基板处理装置和喷射器的安装方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供基板处理装置和喷射器的安装方法。提供能够抑制喷射器的倾斜的技术。本公开的一形态所涉及的基板处理装置包括：处理容器，其具有大致圆筒形状；喷射器，其沿着所述处理容器的内壁内侧在铅垂方向上延伸设置；以及保持部，其将所述喷射器向所述内壁内侧推压而将其保持。将其保持。将其保持。

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置和喷射器的安装方法


[0001]本公开涉及基板处理装置和喷射器的安装方法。

技术介绍

[0002]公知有一种基板处理装置，该基板处理装置包括：处理容器，其收容搭载基板的舟皿；以及喷射器，其位于该处理容器的附近，沿着该处理容器的内壁在铅垂方向上延伸设置并且沿长度方向具有多个气体孔(例如参照专利文献1)。在该基板处理装置中，气体孔朝向处理容器的位于该喷射器附近的内壁。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2019－186335号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的问题
[0007]本公开提供一种能够抑制喷射器的倾斜的技术。
[0008]用于解决问题的方案
[0009]本公开的一技术方案所涉及的基板处理装置包括：处理容器，其具有大致圆筒形状；喷射器，其沿着所述处理容器的内壁内侧在铅垂方向上延伸设置；以及保持部，其将所述喷射器向所述内壁内侧推压而将其保持。
[0010]专利技术的效果
[0011]根据本公开，能够抑制喷射器的倾斜。
附图说明
[0012]图1是表示实施方式的基板处理装置的一个例子的概略图。
[0013]图2是放大地表示图1的基板处理装置的上部的局部的立体图。
[0014]图3是放大地表示图1的基板处理装置的上部的局部的剖视图(1)。
[0015]图4是放大地表示图1的基板处理装置的上部的局部的剖视图(2)。
[0016]图5是放大地表示图1的基板处理装置的下部的局部的立体图。
[0017]图6是将图5中的区域A放大后的图。
[0018]图7是表示推压部的变形例的图。
[0019]图8是表示图7的推压部的动作的一个例子的图。
具体实施方式
[0020]以下，参照附图说明本公开的非限定性的例示的实施方式。在附加的全部附图中，对相同或对应的构件或部件标注相同或对应的附图标记，并省略重复的说明。
[0021]〔基板处理装置〕
[0022]参照图1～图6说明实施方式的基板处理装置的一个例子。图1是表示实施方式的基板处理装置的一个例子的概略图。图2是放大地表示图1的基板处理装置的上部的局部的立体图。图3是放大地表示图1的基板处理装置的上部的局部的剖视图，表示比喷射器所配设的高度靠上方且由穿过内管的水平面剖切后的截面。图4是放大地表示图1的基板处理装置的上部的局部的剖视图，表示由穿过喷射器的水平面剖切后的截面。图5是放大地表示图1的基板处理装置的下部的局部的立体图。图6是将图5中的区域A放大后的图。
[0023]基板处理装置1包括处理容器10、气体供给部20、排气部30、加热部40、保持部100以及控制部90。
[0024]处理容器10收容舟皿(未图示)。舟皿在高度方向上具有规定间隔地保持多个基板。基板例如可以为半导体晶圆。处理容器10具有内管11和外管12。内管11也被称作内筒，形成为下端开放的有顶的大致圆筒形状。内管11的顶部例如形成为平坦。外管12也被称作外筒，形成为下端开放并覆盖内管11的外侧的有顶的大致圆筒形状。即，外管12的上部封闭。内管11和外管12以同轴状配置而成为双层管构造。内管11和外管12由例如石英等耐热材料形成。
[0025]在内管11的一侧沿着其长度方向(铅垂方向)形成有收容喷射器的喷射器收容部13。对喷射器收容部13而言，例如图2所示，通过使内管11的侧壁的局部朝向外侧突出而形成凸部14，将凸部14内形成为喷射器收容部13。与喷射器收容部13相对地在内管11的位于相反的一侧的侧壁沿着其长度方向(铅垂方向)形成有矩形状的开口部(未图示)。开口部为以能够将内管11内的气体排出的方式形成的气体排出口。开口部通过开口部的铅垂方向上的长度与舟皿的铅垂方向上的长度相同或者长于舟皿的长度地沿铅垂方向分别延伸而形成。
[0026]在外管12的侧壁形成有气体出口15。在外管12的下端的开口部16借助O形密封圈等密封构件安装有盖体(未图示)。盖体能够打开、关闭开口部16，将开口部16气密地堵塞并密闭。
