等离子体处理装置和等离子体处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供能够以短间隔且均匀性高地对基片实施低损伤的ALD处理的等离子体处理装置和等离子体处理方法。该等离子体处理装置包括：腔室，其具有对基片实施等离子体处理的处理空间和合成电磁波的合成空间；分隔处理空间和合成空间的电介质窗；天线组件，其具有对合成空间辐射电磁波的多个天线，作为相控阵天线发挥功能；对天线组件输出电磁波的电磁波输出部；在处理空间中载置基片的工作台；气体供给部，其对处理空间供给用于进行ALD成膜的气体；以及控制部，控制部控制从气体供给部的气体的供给以实施ALD成膜，并且进行控制以使得天线组件作为相控阵天线发挥功能而在处理空间中局域化的等离子体高速地移动。局域化的等离子体高速地移动。局域化的等离子体高速地移动。

【技术实现步骤摘要】
等离子体处理装置和等离子体处理方法


[0001]本专利技术涉及等离子体处理装置和等离子体处理方法。

技术介绍

[0002]例如，在半导体装置的制造工艺中，作为对基片也即半导体晶片进行成膜的方法，公知有在等离子体的存在下交替地供给原料气体和反应气体的等离子体ALD(Atomic Layer Deposition：原子层沉积)(例如专利文献1、2)。由此，能够进行反应性高且阶梯覆盖良好的成膜。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2018
‑
59173号公报
[0006]专利文献2：日本特开2017
‑
147129号公报

技术实现思路

[0007]专利技术要解决的技术问题
[0008]本专利技术提供能够以短间隔且均匀性高地对基片实施低损伤的ALD处理的等离子体处理装置和等离子体处理方法。
[0009]用于解决技术问题的技术方案
[0010]本专利技术的一个方式的等离子体处理装置包括：腔室，其具有对基本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：腔室，其具有对基片实施等离子体处理的处理空间和合成电磁波的合成空间；分隔所述处理空间和所述合成空间的电介质窗；天线组件，其具有对所述合成空间辐射电磁波的多个天线，作为相控阵天线发挥功能；对所述天线组件输出电磁波的电磁波输出部；在所述处理空间中载置所述基片的工作台；气体供给部，其对所述处理空间供给用于进行ALD成膜的气体；以及控制部，所述控制部控制从所述气体供给部的气体的供给以实施ALD成膜，并且进行控制以使得所述天线组件作为相控阵天线发挥功能而在所述处理空间中局域化的等离子体高速地移动。2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述气体供给部供给用于进行ALD成膜的第一气体及第二气体、和用于吹扫所述处理空间的吹扫气体；所述控制部进行控制，以将所述第一气体和所述第二气体隔着所述吹扫气体的供给交替地供给到所述处理空间。3.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述控制部在供给所述第一气体和/或所述第二气体的期间，控制从多个所述天线辐射的多个电磁波各自的相位，以使得利用干涉形成会聚于所述电介质窗的表面的任意位置的会聚部分，并且使所述会聚部分高速地移动。4.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述控制部通过所述相位的控制使所述会聚部分的移动速度变化，来控制每单位时间的平均电场分布。5.如权利要求1～4中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述电磁波的频率处于微波频段，所述电介质窗与所述工作台之间的间隔为70mm以下。6.如权利要求1～5中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述气体供给部从电介质窗的与所述基片的中央部相应的位置供给气体。7.如权利要求1～6中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述电介质窗在所述处理空间侧的面具有多个凹部。8.一种利用等离子体处理装置...

【专利技术属性】
技术研发人员：镰田英纪，池田太郎，古屋治彦，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：