本发明专利技术提供在驱动部位也能够准确地测量压力的基板处理装置和中继构件的驱动方法。基板处理装置具有腔室、屏蔽构件以及中继构件。腔室具有利用导入的气体执行对基板的处理的处理室和对处理室内的气体进行排气的排气室。屏蔽构件设于腔室的侧壁附近的至少局部，屏蔽构件将处理室与排气室隔开，并且在屏蔽构件的与腔室的侧壁平行的壁面的局部具有连通处理室和排气室的孔，屏蔽构件能够在上下方向上驱动。中继构件为中空，中继构件与连接于腔室的外部的计量仪器的配管连接，中继构件能够在水平方向上驱动，在屏蔽构件到达了上端时，中继构件被向腔室的中心方向驱动，从而中继构件的中心方向侧的端部与屏蔽构件连接，并且借助孔连通处理室和配管。连通处理室和配管。连通处理室和配管。
【技术实现步骤摘要】
基板处理装置和中继构件的驱动方法
[0001]本公开涉及基板处理装置和中继构件的驱动方法。
技术介绍
[0002]以往，公知有利用导入的气体对基板实施期望的处理的基板处理装置。基板处理装置包括腔室，该腔室具有：载置基板并供气体导入的处理室和对处理室内的气体进行排气的排气室。在腔室内设有沉积物屏蔽件，以防止在蚀刻等处理中生成的沉淀物(沉积物)附着于腔室的内壁。沉积物屏蔽件在腔室内将处理室与排气室隔开。在基板处理装置中，在实施期望的处理时，进行测量并控制作为表示处理室内的状态的值的压力，以符合处理条件。为了在设有沉积物屏蔽件的状态下准确地测量腔室内的处理室的压力，提案有在压力计的导入部设置套筒的方案。
[0003]另外，在腔室设有用于送入送出基板的开口部，并配置有开闭开口部的闸阀。因此，在沉积物屏蔽件上与腔室的开口部的位置对应地设有闸门，该闸门能够通过上下驱动而开口。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开2015－119069号公报
[0007]专利文献2：日本特开2015－126197号公报
技术实现思路
[0008]专利技术要解决的问题
[0009]本公开提供即使在驱动部位也能够准确地测量处理室内的状态的基板处理装置和中继构件的驱动方法。
[0010]用于解决问题的方案
[0011]本公开的一技术方案的基板处理装置具有腔室、屏蔽构件以及中继构件。腔室具有利用导入的气体执行对基板的处理的处理室和对处理室内的气体进行排气的排气室。屏蔽构件设于腔室的侧壁附近的至少局部，该屏蔽构件将处理室与排气室隔开，并且在该屏蔽构件的与腔室的侧壁平行的壁面的局部具有连通处理室和排气室的孔，该屏蔽构件能够在上下方向上驱动。中继构件为中空，该中继构件与连接于腔室的外部的计量仪器的配管连接，该中继构件能够在水平方向上驱动，在屏蔽构件到达了上端时，该中继构件向腔室的中心方向被驱动，从而该中继构件的中心方向侧的端部与屏蔽构件连接，并且借助孔连通处理室和配管。
[0012]专利技术的效果
[0013]根据本公开，即使在驱动部位也能够准确地测量处理室内的状态。
附图说明
[0014]图1是表示本公开的一实施方式的基板处理装置的一个例子的图。
[0015]图2是表示本实施方式的套筒驱动机构的截面的一个例子的局部放大图。
[0016]图3是表示本实施方式的屏蔽构件的与套筒接触的面的一个例子的图。
[0017]图4是表示本实施方式的屏蔽构件与套筒之间的O形密封圈的配置的一个例子的图。
[0018]图5是表示本实施方式的屏蔽构件与套筒之间的O形密封圈的配置的另一例子的图。
[0019]图6是表示本实施方式的套筒驱动机构的动作的一个例子的图。
[0020]图7是表示本实施方式的套筒的驱动处理的一个例子的流程图。
[0021]图8是表示变形例1的套筒驱动机构的截面的一个例子的局部放大图。
[0022]图9是表示变形例2的套筒驱动机构的截面的一个例子的局部放大图。
[0023]图10是表示变形例3的套筒驱动机构的截面的一个例子的局部放大图。
[0024]图11是表示变形例4～7的屏蔽构件的与套筒接触的面的一个例子的图。
[0025]图12是表示变形例4的屏蔽构件与套筒之间的O形密封圈的配置的一个例子的图。
[0026]图13是表示变形例5的屏蔽构件与套筒之间的O形密封圈的配置的一个例子的图。
[0027]图14是表示变形例6的屏蔽构件与套筒之间的O形密封圈的配置的一个例子的图。
[0028]图15是表示变形例7的屏蔽构件与套筒之间的O形密封圈的配置的一个例子的图。
[0029]图16是表示变形例8～12的屏蔽构件的与套筒接触的面的一个例子的图。
[0030]图17是表示变形例8的屏蔽构件与套筒之间的O形密封圈的配置的一个例子的图。
[0031]图18是表示变形例9的屏蔽构件与套筒之间的O形密封圈的配置的一个例子的图。
[0032]图19是表示变形例10的屏蔽构件与套筒之间的O形密封圈的配置的一个例子的图。
[0033]图20是表示变形例11的屏蔽构件与套筒之间的O形密封圈的配置的一个例子的图。
[0034]图21是表示轴密封的情况下的O形密封圈的保持方法的一个例子的图。
[0035]图22是表示套筒的顶端部的形状的一个例子的图。
[0036]图23是表示变形例12的屏蔽构件与套筒的连接的一个例子的图。
[0037]图24是表示变形例13的屏蔽构件与套筒的连接的一个例子的图。
具体实施方式
[0038]以下，基于附图详细地说明公开的基板处理装置和中继构件的驱动方法的实施方式。此外，公开技术并不限定于以下的实施方式。
