基片处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种基片处理装置，其能够抑制从基片流出的处理液沿着抓持机构和基座板而到达驱动部。本发明专利技术的基片处理装置包括抓持机构和基座板。抓持机构抓持基片的周缘部。基座板位于被抓持机构抓持的基片的下方，用于支承抓持机构。此外，基座板包括液排放孔，该液排放孔用于排出从基片沿着抓持机构而流到基座板的上表面的处理液。的上表面的处理液。的上表面的处理液。

【技术实现步骤摘要】
基片处理装置


[0001]本专利技术涉及一种基片处理装置。

技术介绍

[0002]目前已知一种对半导体晶片等基片供给处理液，来对基片进行处理的基片处理装置。
[0003]专利文献1公开了一种基片处理装置，其包括：保持基片并使其旋转的基片保持部；和对基片保持部所保持的基片供给处理液的供给部。
[0004]基片保持部包括：位于基片下方的基座板(base plate)；设置在基座板的周缘部的抓持机构，其能够抓持基座板的周缘部；和设置在基座板的中央下部的旋转轴，其能够使基座板旋转。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1：日本特开2017
‑
92387号公报

技术实现思路

[0008]专利技术要解决的技术问题
[0009]本专利技术提供一种技术，能够抑制从基片流出的处理液沿着抓持机构和基座板到达驱动部。
[0010]用于解决技术问题的技术方案
[0011]本专利技术的一个技术方案的基片处理装置包括抓持机构和基座板。抓持机构抓持基片的周缘部。基座板位于被抓持机构抓持的基片的下方，用于支承抓持机构。此外，基座板包括液排放孔，该液排放孔用于排出从基片沿着抓持机构而流到基座板的上表面的处理液。
[0012]专利技术效果
[0013]依照本专利技术，能够抑制从基片流出的处理液沿着抓持机构和基座板到达驱动部。
附图说明
[0014]图1是表示实施方式的基片处理系统的概略结构的图。
[0015]图2是表示实施方式的处理单元的概略结构的图。
[0016]图3是表示实施方式的基片保持机构的具体结构的截面图。
[0017]图4是表示在实施方式的基片保持机构将晶片配置于上方位置的状态的图。
[0018]图5是实施方式的基座板的平面图。
[0019]图6是表示实施方式的液排放孔的结构的截面图。
[0020]图7是表示实施方式的回收杯状体的结构的截面图。
[0021]图8是表示实施方式的处理单元执行的一连串基片处理的步骤的流程图。
[0022]图9是表示实施方式的一连串基片处理中晶片的转速变化的图。
[0023]图10是表示第一变形例的保持部的结构的截面图。
[0024]图11是表示第一变形例的第一引导部升降处理的步骤的流程图。
[0025]图12是表示第二变形例的槽部的结构的截面图。
[0026]图13是表示第三变形例的槽部的结构的截面图。
具体实施方式
[0027]下面，参照附图，对用于实施本专利技术的基片处理装置的方式(下文记作“实施方式”)详细地进行说明。此外，本专利技术并不限定于该实施方式。此外，各实施方式能够在处理内容不发生矛盾的范围内适当组合。另外，在以下各实施方式中，对同一部位标注同一附图标记并省略重复的说明。
[0028]另外，在下述的实施方式中，有时会使用“一定”、“正交”、“垂直”或“平行”等表述，但这些表述并不要求严格的“一定”、“正交”、“垂直”或“平行”。即，上述各表述允许例如制造精度、设置精度等误差。
[0029]另外，在下面参照的各图中，为使说明易于理解，有时会给出定义彼此正交的X轴方向、Y轴方向和Z轴方向，并以正Z轴方向为铅垂向上方向的正交坐标系。并且，有时将以铅垂轴为旋转中心的旋转方向称作θ方向。
[0030]专利文献1公开了一种基片处理装置，其包括：保持基片并使其旋转的基片保持部；和对基片保持部所保持的基片供给处理液的供给部。
[0031]基片保持部包括：位于基片下方的基座板；设置在基座板的周缘部的抓持机构，其能够抓持基座板的周缘部；和设置在基座板的中央下部的旋转轴，其能够使基座板旋转。该基片保持部通过用抓持机构抓持基片的周缘部，以将基片保持成与基座板隔开间隔的状态。
[0032]在这种基片处理装置中，尤其在以低转速对基片进行处理的情况下，供给到基片的处理液可能会沿着抓持机构流入基座板的上表面。
[0033]在基座板配置有旋转轴和升降销(lift pin)等各种驱动部。因此，若处理液流入基座板的上表面，流入的处理液可能会从基座板的上表面流到驱动部从而妨碍驱动部的正常工作。
