载置台及基板处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术的课题在于提供一种导热良好，线膨胀系数低，并且分量轻的载置台。作为解决本发明专利技术课题的方法为提供一种载置台，其具有：由密度为5.0g/cm3以下的材料形成的第1构件；与上述第1构件接合，由线膨胀系数为5.0

【技术实现步骤摘要】
载置台及基板处理装置


[0001]本公开涉及载置台以及基板处理装置。

技术介绍

[0002]例如，专利文献1公开了具有基台和静电卡盘的载置台。基台由例如铝、钛等形成。基台的内部形成有冷却流路。现有技术文献
[0003]专利文献
[0004]专利文献1：日本特开2019
‑
201086号公报

技术实现思路

[0005]专利技术所要解决的课题
[0006]本公开提供导热良好，线膨胀系数低，并且分量轻的载置台。
[0007]用于解决课题的方案
[0008]根据本公开的一方案，提供一种载置台，其具有：第1构件，所述第1构件由密度为5.0g/cm3以下的材料形成；第2构件，所述第2构件与上述第1构件接合，由线膨胀系数为5.0
×
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‑6/K以下，并且导热率为100W/mK以上的材料形成；以及温度调节介质的流路，所述流路形成在上述第1构件和上述第2构件的至少任一者的内部。
[0009]专利技术的效果
[0010]根据一方面，能够提供导热良好，线膨胀系数低，并且分量轻的载置台。
附图说明
[0011]图1为表示一实施方式涉及的基板处理装置的一例的截面示意图。
[0012]图2为将一实施方式涉及的基板处理装置的载置台的一部分放大表示的图。
[0013]图3为表示构成一实施方式涉及的载置台的基台的物质的物性值的图。
[0014]图4为表示一实施方式涉及的3D打印机的构成的一例的图。
[0015]图5为表示一实施方式涉及的基台的制造方法1的流程图。
[0016]图6为表示一实施方式涉及的基台的制造方法2的流程图。
[0017]图7为示意性示出通过一实施方式涉及的制造方法1、2进行了造型的基台的图。
[0018]图8为示意性示出一实施方式涉及的基台的制造方法3和造型的基台的图。
具体实施方式
[0019]以下，参照附图，对于具体实施方式进行说明。在各附图中，同一构成部分附上同一符号，有时省略重复的说明。
[0020][基板处理装置][0021]首先，一边参照图1，一边对于一实施方式涉及的具有载置台的基板处理装置100进行说明。图1为表示一实施方式涉及的基板处理装置100的一例的截面示意图。基板处理
装置100为电容耦合型的等离子体处理装置。
[0022]基板处理装置100具有处理容器112和载置台116。处理容器112具有大致圆筒形状，提供其内部空间作为处理室112c。处理容器112由例如，铝构成。在处理容器112的内部空间侧的表面，形成有铝阳极氧化膜和/或氧化钇膜这样的具有耐等离子体性的陶瓷制的覆膜。处理容器112被接地。在处理容器112的侧壁，形成有用于将晶片W搬入至处理室112c，从处理室112c搬出的开口112p。开口112p能够通过闸阀GV进行开闭。
[0023]载置台116为在处理室112c内支承晶片W的方式构成。载置台116具有利用静电卡盘120吸附晶片W的功能、调整晶片W的温度的功能、以及对于基台117传输高频的结构。基台117具有第1构件117a和第2构件117b。对于载置台116的详细情况，后面将作说明。
[0024]基板处理装置100具有上部电极130。上部电极130配置于处理容器112的上部开口内，与作为下部电极起作用的载置台116大致平行地配置。上部电极130与处理容器112之间存在有绝缘性的支承构件132。
[0025]上部电极130具有顶板134和支承体136。顶板134具有大致圆盘形状。顶板134可以具有导电性。顶板134例如，由硅或铝形成，其表面形成有耐等离子体性的陶瓷覆膜。该顶板134形成有多个气体排出孔134a。气体排出孔134a在大致垂直方向上延伸。
