高频供电部件以及等离子体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种高频供电部件,其降低高频的传输路径中的热负载。该高频供电部件用于供给高频电力,其具有:内部导体,其形成中空；以及外部导体,其以包围上述内部导体的方式配置,在上述内部导体和上述外部导体的至少一者的壁面的内部设有制冷剂流路。的壁面的内部设有制冷剂流路。的壁面的内部设有制冷剂流路。

【技术实现步骤摘要】
高频供电部件以及等离子体处理装置


[0001]本专利技术涉及高频供电部件以及等离子体处理装置。

技术介绍

[0002]例如,专利文献1公开了具有将第一高频电源以及第二高频电源与下部电极电连接的高频供电部件,且向下部电极施加高频电力的等离子体处理装置。
[0003]<现有技术文献>
[0004]<专利文献>
[0005]专利文献1:日本国特开2019
‑
21803号公报

技术实现思路

[0006]<本专利技术要解决的问题>
[0007]本专利技术提供一种能够降低高频传输路径中的热负载的技术。
[0008]<用于解决问题的手段>
[0009]根据本专利技术的一个方式,提供一种高频供电部件,其用于供给高频电力,该高频供电部件具有:内部导体，其形成中空；以及外部导体,其以包围上述内部导体的方式配置,在上述内部导体和上述外部导体的至少一者的壁面的内部设有制冷剂流路。
[0010]<专利技术的效果>
[0011]根据一个方面,能够降低高频传输路径中的热负载。
附图说明
[0012]图1是概略示出一个实施方式的等离子体处理装置的图。
[0013]图2是示出一个实施方式的高频供电部件的图。
[0014]图3是示出一个实施方式的制冷剂流路内的突起的一个例子的图。
>[0015]图4是示出一个实施方式的高频供电部件的造型中使用的3D打印机的一个例子的图。
具体实施方式
[0016]以下,参照附图对用于实施本专利技术的方式进行说明。在各附图中,对相同构成部分付与相同附图标记,有时省略重复的说明。
[0017][等离子体处理装置][0018]对于一个实施方式的等离子体处理装置10中,使用图1进行说明。图1是概略示出一个实施方式的等离子体处理装置10的图。图1所示等离子体处理装置10为电容耦合型等离子体处理装置。
[0019]等离子体处理装置10包括腔室主体12。腔室主体12具有大致圆筒形状,并且将其内部空间作为腔室12c进行提供。腔室主体12由例如铝或不锈钢形成。腔室主体12接地。在
腔室主体12的内壁面、即用于界定腔室12c的壁面上形成有具有耐等离子体性的膜。该膜可以为通过阳极氧化处理形成的膜或由氧化钇形成的膜这样的陶瓷制的膜。在腔室主体12的侧壁上形成有开口12p。以半导体晶圆为一个例子的基板W搬入腔室12c时或者自腔室12c搬出时,通过开口12p。在腔室主体12的侧壁上安装有用于对开口12p进行开闭的门阀12g。需要说明的是,基板W可以为例如由硅这样的材料形成的大致圆盘形状的板。
[0020]在腔室12c内设有工作台14。工作台14在腔室12c内以用于支承基板W的方式构成。工作台14由支承部15支承。在一个实施方式中,支承部15具有第一部件15a以及第二部件15b。第一部件15a由陶瓷这样的绝缘体形成。第一部件15a具有大致圆筒形状。第一部件15a自腔室主体12的底部向上方延伸。第二部件15b设于第一部件15a的上端之上。第二部件15b由陶瓷这样的绝缘体形成。第二部件15b具有大致环状板形状。即,第二部件15b具有在其中央开口的大致圆盘形状。工作台14配置于第二部件15b之上。工作台14和支承部15以确保腔室主体12内的空间的气密的方式结合在一起。
[0021]筒状部16自腔室主体12的底部向上方延伸。筒状部16由导体形成,具有大致圆筒形状。筒状部16沿支承部15的第一部件15a的外周延伸。筒状部16的电位被设定为接地电位。在筒状部16的上方设有绝缘部件17。绝缘部件17由石英这样的绝缘体形成,具有大致圆筒形状。绝缘部件17沿工作台14以及支承部15的第二部件15b的外周延伸。在筒状部16和腔室主体12的侧壁之间,以及在绝缘部件17和腔室主体12的侧壁之间,形成有排气路径18。
