清洁方法和基板处理装置制造方法及图纸

本公开的一方式的清洁方法具备如下工序：借助排气管向能进行排气的处理容器的内部供给不含氟的含卤素气体，进行清洁的工序；和，在供给前述含卤素气体进行清洁的工序后，向前述处理容器的内部和前述排气管的内部的至少任一者供给含氟气体，进行清洁的工序。进行清洁的工序。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】清洁方法和基板处理装置


[0001]本公开涉及清洁方法和基板处理装置。

技术介绍

[0002]已知有如下技术：向处理容器的内部供给不含氟的含卤素气体，从而将包含晶舟的处理容器的内部的沉积物蚀刻而去除(例如参照专利文献1)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2019
‑
91763号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的问题
[0007]本公开提供：使用SiC构件的基板处理装置能进行干式清洁的技术。
[0008]用于解决问题的方案
[0009]本公开的一方式的清洁方法具备如下工序：借助排气管向能进行排气的处理容器的内部供给不含氟的含卤素气体，进行清洁的工序；和，在供给前述含卤素气体进行清洁的工序后，向前述处理容器的内部和前述排气管的内部的至少任一者供给含氟气体，进行清洁的工序。
[0010]专利技术的效果
[0011]根据本公开，使用SiC构件的基板处理装置能进行干式清洁。
附图说明
[0012]图1为示出一实施方式的基板处理装置的剖视图
[0013]图2为图1的基板处理装置的俯视图
[0014]图3为示出图1的基板处理装置的热处理部的一例的剖视图
[0015]图4为示出一实施方式的基板处理装置的动作的流程图
[0016]图5A为示出清洁处理的第1实施例的图
[0017]图5B为示出清洁处理的第1实施例的图/>[0018]图6A为示出清洁处理的第2实施例的图
[0019]图6B为示出清洁处理的第2实施例的图
[0020]图7A为示出清洁处理的第3实施例的图
[0021]图7B为示出清洁处理的第3实施例的图
[0022]图7C为示出清洁处理的第3实施例的图
[0023]图8A为示出清洁处理的第4实施例的图
[0024]图8B为示出清洁处理的第4实施例的图
[0025]图8C为示出清洁处理的第4实施例的图
[0026]图9A为示出清洁处理的第5实施例的图
[0027]图9B为示出清洁处理的第5实施例的图
[0028]图9C为示出清洁处理的第5实施例的图
[0029]图10A为示出清洁处理的第6实施例的图
[0030]图10B为示出清洁处理的第6实施例的图
[0031]图10C为示出清洁处理的第6实施例的图
[0032]图11A为示出清洁处理的第7实施例的图
[0033]图11B为示出清洁处理的第7实施例的图
[0034]图11C为示出清洁处理的第7实施例的图
具体实施方式
[0035]以下，边参照所附的附图边对本公开的非限定性的示例的实施方式进行说明。所附的全部附图中，对相同或对应的构件或部件，标注相同或对应的附图标记，省略重复的说明。
[0036]〔基板处理装置〕
[0037]图1为示出一实施方式的基板处理装置的剖视图。图2为图1的基板处理装置的俯视图。
[0038]基板处理装置1为具有立式的处理容器的热处理装置。基板处理装置1被收纳于壳体11。壳体11构成基板处理装置1的外壳体。在壳体11内形成有容器输送区域A1和基板输送区域A2。容器输送区域A1是作为收纳有基板W的容器的载体(未作图示)向装置搬入搬出的区域。基板输送区域A2是输送载体内的基板W向后述的热处理部100内搬入的转移区域。载体例如为FOUP(晶圆传送盒(Front
‑
Opening Unified Pod))。基板W例如为半导体晶圆。
[0039]容器输送区域A1与基板输送区域A2由隔壁2分隔。容器输送区域A1是处于大气气氛下的区域，是用于输送收纳于载体的基板W的区域。各装置之间的区域相当于容器输送区域A1，一实施方式中，基板处理装置1的外部的洁净室内的空间相当于容器输送区域A1。另一方面，基板输送区域A2中，为了防止在所搬入的基板W上形成自然氧化膜，形成非活性气体气氛、例如氮气(N2)气体气氛，清洁度高于容器输送区域A1、且维持为低的氧浓度、水分浓度。以后的说明中，将容器输送区域A1和基板输送区域A2的排列方向作为基板处理装置1的前后方向。
