本发明专利技术提供一种基板处理装置和基板处理方法，能够高效地蚀刻基板上的贵金属膜。本公开的一个方式的基板处理装置具备基板旋转部、处理液供给部、阳极及阴极、以及控制部。基板旋转部保持基板并且使该基板旋转。处理液供给部向被基板旋转部保持的基板供给处理液。阳极及阴极向被从处理液供给部供给的处理液施加电压。控制部控制各部。另外，控制部进行控制，以使阳极和阴极分别独立地与处理液接触，并且在基板的旋转时，将与阳极接触的处理液和与阴极接触的处理液以相分离的状态供给至基板。接触的处理液以相分离的状态供给至基板。接触的处理液以相分离的状态供给至基板。
【技术实现步骤摘要】
基板处理装置和基板处理方法
[0001]本公开的实施方式涉及一种基板处理装置和基板处理方法。
技术介绍
[0002]以往以来，已知一种对形成于半导体晶圆(以下也称作晶圆。)等基板上的钌(Ru)膜等贵金属膜进行蚀刻的技术(参照专利文献1)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：国际公开第2016/068183号
技术实现思路
[0006]专利技术要解决的问题
[0007]本公开提供一种能够高效地蚀刻基板上的贵金属膜的技术。
[0008]用于解决问题的方案
[0009]本公开的一个方式的基板处理装置具备基板旋转部、处理液供给部、阳极及阴极、以及控制部。基板旋转部保持基板，并且使该基板旋转。处理液供给部向被所述基板旋转部保持的所述基板供给处理液。阳极及阴极向被从所述处理液供给部供给的所述处理液施加电压。控制部控制各部。另外，所述控制部进行控制，以使所述阳极和所述阴极分别独立地与所述处理液接触，并且在所述基板的旋转时，将与所述阳极接触的所述处理液和与所述阴极接触的所述处理液以相分离的状态供给至所述基板。
[0010]专利技术的效果
[0011]根据本公开，能够高效地蚀刻基板上的贵金属膜。
附图说明
[0012]图1是表示实施方式所涉及的基板处理系统的概要结构的示意图。
[0013]图2是表示处理单元的具体的结构例的示意图。
[0014]图3是表示实施方式所涉及的处理单元内的处理液供给部和电压施加部的结构的图。
[0015]图4是用于说明实施方式所涉及的蚀刻处理的机制的图。
[0016]图5是表示实施方式所涉及的蚀刻处理的好与坏的图。
[0017]图6是表示实施方式的变形例1所涉及的处理单元内的处理液供给部和电压施加部的结构的图。
[0018]图7是表示实施方式的变形例2所涉及的处理单元内的处理液供给部和电压施加部的结构的图。
[0019]图8是表示实施方式的变形例3所涉及的处理单元内的处理液供给部和电压施加部的结构的图。
[0020]图9是表示实施方式的变形例4所涉及的处理单元内的处理液供给部和电压施加部的结构的图。
[0021]图10是表示实施方式的变形例5所涉及的处理单元内的处理液供给部和电压施加部的结构的图。
[0022]图11是表示实施方式的变形例6所涉及的处理单元内的处理液供给部和电压施加部的结构的图。
[0023]图12是表示实施方式的变形例7所涉及的处理单元内的处理液供给部和电压施加部的结构的图。
[0024]图13是表示实施方式的变形例8所涉及的处理单元内的处理液供给部和电压施加部的结构的图。
[0025]图14是表示实施方式的变形例9所涉及的处理单元内的处理液供给部和电压施加部的结构的图。
[0026]图15是表示实施方式的变形例10所涉及的处理单元内的处理液供给部和电压施加部的结构的图。
[0027]图16是表示实施方式的变形例11所涉及的处理单元内的处理液供给部和电压施加部的结构的图。
[0028]图17是表示实施方式的变形例11所涉及的蚀刻处理的好与坏的图。
[0029]图18是表示实施方式的变形例12所涉及的处理单元内的处理液供给部和电压施加部的结构的图。
[0030]图19是表示实施方式所涉及的基板处理系统执行的基板处理的过程的流程图。
[0031]附图标记说明
[0032]W：晶圆；Wa：周缘部；1：基板处理系统(基板处理装置的一例)；16：处理单元；18：控制部；30：基板旋转部；40：处理液供给部；41a、41b：喷嘴；41c：液保持部(液保持构件的一例)；60：电压施加部；61：阳极；62：阴极；66：多孔体(液保持构件的一例)；70：气体喷嘴；80：光源；L：处理液；G：间隙。
具体实施方式