[0039]在基板处理装置中，要求根据处理条件在多个部位测量作为表示处理室内的状态的值的压力。该情况下，由于无法在上下驱动的闸门设置以往的套筒，因此，若沉积物屏蔽件的闸门较大，则会限制套筒的设置场所，而难以测量期望的压力。于是，期望在像沉积物屏蔽件的闸门等这样的驱动部位，也能够准确地测量处理室内的状态(例如压力)。
[0040][基板处理装置的结构][0041]图1是表示本公开的一实施方式的基板处理装置的一个例子的图。此外，以下，以
基板处理装置是等离子体处理装置的情况为例进行说明，但并不限定于此，也可以是具有上下驱动的闸门构件、沉积物屏蔽件等的任意的基板处理装置。
[0042]在图1中，等离子体处理装置1构成为电容耦合型平行平板等离子体蚀刻装置，例如，该等离子体处理装置1包括由表面进行了铝阳极化处理(阳极氧化处理)的铝形成的圆筒形的腔室(处理室)10。腔室10安全接地。但是，并不限定于此，等离子体处理装置1并不限定于电容耦合型平行平板等离子体蚀刻装置，还可以是电感耦合等离子体ICP(Inductively Coupled Plasma)、微波等离子体、磁控等离子体等任意的形式的等离子体处理装置。
[0043]在腔室10的底部隔着陶瓷等的绝缘板11配置有圆柱状的基座支承台12，在该基座支承台12之上配置有导电性的例如由铝等形成的基座13。基座13具有作为下部电极发挥功能的结构，用于载置被实施蚀刻处理的基板，例如作为半导体晶圆的晶圆W。
[0044]在基座13的上表面配置有用于利用静电吸附力保持晶圆W的静电卡盘(ESC)14。静电卡盘14包括由导电膜形成的电极板15和夹持电极板15的一对绝缘层，该绝缘层例如是Y2O3、Al2O3、AlN等电介质，在电极板15借助连接端子电连接有直流电源16。该静电卡盘14在由直流电源16施加的直流电压引起的库仑力或约翰逊
‑
拉别克(Johnsen
‑
Rahbek)力的作用下吸附保持晶圆W。
[0045]另外，在静电卡盘14的本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置，其中，该基板处理装置具有：腔室，其具有利用导入的气体执行对基板的处理的处理室和对所述处理室内的气体进行排气的排气室；屏蔽构件，其设于所述腔室的侧壁附近的至少局部，该屏蔽构件将所述处理室与所述排气室隔开，并且在该屏蔽构件的与所述腔室的侧壁平行的壁面的局部具有连通所述处理室和所述排气室的孔，该屏蔽构件能够在上下方向上驱动；以及中空的中继构件，其与连接于所述腔室的外部的计量仪器的配管连接，该中继构件能够在水平方向上驱动，在所述屏蔽构件到达了上端时，该中继构件被向所述腔室的中心方向驱动，从而该中继构件的所述中心方向侧的端部与所述屏蔽构件连接，并且借助所述孔连通所述处理室和所述配管。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，在供所述中继构件接触的所述壁面，在小于所述中继构件的内径的范围内设有一个或多个所述孔。3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，所述屏蔽构件在供所述中继构件接触的所述壁面的外侧设有能够供所述中继构件的所述中心方向侧的所述端部插入的凹部。4.根据权利要求1～3中任一项所述的基板处理装置，其中，在供所述中继构件接触的所述壁面、或所述中继构件的所述中心方向侧的端部具有O形密封圈，在所述中继构件的所述中心方向侧的所述端部与所述壁面接触的情况下，利用所述O形密封圈将所述处理室与所述排气室之间密封。5.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，在所述凹部的侧面、或所述中继构件的所述中心方向侧的所述端部的外侧具有O形密封圈，在所述中继构件的所述中心方向侧的所述端部插入于所述凹部的情况下，利用所述O形密封圈将所述处理室与所述排气室之间密封。6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述孔为能够供所述中继构件的所述中心方向侧的所述端部插入的贯通孔。7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其中，所述中继构件的所述中心方向侧的所述端部的端面为袋状，在所述端面具有一个或多个孔。8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其中，所述中继构件的所述中心方向侧的所述端部具有在该端部插入于所述贯通孔的状态下与所述壁面接触的止挡件。9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其中，在供所述止挡件接触的所述壁面、或所述止挡件的与所述壁面接触的面具有O形密封圈，在所述中继构件的所述中心方向侧的所述端部插入于所述贯通孔的情况下，利用所述O形密封圈将所述处理室与所述排气室之间密...
【专利技术属性】
技术研发人员：佐佐木信峰，松浦伸，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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