[0040]在隔壁2上设有用于连通容器输送区域A1与基板输送区域A2并输送基板W的输送口20。在输送口20上设有从基板输送区域A2侧阻塞该输送口20的打开/关闭门5。打开/关闭门5上连接有驱动机构(未作图示)，驱动机构通过使打开/关闭门5向前后方向和上下方向移动来开关输送口20。输送口20和打开/关闭门5依据FIMS(前开口界面力学标准(Front
‑
Opening Interface Mechanical Standard))标准而构成。
[0041]容器输送区域A1上设有装载口、保管架、容器载置台、输送装置等(均未作图示)。装载口是将载体搬入到基板处理装置1时容纳载体的载置台。保管架是用于暂时保管载体的载置台，例如也被称为缓冲器、贮料器。容器载置台与输送口20对应地设置。输送装置将载体在装载口、容器载置台和保管架之间输送。
[0042]基板输送区域A2上设置有热处理部100、晶圆输送机构27、晶舟保持台29、遮挡件
30。
[0043]热处理部100具有处理容器110、加热部140。处理容器110能收纳基板W，且具有石英制的圆筒形状。处理容器110的下端作为炉口而开口。加热部140设置于处理容器110的周围，且具有圆筒形状。加热部140将收纳于处理容器110内的基板W加热。
[0044]在热处理部100的下方，基板保持器具150借助保温筒156载置于盖体151上。基板保持器具150将多个基板W保持为架状。盖体151被支撑在升降机构153上，通过升降机构153，基板保持器具150向处理容器110搬入或搬出。
[0045]晶圆输送机构27设置于基板保持器具150与输送口20之间。晶圆输送机构27在载置于容器输送区域A1内的容器载置台的载体、与基板输送区域A2内的基板保持器具150之间输送晶圆W。晶圆输送机构27具有：导引件机构27a、移动体27b、叉27c、升降机构27d、旋转机构27e。导引件机构27a为长方体状。导引件机构27a安装于沿垂直方向延伸的升降机构27d，通过升降机构27d能向垂直方向移动，且通过旋转机构27e能转动地构成。移动体27b在导引件机构27a上沿长度方向能伸缩移动地设置。叉27c为借助移动体27b安装的转移机，设有多个(例如5个)。通过具有多个叉27c，从而可以将多张基板W同时转移，因此，可以缩短输送基板W所需的时间。但是，叉27c也可以为1个。
[0046]晶舟保持台29用于保持基板保持器具150。晶舟保持台29设置于由晶圆输送机构27和输送基板保持器具150的输送装置(未作图示)能接入的位置。基板保持器具150通过输送装置在保温筒156上与晶舟本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种清洁方法，其具备如下工序：借助排气管向能进行排气的处理容器的内部供给不含氟的含卤素气体，进行清洁的工序；和，在供给所述含卤素气体进行清洁的工序后，向所述处理容器的内部和所述排气管的内部的至少任一者供给含氟气体，进行清洁的工序。2.根据权利要求1所述的清洁方法，其中，供给所述含卤素气体进行清洁的工序是在SiC构件存在于所述处理容器的内部的状态下进行的。3.根据权利要求2所述的清洁方法，其中，供给所述含氟气体进行清洁的工序是在SiC构件不存在于所述处理容器的内部的状态下进行的。4.根据权利要求2所述的清洁方法，其中，供给所述含氟气体进行清洁的工序是在SiC构件存在于所述处理容器的内部的状态下进行的。5.根据权利要求2至4中任一项所述的清洁方法，其中，在供给所述含卤素气体进行清洁的工序前，还具备：向所述处理容器的内部供给成膜气体进行成膜的工序。6.根据权利要求5所述的清洁方法，其中，供给所述含卤素气体进行清洁的工序在执行多次进行所述成膜的工序后实施。7.根据权利要求5或6所述的清洁方法，其中，在进行所述成膜的工序后、且在供给所述含卤素气体进行清洁的工序前，还具备：在SiC构件不存在...

【专利技术属性】
技术研发人员：竹泽由裕，铃木大介，林宽之，宫原达也，藤田圭介，及川大海，藤田成树，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：