【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置
[0001]本公开涉及一种半导体装置。
技术介绍
[0002]已知在闪存等半导体装置中，存在一种为了提高集成度而三维地配置存储单元的构造。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：美国专利申请公开第2015/0155297号说明书
技术实现思路
[0006]专利技术所要解决的问题
[0007]本公开提供一种能抑制电极与电荷储存膜之间的电子的漏泄的半导体装置。
[0008]用于解决问题的方案
[0009]本公开的一个方案的半导体装置具备电荷储存膜、电极、第一阻挡膜以及第二阻挡膜。第一阻挡膜设于电荷储存膜与电极之间。第二阻挡膜设于第一阻挡膜与电荷储存膜之间。此外，第一阻挡膜为包含钽的氧化膜，第一阻挡膜的介电常数比第二阻挡膜的介电常数大。
[0010]专利技术效果
[0011]根据本公开的各种方面和实施方式，能抑制电极与电荷储存膜之间的电子的漏泄。
附图说明
[0012]图1是表示本公开的第一...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，具备：电荷储存膜；电极；第一阻挡膜，设于所述电荷储存膜与所述电极之间；以及第二阻挡膜，设于所述第一阻挡膜与所述电荷储存膜之间，所述第一阻挡膜为包含钽的氧化膜，所述第一阻挡膜的介电常数比所述第二阻挡膜的介电常数大。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二阻挡膜中包含：第三阻挡膜，由氧化铝构成；以及第四阻挡膜，由氧化硅构成，所述第三阻挡膜配置于...
【专利技术属性】
技术研发人员：中村源志，铃木启介，青木公也，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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