基板处理系统、基板处理方法以及控制装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种基板处理系统、基板处理方法以及控制装置，能够更有效地抑制处理结果的变动。基板处理系统具有对基板进行处理的处理模块、向处理模块重复搬送多个基板的搬送机构、以及控制处理模块中的对基板的处理的控制装置。控制装置用于基于工艺制程来进行处理模块中的处理，并且所述控制装置具有针对工艺制程的步骤的步骤时间设定偏置时间的功能，所述偏置时间是与通过处理模块进行了处理的基板张数对应的函数、或者是同与进行了处理的基板张数相当的参数对应的函数。张数相当的参数对应的函数。张数相当的参数对应的函数。

【技术实现步骤摘要】
基板处理系统、基板处理方法以及控制装置


[0001]本公开涉及一种基板处理系统、基板处理方法以及控制装置。

技术介绍

[0002]在半导体制造工艺中，为了得到稳定的处理结果，使用各种工艺参数来进行控制。例如，在专利文献1中记载了在CVD成膜过程中通过控制用于载置晶圆(基板)的载置台的温度来对基板进行温度控制。在引用文献1中记载了当对多张晶圆(基板)重复进行成膜处理时，在处理容器的内壁等也附着有膜，这使得内部的热反射率下降，在温度设定为初始状态的情况下基板温度达不到目标温度，因此对设定温度值进行校准。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2004
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79985号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的问题
[0007]本公开提供一种能够更有效地抑制处理结果的变动的基板处理系统、基板处理方法以及控制装置。
[0008]用于解决问题的方案
[0009]本公开的一个方式所涉及的基板处理系统对多个基板进行处理，所述基板处理系统具有：处理模块，其对基板进行处理；搬送机构，其向所述处理模块重复搬送多个基板；以及控制装置，其控制所述处理模块中的对基板的处理，其中，所述控制装置用于基于工艺制程来执行所述处理，所述工艺制程是用于执行所述处理的控制程序，并且所述控制装置具有针对所述工艺制程的步骤的步骤时间设定偏置时间的功能，所述偏置时间是与通过所述处理模块进行了处理的基板张数对应的函数、或者是同与进行了处理的基板张数相当的参数对应的函数。
[0010]专利技术的效果
[0011]根据本公开，提供一种能够更有效地抑制处理结果的变动的基板处理系统、基板处理方法以及控制装置。
附图说明
[0012]图1是概要性地表示一个实施方式所涉及的基板处理系统的示意图。
[0013]图2是表示搭载于图1的基板处理系统的处理模块(PM)的一例的截面图。
[0014]图3是表示图1的基板处理系统的控制装置的框图。
[0015]图4是表示偏置时间设定画面的一例的图。
[0016]图5是表示通过对设置于图4的偏置时间设定画面中的表切换按钮进行触摸或点击而显示的选择画面的图。
[0017]图6是示意性地表示在图4的偏置时间设定画面中设定的实际的偏置时间的图。
[0018]附图标记说明
[0019]1～4：处理模块(PM)；5：真空搬送室；6：加载互锁真空室；8：大气搬送室；12：真空搬送装置；16：大气搬送装置；20：控制装置；31：腔室；32：载置台；33：加热器；35：排气机构；38：气体喷淋头；41：气体供给部；43：高频电源；100：基板处理系统；F：前开式晶圆传送盒；G、G1、G2：闸阀；W：晶圆(基板)。
具体实施方式
[0020]下面，参照附图来说明实施方式。
[0021]<基板处理系统>
[0022]图1是概要性地表示一个实施方式所涉及的基板处理系统的示意图。
[0023]基板处理系统100对多个基板重复进行处理。作为这样的基板处理，能够列举成膜处理，特别是利用CVD法进行的成膜处理、例如形成Ti膜和TiN膜的层叠膜的成膜处理(Ti
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TiN膜成膜处理)。关于基板并无特别限定，但在以下的说明中以将半导体晶圆(晶圆)用作基板的情况为例进行说明。
[0024]如图1所示，基板处理系统100具备四个处理模块(PM)1、2、3、4，这些处理模块(PM)1～4分别与呈六边形的真空搬送室5的四个边所对应的壁部相对应地设置。通过真空泵(未图示)对真空搬送室5内进行排气，来使真空搬送室5内保持为规定的真空度。关于处理模块(PM)1、2、3、4，例示进行如上述那样的成膜处理的处理模块，在进行Ti
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TiN膜成膜处理的情况下，处理模块(PM)1～4中的两个处理模块用于进行Ti膜成膜，另外两个处理模块用于进行TiN膜成膜。处理模块(PM)1～4在真空气氛下进行处理。在后文中叙述处理模块(PM)1～4。
