蚀刻处理装置、石英构件及等离子体处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种抑制颗粒的产生的蚀刻处理装置、石英构件以及等离子体处理方法。一种蚀刻处理装置，其具备：载置基板的载置台；收容上述载置台的腔室；在上述腔室内生成等离子体的等离子体生成部以及配置于生成上述等离子体的空间的环状的石英构件，上述石英构件具有对在生成上述等离子体的空间中露出的表面进行覆盖的涂膜，上述涂膜由与石英不同的材料形成，且具有10nm以上且小于800nm的厚度。且具有10nm以上且小于800nm的厚度。且具有10nm以上且小于800nm的厚度。

【技术实现步骤摘要】
蚀刻处理装置、石英构件及等离子体处理方法


[0001]本公开涉及蚀刻处理装置、石英构件以及等离子体处理方法。

技术介绍

[0002]已知将处理气体供给至腔室内，由处理气体生成等离子体，对于基板实施蚀刻处理的蚀刻处理装置。在腔室内设置有石英构件。在腔室内的石英构件的表面堆积通过蚀刻处理产生的物质。有该堆积的物质从石英构件剥落而产生颗粒，该颗粒附着于基板表面等的担忧。
[0003]专利文献1中公开了一种等离子体处理装置用石英构件的加工方法，其特征在于，所述石英构件安装于在处理室内通过被激发的等离子体，对于被处理体进行规定的处理的等离子体处理装置，且具有在上述处理室内露出的露出面，上述石英构件的露出面在利用第1粒径的磨粒进行表面加工后，进行利用酸的湿蚀刻处理。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开2003
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174017号公报

技术实现思路

[0007]专利技术所要解决的课题
[0008]在一侧面，本公开提供抑制颗粒的产生的蚀刻处理装本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种蚀刻处理装置，其具备：载置基板的载置台；收容所述载置台的腔室；在所述腔室内生成等离子体的等离子体生成部；以及配置于生成所述等离子体的空间的环状的石英构件，所述石英构件具有对在生成所述等离子体的空间中露出的表面进行覆盖的涂膜，所述涂膜由与石英不同的材料形成，且具有10nm以上且小于800nm的厚度。2.根据权利要求1所述的蚀刻处理装置，所述涂膜为由C、Si、F、N、O、B的任一者构成的组合物。3.根据权利要求2所述的蚀刻处理装置，所述涂膜为SiC、Si3N4、B4C的任一者。4.根据权利要求3所述的蚀刻处理装置，所述涂膜为SiC。5.根据权利要求1～4中任一项所述的蚀刻处理装置，其进一步具有：以包围所述基板周围的方式设置的圆环构件，设置所述环状的石英构件以包围所述圆环构件。6.根据权利要求1～4中任一项所述的蚀刻处理装置，其进一步具有：设置于所述载置台的上方的上部电极，所述环状的石英构件支承所述上部电极。7.根据权利要求1～6中任一项所述的蚀刻处理装置，所述涂膜由ALD、PVD、CVD的任一者形成。8.一种环状石英构件，其为用于蚀刻处理装置，且配置于生成等离子体的空间的环状石英构件，所述蚀刻处理装置具备：载置基板的载置台；收容所述载置台的腔室；以及在所述腔室内生成所述等离子体的等离子体生成部，所述环状石英构件具有：由石英形成的环状的基材；以及对在生成所述等离子体的空间中露出的所述基材的表面进行覆盖的涂膜，所述涂膜由与石英不同的材料形成，且具有10nm以上且小于800nm的厚度。9.根据权利要求8所述的环状石英构件，所述涂膜为由C、Si、F、N、O、B的...

【专利技术属性】
技术研发人员：菊池俊彦，长山将之，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：