基板处理方法技术

本公开涉及一种基板处理方法。基板处理方法包括以下工序：液膜形成工序，一边使旋转台以第一速度旋转，一边向基板的中心部供给药液，由此使得基板的表面的整体被具有第一厚度的药液的液膜覆盖；液膜厚度调整工序，在液膜形成工序之后，一边使旋转台以比所述第一速度低的第二速度旋转，一边向基板的中心部供给药液，由此使得基板的表面的整体被具有比第一厚度大的第二厚度的药液的液膜覆盖；以及液膜加热工序，在液膜厚度调整工序之后，在使旋转台以比第二速度低的第三速度旋转的状态、或者使旋转台的旋转停止的状态下，利用电加热器来加热旋转台，由此加热基板和覆盖基板的药液的液膜。膜。膜。

【技术实现步骤摘要】
基板处理方法


[0001]本公开涉及一种基板处理方法。

技术介绍

[0002]在半导体装置的制造中，通过向半导体晶圆等基板供给被进行温度调整 加热后的药液来对基板实施药液清洗处理或湿蚀刻处理等液处理。在专利文 献1中记载有进行这样的液处理的单片式的基板处理装置的一例。专利文献1 的装置具备用于保持晶圆并用于使该晶圆旋转的旋转吸盘、以及能够与被旋 转吸盘保持的晶圆W的下表面接触分离的非旋转的圆盘状的构件(下表面移 动构件)。在下表面移动构件的内部埋设有加热器。在下表面移动构件的上 表面与晶圆W的下表面之间形成0.5～3mm左右的间隙，该间隙充满药液，药 液被非旋转的下表面移动构件的加热器加热。通过利用旋转吸盘使基板以 30～50rpm左右的低速旋转，能够在防止间隙内的药液沉淀的同时，利用被进 行温度调整后的药液对基板的下表面实施药液处理。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本专利第3837026号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的问题
[0007本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板处理方法，是使用基板处理装置执行的基板处理方法，所述基板处理装置具备：旋转台，其将基板保持为水平姿势并且用于使所述基板绕铅垂轴线旋转；电加热器，其以与所述旋转台一同旋转的方式设置于所述旋转台，用于对被载置于所述旋转台上的所述基板进行加热；至少一个处理液喷嘴，至少一个所述处理液喷嘴用于向保持于所述旋转台的所述基板的表面供给处理液；以及处理液供给机构，其用于向所述处理液喷嘴供给所述处理液，所述基板处理方法包括以下工序：基板保持工序，使所述基板保持于旋转台；液膜形成工序，一边使所述旋转台以第一速度旋转，一边向所述基板的中心部供给作为所述处理液的药液，由此使得所述基板的表面的整体被具有第一厚度的所述药液的液膜覆盖；液膜厚度调整工序，在所述液膜形成工序之后，一边使所述旋转台以比所述第一速度低的第二速度旋转，一边向所述基板的中心部供给所述药液，由此使得所述基板的表面的整体被具有比所述第一厚度大的第二厚度的所述药液的液膜覆盖；以及液膜加热工序，在所述液膜厚度调整工序之后，在使所述旋转台以所述第二速度以下的第三速度旋转的状态、或者使所述旋转台摇动旋转的状态、或者使所述旋转台的旋转停止的状态下，利用所述电加热器来加热所述旋转台，由此加热所述基板和覆盖所述基板的所述药液的液膜来促进所述药液与所述基板的表面之间的反应。2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，所述基板处理装置还具备：开关机构，其具有与所述电加热器电连接并且与所述旋转台一同旋转的受电电极、与所述受电电极接触来经由所述受电电极向所述电加热器供给驱动电力的供电电极、以及用于使所述供电电极与所述受电电极相对地接触分离的电极移动机构；以及供电部，其用于向所述供电电极供给所述驱动电力；其中，所述开关机构构成为在所述供电电极与所述受电电极处于接触时容许所述旋转台在限定的角度范围内旋转，但所述旋转台无法进行连续旋转，并且构成为在所述供电电极与所述受电电极处于分离时，所述旋转台能够进行无限的旋转，所述液膜形成工序和所述液膜厚度调整工序在使所述供电电极与所述受电电极分离的状态下执行，在所述液膜厚度调整工序之后，执行停止所述旋转台的旋转并且使所述供电电极与所述受电电极接触的工序，所述液膜加热工序在使所述供电电极与所述受电电极接触的状态下进行，并且一边使所述基板在限定的所述角度范围内摇动旋转一边执行所述液膜加热工序。3.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，所述第一速度为500rpm以上，所述第二速度为所述第一速...

【专利技术属性】
技术研发人员：立花康三，森川胜洋，水永耕市，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：