[0034]为此，人们期待一种尤其在以低转速对基片进行处理的情况下，能够抑制从基片流出的处理液沿着抓持机构和基座板到达旋转轴等驱动部。
[0035]＜基片处理系统的概略结构＞
[0036]图1是表示实施方式的基片处理系统的概略结构的图。如图1所示，基片处理系统1包括送入送出站2和处理站3。送入送出站2和处理站3相邻设置。
[0037]送入送出站2包括承载器载置部11和输送部12。在承载器载置部11能够载置承载器C。承载器C能够收纳多片半导体晶片(下文记作晶片W)。
[0038]输送部12与承载器载置部11相邻设置，在内部设有基片输送装置13和交接部14。基片输送装置13包括用于保持晶片W的晶片保持机构。基片输送装置13能够在水平方向和铅垂方向上移动并且以铅垂轴为中心旋转，用晶片保持机构在承载器C与交接部14之间输送晶片W。
[0039]处理站3与输送部12相邻设置。处理站3包括输送部15和多个处理单元16。多个处理单元16并排设置在输送部15的两侧。
[0040]输送部15在内部设置有基片输送装置17。基片输送装置17包括用于保持晶片W的晶片保持机构。基片输送装置17能够在水平方向和铅垂方向上移动并且以铅垂轴为中心旋转，用晶片保持机构在交接部14与处理单元16之间输送晶片W。
[0041]处理单元16对由基片输送装置17输送来的晶片W进行规定的基片处理。
[0042]另外，基片处理系统1包括控制装置4。控制装置4例如是计算机，包括控制部18和存储部19。存储部19中存储有对基片处理系统1中执行的各种处理进行控制的程序。控制部18读取并执行存储于存储部19中的程序，来控制基片处理系统1的动作。
[0043]该程序也可以记录在计算机可读取的存储介质中，从该存储介质被安装到控制装置4的存储部19。作为计算机可读取的存储介质，例如有硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。
[0044]在如上述那样构成的基片处理系统1中，首先，送入送出站2的基片输送装置13从载置于承载器载置部11的承载器C中取出晶片W，将取出的晶片W载置到交接部14。载置于交接部14的晶片W被处理站3的基片输送装置17从交接部14取出，送入到处理单元16。
[0045]送入到处理单元16的晶片W在由处理单元16进行了处理后，被基片输送装置17从处理单元16送出，载置到交接部14。然后，载置于交接部14的已处理的晶片W被基片输送装置13送回承载器载置部11的承载器C。
[0046]＜处理单元的概略结构＞
[0047]下面，参照图2，对处理单元16的概略结构进行说明。图2是表示实施方式的处理单元16本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：抓持基片的周缘部的抓持机构；和基座板，其位于被所述抓持机构抓持的所述基片的下方，用于支承所述抓持机构，所述基座板包括液排放孔，所述液排放孔用于排出从所述基片沿着所述抓持机构而流到所述基座板的上表面的处理液。2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：所述基座板包括设置在所述基座板的上表面并沿所述基片的周向延伸的槽部，所述液排放孔设置在所述槽部。3.如权利要求2所述的基片处理装置，其特征在于：所述基座板包括沿所述周向设置于所述槽部的多个所述液排放孔，位于所述槽部中的第一区域的所述液排放孔彼此的间隔比位于所述槽部中的所述第一区域以外的第二区域的所述液排放孔彼此的间隔小，其中所述第一区域是所述槽部中的所述抓持机构的周边区域。4.如权利要求2或3所述的基片处理装置，其特征在于：所述基座板包括多个所述液排放孔，多个所述液排放孔包括位于所述槽部中的第一区域的第一液排放孔和位于所述槽部中的所述第一区域以外的第二区域的第二液排放孔，其中所述第一区域是所述槽部中的所述抓持机构的周边区域。所述第一液排放孔的开口面积比所述第二液排放孔的开口面积大。5.如权利要求2或3所述的基片处理装置，其特征在于：所述槽部包括位于所述基座板的内周侧的第一周壁和位于所述基座板的外周侧的第二周壁，所述第一周壁的高度比所述第二周壁的高度高。6.如权利要求1～3中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：所述液排放孔包括在所述基座板的上表面开口的...

【专利技术属性】
技术研发人员：池田义谦，平田彻，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：