[0022]在排气路径18中设有挡板19。挡板19具有大致环状板形状。挡板19可以通过例如在铝制的母材上覆盖氧化钇等的陶瓷而构成。在挡板19上形成有许多贯通孔。挡板19的内缘部保持于筒状部16和绝缘部件17之间。挡板19的外缘部与腔室主体12的侧壁结合。在挡板19的下方,排气管20与腔室主体12的底部连接。排气管20与排气装置22连接。排气装置22具有自动圧力控制阀这样的圧力控制器、以及涡轮分子泵等的真空泵,能够对腔室12c进行减压。
[0023]等离子体处理装置10还包括上部电极30。上部电极30设于工作台14的上方。上部电极30与部件32一同关闭腔室主体12的上部开口。部件32具有绝缘性。上部电极30借助部件32被支承于腔室主体12的上部。需要说明的是,在后述第一高频电源与工作台14的下部电极电连接的情况下,上部电极30的电位被设定为接地电位。
[0024]上部电极30包括顶板34以及支承体36。顶板34的下表面界定腔室12c。在顶板34上设有多个气体喷出孔34a。多个气体喷出孔34a各自在板厚方向(垂直方向)贯通顶板34。该顶板34不作限定,但是例如由硅形成。或者,顶板34可以具有在铝制的母材的表面设置耐等离子体性的膜的构造。该膜可以为通过阳极氧化处理形成的膜或由氧化钇形成的膜这样的陶瓷制的膜。
[0025]支承体36是以装卸自如的方式支承顶板34的部件。支承体36可以由例如铝这样的导电性材料形成。在支承体36的内部设有气体扩散室36a。多个气体孔36b自气体扩散室36a向下方延伸。多个气体孔36b与多个气体喷出孔34a分别连通。在支承体36中形成有用于向气体扩散室36a导入气体的气体导入口36c,该气体导入口36c与气体供给管38连接。
[0026]气体供给管38经由阀组42以及流量控制器组44与气体源组40连接。气体源组40包括多个气体源。阀组42包括多个阀,流量控制器组44包括多个流量控制器。流量控制器组44的多个流量控制器分别为质量流量控制器或圧力控制式的流量控制器。气体源组40的多个
气体源分别经由阀组42的对应的阀以及流量控制器组44的对应的流量控制器与气体供给管38连接。等离子体处理装置10能够将来自气体源组40的多个气体源中的被选择的一个以上的气体源的气体以个别调整后的流量供给至腔室12c。
[0027]等离子体处理装置10还包括控制部90。控制部90是包括处理器、存储装置、输入装置、显示装置等的计算机,其控制等离子体处理装置10的各部分。具体而言,控制部90执行在存储装置中存储的控制程序,基于在该存储装置中存储的方案数据对等离子体处理装置10的各部分进行控制。通过基于该控制部90的控制,在等离子体处理装置10中,由方案数据指定的工艺被执行。
[0028][高频供电部件][0029]以下,对工作台14、以及与该工作台14相关联的等离子体处理装置10的构成要素进行详细说明。以下,与图1一同参照图2。图2的(本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高频供电部件,其用于供给高频电力,该高频供电部件具有:内部导体,其形成中空；以及外部导体,其以包围上述内部导体的方式配置,在上述内部导体和上述外部导体的至少一者的壁面的内部设有制冷剂流路。2.根据权利要求1所述的高频供电部件,其中,上述内部导体用于向负载供给上述高频,上述外部导体设置为用于使自上述负载反馈的上述高频向接地电位区域返回。3.根据权利要求1或2所述的高频供电部件,其中,上述制冷剂流路为螺旋构造。4.根据权利要求3所述的高频供电部件,其中,在上述制冷剂流路的内部形成有突起。5.根据权利要求4所述的高频供电部件,其中,上述突起为格子状、柱状或凸片状的部件。6.根据权利要求1～5中任一项所述的高频供电部件,...

【专利技术属性】
技术研发人员：斋藤道茂，长畑阳介，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：