量。因而，通过根据成形用溶剂的挥发性及供给量来调整供给成形用溶剂与供给处理液之间的间隔，能够更加高精度地利用成形用溶剂进行处理膜的成形。
[0035]能够设为以下方式：在所述处理液中混合有沸点互不相同的多种溶剂。
[0036]在处理液中混合有沸点互不相同的多种溶剂的情况下，在被供给到基板上的处理液内产生贝纳德对流，抑制了隆起的形成。因而，能够进一步抑制处理膜的膜厚产生偏差。
[0037]能够设为以下方式：所述沸点互不相同的多种溶剂以大致相同的比例混合。
[0038]在沸点互不相同的多种溶剂以大致相同的比例混合的情况下，变得容易产生贝纳德对流，因此进一步抑制了隆起的形成。
[0039]在一个例示性的实施方式中，提供一种基板处理装置。基板处理装置在基板表面的周缘部形成处理膜，该基板处理装置包括：基板保持部，其将所述基板以能够旋转的方式保持；处理液供给部，其向被保持于所述基板保持部的所述基板的所述周缘部供给用于形成所述处理膜的处理液；以及溶剂供给部，其向所述基板表面中的比被供给所述处理液的区域更靠内侧的区域供给成形用溶剂。
[0040]根据上述的基板处理装置，通过使被供给到基板表面中的比被供给处理液的区域更靠内侧的区域的成形用溶剂与被供给到周缘部的处理液的靠基板的中央侧的边界接触，能够去除在供给处理液时由溶剂形成的隆起。因此，能够使由处理液形成的处理膜的膜厚更均匀。
[0041]能够设为以下方式：从所述溶剂供给部供给的所述成形用溶剂的挥发性比从所述处理液供给部供给的所述处理液中包含的溶剂的挥发性低。
[0042]在成形用溶剂的挥发性比处理液中包含的溶剂的挥发性低的情况下，能够使处理液与成形用溶剂的接触时间更长，能够促进利用成形用溶剂进行的成形。因而，能够使处理膜的膜厚更均匀。
[0043]能够设为以下方式：还包括控制部，该控制部控制所述处理液供给部及所述溶剂供给部，所述控制部根据所述成形用溶剂的挥发性及供给量，来控制从所述溶剂供给部供给所述成形用溶剂与从所述处理液供给部供给所述处理液之间的间隔。
[0044]通过改变供给成形用溶剂与供给处理液之间的间隔，能够调整在基板上与处理液接触的成形用溶剂的量。因而，通过控制部根据成形用溶剂的挥发性及供给量来调整成形用溶本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基板处理方法，用于在基板表面的周缘部形成处理膜，该基板处理方法包括：向所述周缘部供给用于形成所述处理膜的处理液；以及使被供给到所述基板表面中的比被供给所述处理液的区域更靠内侧的区域的成形用溶剂与被供给到所述周缘部的所述处理液的靠所述基板的中央侧的边界接触。2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，所述成形用溶剂的挥发性比所述处理液中包含的溶剂的挥发性低。3.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，在供给所述处理液之前还包括向所述基板表面供给所述成形用溶剂。4.根据权利要求3所述的基板处理方法，其中，还包括：在供给所述成形用溶剂期间，一边使所述基板旋转一边供给所述成形用溶剂，在供给所述成形用溶剂之后且供给所述处理液之前，使所述基板的转速减小。5.根据权利要求3所述的基板处理方法，其中，根据所述成形用溶剂的挥发性及供给量，来决定供给所述成形用溶剂与供给所述处理液之间的间隔。6.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，...
【专利技术属性】
技术研发人员：甲斐亚希子，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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