校正方法和等离子体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种校正方法和等离子体处理装置，用于导出从开始向腔室供给处理气体起至处理气体到达腔室内为止的到达时间。校正方法包括以下工序：开始检测腔室的阻抗，在该腔室的内部设置有用于载置基板的载置台；开始向腔室供给处理气体；以及根据检测到的阻抗的变化来导出从开始向腔室供给处理气体起至处理气体到达腔室内为止的到达时间。体到达腔室内为止的到达时间。体到达腔室内为止的到达时间。

【技术实现步骤摘要】
校正方法和等离子体处理装置


[0001]本公开涉及一种校正方法和等离子体处理装置。

技术介绍

[0002]专利文献1公开了一种将用于生成等离子体的高频电力和偏置用的高频电力控制为具有规定的相位差且用于生成等离子体的高频电力的占空比为偏置用的高频电力的占空比以上之后施加于载置台的技术。另外，专利文献2公开一种稳定且迅速地切换处理气体的技术。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2016
‑
157735号公报
[0006]专利文献2：日本特开2020
‑
4931号公报

技术实现思路

[0007]专利技术要解决的问题
[0008]本公开提供一种导出从开始向腔室供给处理气体起至处理气体到达腔室内为止的到达时间的技术。
[0009]用于解决问题的方案
[0010]本公开的一个方式的校正方法包括以下工序：开始检测腔室的阻抗，在所述腔室的内部设置有用于载置基板的载置台；开始向腔室供给处理气体；以及根据检测的阻抗的变化导出从开始向腔室供给处理气体起至处理气体到达腔室内为止的到达时间。
[0011]专利技术的效果
[0012]根据本公开，能够导出从开始向腔室供给处理气体起至处理气体到达腔室内为止的到达时间。
附图说明
[0013]图1是概要性地表示实施方式所涉及的等离子体处理装置的截面的一例的图。
[0014]图2是表示实施方式所涉及的匹配器和高频电源的结构的一例的图。
[0015]图3是表示实施方式所涉及的匹配器的匹配电路的一例的图。
[0016]图4是表示实施方式所涉及的匹配器的传感器的结构的一例的图。
[0017]图5是表示实施方式所涉及的匹配器和高频电源的结构的一例的图。
[0018]图6是表示实施方式所涉及的匹配器的匹配电路的一例的图。
[0019]图7是表示实施方式所涉及的匹配器的传感器的结构的一例的图。
[0020]图8是表示实施方式所涉及的气体供给系统的概要结构的一例的图。
[0021]图9是表示实施方式所涉及的原子层蚀刻的概要工序的一例的图。
[0022]图10是表示以往的原子层蚀刻的一例的图。
[0023]图11A是表示阻抗的变化的一例的图。
[0024]图11B是表示阻抗的变化的一例的图。
[0025]图12是表示阻抗的变化的一例的图。
[0026]图13是表示实施方式所涉及的校正了处理气体的供给定时的一例的图。
[0027]图14是表示实施方式所涉及的校正了处理气体的供给定时的一例的图。
[0028]图15是说明实施方式所涉及的校正方法的控制流程的一例的图。
[0029]附图标记说明
[0030]10：等离子体处理装置；12：腔室；16：载置台；40：气体箱；61、63：匹配器；62、64：高频电源；100：控制部；101：工艺控制器；101a：导出部；101b：校正部；102：用户接口；103：存储部；110：气体供给系统；W：晶圆。
具体实施方式
[0031]下面，参照附图来详细地说明本申请公开的校正方法和等离子体处理装置的实施方式。此外，并不通过本实施方式来限定公开的校正方法和等离子体处理装置。