[0026]支承体136将顶板134可装卸地支承。支承体136例如，由铝形成。支承体136形成有气体扩散室136a。与多个气体排出孔134a分别连通的多个孔136b从气体扩散室136a延伸。气体扩散室136a介由端口136c与配管138连接。配管138连接有气体供给部139。
[0027]基板处理装置100具有排气装置150。排气装置150包含涡轮分子泵、干泵这样的一个以上的泵、和压力调整阀。排气装置150与形成于处理容器112的排气口149连接。
[0028]基板处理装置100具有第1控制部151。第1控制部151的存储部存储有用于将被基板处理装置100执行的各种处理利用处理器进行控制的控制程序和方案数据。例如，第1控制部151的存储部存储有用于将蚀刻处理等等离子体处理利用基板处理装置100执行的控制程序和方案数据。
[0029]以下，除了图1以外，参照图2，对于载置台116的构成要素进行详细地说明。图2为将图1所示的基板处理装置100的载置台116的一部分放大表示的截面图。
[0030]载置台116具有基台117和静电卡盘120。基台117具有第1构件117a和第2构件117b。第1构件117a和第2构件117b为片状或板状。片状与板状之间没有严格的区分，在第1构件117a和第2构件117b为片状的情况下，与这些构件为板状的情况相比通常薄。第1构件117a的上表面与第2构件117b的下表面接合，第2构件117b在与第1构件117a的接合面的相反侧，与静电卡盘120接合。由此，在第1构件117a上层叠第2构件117b，在该第2构件117b上层叠静电卡盘120。
[0031]基台117通过从处理容器112的底部向上方延伸的支承构件114得以支承。支承构件114为绝缘性的构件，例如，由氧化铝(alumina)形成。此外，支承构件114具有大致圆筒形状。第1构件117a、第2构件117b和静电卡盘120在轴Z的周围都具有大致圆盘形状。
[0032]在基台117的下表面连接有供电体119。供电体119为例如供电棒。供电体119由铝或铝合金形成。第1高频电源62介由匹配器66与供电体119连接。此外，第2高频电源64介由匹配器68与供电体119连接。
[0033]基台117形成有温度调节介质的流路117f。流路117f在基台117内，例如螺旋状地
延伸。在该流路117f中，从冷却单元供给温度调节介质。供给至流路117f的温度调节介质在一实施方式中，为通过其气化进行吸热，进行冷却的冷却介质。该冷却介质例如，可以为氢氟烃系的冷却介质。流路117f只要在第1构件117a和第2构件117b的至少任一者的内部形成即可。即，流路117f可以如本实施方式那样，横跨第1构件117a和第2构件117b来设置，也可以设置于第2构件117b的内部，也可以设置于第1构件117a的内部。然而，为了提高静电卡盘120的冷却性能，优选在与静电卡盘120距离近的第2构件117b内形成流路117f的至少一部分。
[0034]静电卡盘120具有吸附部123。吸附部123设置于第2构件117b上的静电卡盘12本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种载置台，其具有：第1构件，所述第1构件由密度为5.0g/cm3以下的材料形成，第2构件，所述第2构件与所述第1构件接合，由线膨胀系数为5.0
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‑6/K以下，并且导热率为100W/mK以上的材料形成，以及温度调节介质的流路，所述流路形成在所述第1构件和所述第2构件的至少任一者的内部。2.根据权利要求1所述的载置台，一边使所述第1构件的材料与所述第2构件的材料的配合率发生变化一边形成所述第1构件与所述第2构件的接合面。3.根据权利要求1或2所述的载置台，所述第1构件和所述第2构件为片状或板状，通过扩散接合来接合。4.根据权利要求1～3中任一项所述的载置台，所述第2构件在与所述第1构...

【专利技术属性】
技术研发人员：石井贵之，永关一也，斋藤道茂，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：