[0025]另外，在真空搬送室5的另外的壁部连接有两个加载互锁真空室6。在两个加载互锁真空室6的与真空搬送室5相反的一侧连接有大气搬送室8。当在大气搬送室8与真空搬送室5之间搬送晶圆W时，加载互锁真空室6在大气压与真空之间进行压力控制。此外，加载互锁真空室6可以为一个，也可以为三个以上。
[0026]在大气搬送室8的与加载互锁真空室6相反的一侧设置有用于安装前开式晶圆传送盒(FOUP)的三个端口9、10、11，所述前开式晶圆传送盒(FOUP)为收容晶圆W的容器。在大气搬送室8的上部设置有用于形成清洁空气的下降流的过滤器(未图示)。
[0027]如该图所示，处理模块(PM)1～4经由闸阀G而与同真空搬送室5的各壁部对应的壁部连接，通过将这些对应的闸阀G打开来使这些处理模块(PM)1～4与真空搬送室5连通，通过将对应的闸阀G关闭来使这些处理模块(PM)1～4与真空搬送室5断开。另外，两个加载互锁真空室6经由第一闸阀G1而与真空搬送室5的其余的各壁部连接，另外，经由第二闸阀G2而与大气搬送室8连接。
[0028]在真空搬送室5内设置有针对处理模块(PM)1～4、加载互锁真空室6进行晶圆W的搬入搬出的真空搬送装置12。该真空搬送装置12具有配设于真空搬送室5的大致中央的基部13、以及基端部安装于基部13的两个多关节臂14。晶圆W以被设置于多关节臂14的前端的手部14a支承的状态进行搬送。
[0029]在大气搬送室8的作为晶圆收纳容器的端口9、10、11分别设置有未图示的挡板，在
这些端口9、10、11中，将收纳有晶圆W的或者空的前开式晶圆传送盒F直接安装于载置台S，在进行了安装时，移除挡板，在防止外气侵入的同时与大气搬送室8连通。另外，在大气搬送室8的侧面设置有对准腔室15，在此处进行晶圆W的对准。
[0030]在大气搬送室8内设置有针对前开式晶圆传送盒F进行晶圆W的搬入搬出以及针对加载互锁真空室6进行晶圆W的搬入搬出的大气搬送装置16。该大气搬送装置16具有两个多关节臂，这两个多关节臂17能够沿前开式晶圆传送盒F的排列方向在导轨18上行驶，在将晶圆W支承于该两个多关节臂17的前端的手部17a上的状态下进行晶圆W的搬送。
[0031]另外，基板处理系统100具有进行工艺的控制的控制装置20。在后文中详细地说明控制装置20。
[0032]在这样的基板处理系统100中，首先，通过大气搬送装置16的支承臂17将晶圆W从与大气搬送室8连接的前开式晶圆传送盒F取出，并搬入大气气氛的加载互锁真空室6。然后，在将被搬入了晶圆W的加载互锁真空室6设为与真空搬送室5对应的真空状态后，通过真空搬送装置12中的任一多关节臂14的手部14a将其中的晶圆W搬入任一处理模块(PM)中。在被搬入了晶圆W的处理模块(PM)中，进行成膜处理等处理。
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板处理系统，对多个基板进行处理，所述基板处理系统具有：处理模块，其对基板进行处理；搬送机构，其向所述处理模块重复搬送多个基板；以及控制装置，其控制所述处理模块中的对基板的处理，其中，所述控制装置用于基于工艺制程来执行所述处理，所述工艺制程是用于执行所述处理的控制程序，并且所述控制装置具有针对所述工艺制程的步骤的步骤时间设定偏置时间的功能，所述偏置时间是与通过所述处理模块进行了处理的基板张数对应的函数、或者是同与进行了处理的基板张数相当的参数对应的函数。2.根据权利要求1所述的基板处理系统，其特征在于，所述函数为二次函数。3.根据权利要求1或2所述的基板处理系统，其特征在于，所述处理模块用于对基板进行成膜处理，与所述进行了处理的基板张数相当的参数为累计膜厚。4.根据权利要求1至3中的任一项所述的基板处理系统，其特征在于，所述控制装置具有显示部，该显示部显示进行处理所需的信息，在所述显示部中显示用于设定所述偏置时间的偏置时间设定画面，在所述偏置时间设定画面中设定所述偏置时间。5.根据权利要求4所述的基板处理系统，其特征在于，所述偏置时间设定画面具有能够按通过所述处理模块进行了处理的基板张数或者按所述参数设定多个阶段的所述偏置时间的表。6.根据权利要求5所述的基板处理系统，其特征在于，所述控制装置具有多个所述工艺制程，针对各所述工艺制程具有所述表，所述偏置时间设定画面能够显示与多个所述工艺制程对应的所述表中的任一个表。7.根据权利要求6所述的基板处理系统，其特征在于，具有多个所述处理模块，多个所述工艺制程与多个所述处理模块中的任一个处理模块对应。8.根据权利要求1至7中的任一项所述的基板处理系统，其特征在于，所述控制装置将所述偏置时间的最小值和/或最大值设定为界限。9.一种基板处理方法，基于工艺制程，通过处理模块对多个基板进行处理，所述工艺制程是用于执行处理的控制程序，所述基板处理方法包括：针对所述工艺制程的步骤的步骤时间设定偏置时间，所述偏置时间是与通过所述处理模块进行了处理的基板张数对应的函数、或者是同与进行了处理的基板张数相当的参数对应的函数；以及基于设定有所述偏置时间的工艺制程来向所述处理模块重复搬送多个基板并对基板进行处理。10.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：宫下晃一，堀川诚，五味晓志，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：