[0032]另外，在进行等离子体处理的等离子体处理装置中，有时切换处理气体的供给和高频电力的施加来进行等离子体处理。例如，作为等离子体处理的一种方法，已知一种以原子层单位对基板进行蚀刻的原子层蚀刻(ALE：Atomic Layer Etching)法。在原子层蚀刻中，重复进行使沉积物沉积于基板的成膜工序和通过离子、自由基对基板进行蚀刻的蚀刻工序。切换成膜工序和蚀刻工序的处理气体。等离子体处理装置在从切换处理气体的供给的开始、停止起至在腔室内实际开始、停止进行处理气体的供给为止存在时间滞后，难以使处理气体的切换与高频电力的切换同步，难以高速地进行控制。因此，在以往的原子层蚀刻中，在成膜工序与蚀刻工序之间设置作为切换用的缓冲的工序，这使得工艺的处理期间变长。
[0033]因此，期待一种能够导出从开始向腔室供给处理气体起至处理气体到达腔室内为止的到达时间的技术。
[0034][实施方式][0035][等离子体处理装置的结构][0036]接着，对实施方式进行说明。首先，对实施方式所涉及的等离子体处理装置10进行说明。图1是概要性地表示实施方式所涉及的等离子体处理装置10的截面的一例的图。图1所示的等离子体处理装置10为电容耦合型平行板的等离子体蚀刻装置。等离子体处理装置10具备大致圆筒状的腔室12。
[0037]在腔室12的内部设置有载置台16。载置台16包括支承构件18和基台20。支承构件18的上表面被设为用于载置作为等离子体处理的对象的基板的载置面。在本实施方式中，将作为等离子体蚀刻的对象的晶圆W作为基板载置于支承构件18的上表面。基台20具有大致圆盘形状，其主要部分例如由铝之类的导电性的金属构成。基台20构成下部电极。基台20被支承部14支承。支承部14为从腔室12的底部延伸的圆筒状的构件。
[0038]载置台16的基台20与供电线路65、66分别连接。在供电线路65、66的与基台20的连接部分设置有导体(例如供电棒)。供电线路65经由匹配器61而与高频电源62连接。供电线路66经由匹配器63而与高频电源64连接。即，高频电源62经由匹配器61及供电线路65而与
下部电极连接。高频电源64经由匹配器63及供电线路66而与下部电极连接。高频电源62也可以不与下部电极连接，经由匹配器61而与后述的上部电极连接。此外，等离子体处理装置1也可以不具备高频电源62和匹配器61的组或者高频电源64和匹配器63的组。
[0039]高频电源62输出用于生成等离子体的高频电力HF。高频电力HF的基本频率fB1为27MHz～100MHz的范围内的频率，例如为100MHz。
[0040]高频电源64输出用于从等离子体向晶圆W吸引离子的偏置用的高频电力LF。高频电力LF的频率比高频电力HF的频率低。高频电力LF的基本频率fB2为400kHz～13.56MHz的范围内的频率，例如为13.56MHz。
[0041]匹配器61具有用于使高频电源62的负载侧(例如下部电极(基台20)侧)的阻抗与高频电源62的输出阻抗匹配的电路。匹配器63具有用于使高频电源64的负载侧(下部电极侧)的阻抗与高频电源64的输出阻抗匹配的电路。匹配器61和匹配器63分别为电子控制式的匹配器。在后文中分别叙述匹配器61和匹配器63的详情。
[0042]高频电力HF经由供电线路65被供给至基台20。高频电力LF经由供电线路66被供给至基台20。
[0043]在基台20上设置有支承构件18。支承构件18例如为静电吸盘。支承构件18通过库仑力等静电力来吸附晶圆W，并保持该晶圆W。支承构件18在陶瓷制本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种校正方法，包括以下工序：开始检测腔室的阻抗，在所述腔室的内部设置有用于载置基板的载置台；开始向所述腔室供给处理气体；以及根据检测的阻抗的变化导出从开始向所述腔室供给处理气体起至处理气体到达所述腔室内为止的到达时间。2.根据权利要求1所述的校正方法，其特征在于，还包括以下工序：基于导出的到达时间，来校正开始供给所述处理气体的定时。3.根据权利要求1所述的校正方法，其特征在于，还包括以下工序：基于导出的到达时间...

【专利技术属性】
技术研发人员：张仁镐，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：