【技术实现步骤摘要】
基片处理装置、基片处理的推断方法和存储介质
[0001]本专利技术涉及基片处理装置、基片处理的推断方法和存储介质。
技术介绍
[0002]专利文献1公开了一种涂敷膜去除方法，其包括：一边使圆形的基片绕其正交轴旋转，一边从溶剂喷嘴向该基片的表面的涂敷膜的周缘部供给溶剂，以预先设定的宽度尺寸呈环状地去除涂敷膜的涂敷膜去除步骤；向用于拍摄基片的整个表面来检查涂敷膜的状态的检查模块输送该基片的步骤；基于由检查模块获取的图像数据来检测涂敷膜的去除区域的步骤；和基于检测结果来校正后续的基片的交接位置的步骤。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2014
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91105号公报。
技术实现思路
[0006]专利技术要解决的问题
[0007]本专利技术提供一种能够使形成在基片上的覆膜的去除宽度的调节变得快速的基片处理装置。
[0008]用于解决问题的技术手段
[0009]本专利技术的一个侧面的基片处理装置包括：周缘去除部...
【技术保护点】
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：周缘去除部，其去除形成在基片的表面上的覆膜的周缘部分；分布获取部，其获取表示所述基片的周向上的位置与所述基片中被去除了所述覆膜的部分的宽度的关系的去除宽度分布；和原因推断部，其基于所述去除宽度分布，输出表示所述宽度的误差的原因的原因信息。2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：还包括基于所述去除宽度分布来评价所述宽度的评价部，所述原因推断部在所述宽度的评价结果为规定范围外的情况下输出所述原因信息。3.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：还包括基于所述去除宽度分布来计算与至少一个误差原因相关联的多个种类的特征量的特征量计算部，所述原因推断部基于所述多个种类的特征量的计算结果来输出所述原因信息。4.如权利要求3所述的基片处理装置，其特征在于：所述多个种类的特征量包括所述宽度的评价值、所述覆膜周缘相对于所述基片周缘的偏离的评价值、所述覆膜周缘的真圆度的评价值和所述覆膜周缘的粗糙度的评价值。5.如权利要求4所述的基片处理装置，其特征在于：所述周缘去除部具有：能够保持所述基片并使所述基片旋转的旋转保持部；和向所述旋转保持部所保持并旋转的所述基片的周缘部排出用于去除所述覆膜的去除液的喷嘴，所述宽度的评价值至少与所述喷嘴的位置偏移和来自所述喷嘴的去除液的排出量的变化相关联，所述偏离的评价值至少与所述旋转保持部上的所述基片的位置偏移相关联，所述真圆度的评价值至少与所述基片的变形和所述旋转保持部的变形相关联，所述粗糙度的评价值至少与所述去除液的液体飞溅和来自所述喷嘴的所述去除液的排出量的变动相关联。6.如权利要求3所述的基片处理装置，其特征在于：还包括基于所述多个种类的特征量的计算结果来评价所述多个种类的特征量对误差的贡献度的贡献度评价部，所述原因推断部基于所述多个种类的特征量对误差的贡献度来输出所述原因信息。7.如权利要求6所述的基片处理装置，其特征在于：所述原因推断部基于多个种类的误差原因之中的至少与贡献度最大的特征量相关联的至少1个误差原因，来输出所述原因信息。8.如权利要求3所述的基片处理装置，其特征在于：所述多个种类的特征量包含与多个种类的误差原因相关联的复合型特征量，所述原因推断部在贡献度最大的特征量为所述复合型特征量的情况下，基于与该复合型特征量相关联的多个种类的误差原因和所述周缘去除部的状态来输出所述原因信息。9.一种基片处理的推断方法，其特征在于，包括：分布获取步骤，在去除形成在基片的表面上的覆膜的周缘部分的基片处理装置的基片
技术研发人员：中村泰之，田所真任，榎本正志，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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