[0027]气体供给部20具有多个气体供给源(未图示)和多个(例如7根)喷射器21～27。
[0028]多个气体供给源向多个喷射器21～27供给各种处理气体。各种处理气体例如包含用于形成膜的成膜气体、用于蚀刻并去除膜的蚀刻气体、用于对处理容器10内进行清洁的清洁气体以及用于对处理容器10内进行吹扫的吹扫气体。
[0029]喷射器21～27位于内管11的内壁内侧的喷射器收容部13，并以沿着周向成为一列的方式互相空开间隔地配设。各喷射器21～27由截面呈圆形的石英管形成，将自多个气体供给源供给的各种处理气体向内管11内喷出。各喷射器21～27位于内管11的内壁内侧，并沿着内管11的长度方向(铅垂方向)配设。各喷射器21～27在下部呈L字状地弯曲并贯穿外管12的侧壁而向对应的气体供给源延伸。各喷射器21～27在上部呈U字状地折回后向下方延伸设置。即，各喷射器21～27构成为折回型的喷射器。以下，将各喷射器21～27中的、沿着内管11的长度方向配设的部分称作导入部21a～27a，将折回后的向下方延伸设置的部分称作喷出部21b～27b。另外，将连接导入部21a～27a和喷出部21b～27b的部分称作弯曲部21c～27c，将沿水平方向配设并贯穿外管12的部分称作水平部21d～27d。
[0030]喷射器21～27包含铅垂方向上的长度不同的喷射器。
[0031]喷射器21～23、27的导入部21a～23a、27a的铅垂方向上的长度相同。另外，喷射器
21～23、27的喷出部21b～23b、27b的铅垂方向上的长度相同。喷出部21b～23b、27b通过喷出部21b～23b、27b的铅垂方向上的长度与舟皿的铅垂方向上的长度相同或者长于舟皿的长度地沿铅垂方向分别延伸而形成。在喷出部21b～23b、27b沿着长度方向以规定的间隔开设有多个气体孔，构成为能够向舟皿的铅垂方向上的全部区域供给各种处理气体。
[0032]对于喷射器24～26，导入部24a～26a的铅垂方向上的长度按照该顺序变长，且分别将喷出部24b～26b配设在处理容器10的下部、中央部以及上部。在喷出部24b～26b沿着长度方向以规定的间隔开设有多个气体孔，构成为能够分别向处理容器10的下部、中央部以及上部供给各种处理气体。此外，各喷射器21～27的铅垂方向上的长度并不限定于此。
[0033]多个气体孔朝向内管11的位于喷射器附近的内壁(以下，有时简称为“内管11的附近的内壁”)侧。各喷出部21b～27b分别借助气体孔将各种处理气体朝向内管11的附近的内壁侧沿水平方向喷出。喷出了的各种处理气体在内管11的附近的内壁反射之后，一边朝向内管11的中心侧(基板侧)沿水平方向扩散一边被供给。
[0034]在此，参照图4说明在喷射器22的喷出部22b开设的气体孔22h的定向角本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置，其中，该基板处理装置包括：处理容器，其具有大致圆筒形状；喷射器，其沿着所述处理容器的内壁内侧在铅垂方向上延伸设置；以及保持部，其将所述喷射器向所述内壁内侧推压而将其保持。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述保持部包含：限制部，其设于第1高度位置，限制所述喷射器的相对于所述处理容器的移动；以及推压部，其设于比所述第1高度位置靠下方的第2高度位置，向所述喷射器的相对于所述处理容器的移动被所述限制部所限制的方向推压所述喷射器。3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述限制部包含：第1钩，其为自所述处理容器的内壁向所述处理容器的中心方向延伸设置并在中心侧朝向所述喷射器弯曲的L字形状；以及卡合部，其自所述喷射器向所述第1钩那侧延伸设置并能够与所述第1钩卡合。4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，所述卡合部具有与所述第1钩卡合的锥面。5.根据权利要求2～4中任一项所述的基板处理装置，其中，所述推压部包含：第2钩，其为自所述处理容器的内壁向所述处理容器的中心方向延伸设置并在中心侧朝向所述喷射器弯曲的L字形状；以及止挡件，其插入于所述喷射...

【专利技术属性】
技术研发人员：竹内千明，岛田光一，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：