[0033]在下面参照附图来详细地说明本申请公开的基板处理装置和基板处理方法的实施方式。此外，并不通过在以下示出的实施方式来限定本公开。另外，需要留意的是，附图是示意性的，各要素的尺寸的关系、各要素的比率等有时与实际不同。并且，附图之间有时也包括彼此的尺寸的关系、比率不同的部分。
[0034]以往以来，已知一种对形成于半导体晶圆(在以下也称作晶圆。)等基板上的钌(Ru)膜等贵金属膜进行蚀刻的技术。然而，现有技术在使贵金属膜的蚀刻速率提高这个方面还存在进一步改善的余地。
[0035]因此，期待能够克服上述的问题点来高效地蚀刻基板上的贵金属膜的技术的实现。
[0036]<基板处理系统的概要>
[0037]首先，参照图1来说明实施方式所涉及的基板处理系统1的概要结构。图1是表示实施方式所涉及的基板处理系统1的概要结构的图。此外，基板处理系统1是清洗装置的一例。
在下面，为了明确位置关系，规定彼此正交的X轴、Y轴和Z轴，并且将Z轴正方向设为铅垂向上方向。
[0038]如图1所示，基板处理系统1具备搬入搬出站2和处理站3。搬入搬出站2和处理站3相邻地设置。
[0039]搬入搬出站2具备承载件载置部11和搬送部12。在承载件载置部11载置多个承载件C，所述多个承载件C以水平状态收容多张基板、在实施方式中为半导体晶圆W(在以下称作晶圆W。)。
[0040]搬送部12与承载件载置部11相邻地设置，并且在所述搬送部12的内部具备基板搬送装置13和交接部14。基板搬送装置13具备保持晶圆W的晶圆保持机构。另外，基板搬送装置13能够沿水平方向和铅垂方向移动，并且能够以铅垂轴为中心转动，使用晶圆保持机构在承载件C与交接部14之间进行晶圆W的搬送。
[0041]处理站3与搬送部12相邻地设置。处理站3具备搬送部15和多个处理单元16。多个处理单元16在搬送部15的两侧排列设置。
[0042]在搬送部15的内部具备基板搬送装置17。基板搬送装置17具备保持晶圆W的晶圆保持机构。另外，基板搬送装置17能够沿水平方向和铅垂方向移动，并且能够以铅垂轴为中心转动，使用晶圆保持机构在交接部14与处理单元16之间进行晶圆W的搬送。
[0043]处理单元16对由基板搬送装置17搬送来的晶圆W进行规定的基板处理。
[0044]另外，基板处理系统1具备控制装置4。控制装置4例如为计算机，并且具备控制部18和存储部19。在存储部19中保存用于控制在基板处理系统1中执行的各种处理的程序。控制部18通过读出并且执行存储于存储部19的程序来控制基板处理系统1的动作。
[0045]此外，也可以是，该程序记录在可由计算机读取的存储介质中，并且从该存储介质安装至控制装置4的存储部19中。作为可由计算机读取的存储介质，例如具有硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。
[0046]在如上述的那样构成的基板处理系统1中，首先，搬入搬出站本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置，具备：基板旋转部，其保持基板，并且使所述基板旋转；处理液供给部，其向被所述基板旋转部保持的所述基板供给处理液；阳极及阴极，所述阳极及所述阴极向被从所述处理液供给部供给的所述处理液施加电压；以及控制部，其控制各部，其中，所述控制部进行控制，以使所述阳极和所述阴极分别独立地与所述处理液接触，并且在所述基板的旋转时，将与所述阳极接触的所述处理液和与所述阴极接触的所述处理液以相分离的状态供给至所述基板。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，还具备气体喷嘴，所述气体喷嘴向与所述阳极接触的所述处理液和与所述阴极接触的所述处理液之间喷出气体。3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，所述阳极和所述阴极中的至少一方与构成为能够保持液体的液保持构件所保持的所述处理液直接或间接地接触。4.根据权利要求3所述的基板处...
【专利技术属性】
技术研发人员：樋口伦太郎，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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