本公开的检查装置(80)的自我诊断方法包括进行配置的工序、进行照射的工序、接受光的工序以及判定光量的异常的工序。进行配置的工序通过使保持重合基板(T)的外周部并设置有具有使光衰减的衰减构件(720)的诊断部(700)的保持部(400)移动，来将衰减构件配置于向重合基板照射光的照明部(610、620)与拍摄重合基板的摄像部(51、520)之间。进行照射的工序在进行配置的工序之后，从照明部以设定光量照射光。接受光的工序在进行照射的工序之后，使用摄像部接受从照明部照射出并透过了衰减构件的光。判定光量的异常的工序在接受光的工序之后，基于由摄像部接受到的光的受光量来判定从照明部照射出的光的光量的异常。部照射出的光的光量的异常。部照射出的光的光量的异常。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】检查装置的自我诊断方法和检查装置
[0001]本公开涉及一种检查装置的自我诊断方法和检查装置。
技术介绍
[0002]已知一种接合系统，其具备通过将半导体晶圆等基板相互接合来形成重合基板的接合装置以及对通过该接合装置形成的重合基板进行检查的检查装置(参照专利文献1)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2011
‑
187716号公报
技术实现思路
[0006]专利技术要解决的问题
[0007]本公开提供一种能够容易维持检查装置的测定精度的技术。
[0008]用于解决问题的方案
[0009]本公开的一个方式的检查装置的自我诊断方法是用于对将第一基板与第二基板接合而成的重合基板进行检查的检查装置的自我诊断方法，所述检查装置的自我诊断方法包括进行配置的工序、进行照射的工序、接受光的工序以及判定光量的异常的工序。进行配置的工序通过使保持重合基板的外周部且设置有具有使光衰减的衰减构件的诊断部的保持部移动，来将衰减构件配置于照明部与摄像部之间，所述照明部配置于保持部的上方和下方中的一方，用于向保持于保持部的重合基板照射光，所述摄像部配置在保持部的上方和下方中的另一方的与照明部相向的位置，用于拍摄保持于保持部的重合基板。进行照射的工序在进行配置的工序之后从照明部以设定光量照射光。接受光的工序在进行照射的工序之后，使用摄像部接受从照明部照射出并透过了衰减构件后的光。判定光量的异常的工序在接受光的工序之后，基于通过摄像部接受到的光的受光量来判定从照明部照射出的光的光量的异常。
[0010]专利技术的效果
[0011]根据本公开，能够容易维持检查装置的测定精度。
附图说明
[0012]图1是表示实施方式所涉及的接合系统的结构的示意图。
[0013]图2是表示实施方式所涉及的第一基板和第二基板的接合前的状态的示意图。
[0014]图3是表示实施方式所涉及的接合装置的结构的示意图。
[0015]图4是表示实施方式所涉及的检查装置的结构的示意图。
[0016]图5是表示实施方式所涉及的检查装置的保持部的结构的示意图。
[0017]图6是表示测定标记的摄像方法的一例的图。
[0018]图7是表示测定标记的一例的图。
[0019]图8是表示实施方式所涉及的衰减构件的结构的图。
[0020]图9是表示形成于衰减构件的校准标记的一例的图。
[0021]图10是表示实施方式所涉及的控制装置的结构的框图。
[0022]图11是表示接合系统执行的处理中的、通过接合装置形成重合基板之前的处理的过程的一例的流程图。
[0023]图12是表示光量检查处理的过程的一例的流程图。
[0024]图13是表示光轴检查处理的过程的一例的流程图。
具体实施方式
[0025]下面，参照附图来详细地说明用于实施本公开的检查装置的自我诊断方法和检查装置的方式(下面记载为“实施方式”)。此外，并不通过该实施方式来限定本公开的检查装置的自我诊断方法和检查装置。另外，各实施方式能够在不使处理内容矛盾的范围中适当地进行组合。另外，在以下的各实施方式中对相同的部位标注相同的附图标记，并且省略重复的说明。
[0026]另外，在以下所示的实施方式中，有时使用“固定”、“正交”、“垂直”或者“平行”之类的表现，但这些表现并不需要严密地为“固定”、“正交”、“垂直”或者“平行”。即，上述的各表现设为例如容许制造精度、设置精度等的偏差。
[0027]另外，在下面进行参照的各附图中，为了容易理解说明，有时表示出规定彼此正交的X轴方向、Y轴方向以及Z轴方向并且将Z轴正方向设为铅垂向上方向的正交坐标系。另外，有时将以铅垂轴为旋转中心的旋转方向称作θ方向。
[0028]<接合系统的结构>
[0029]首先，参照图1和图2来说明实施方式所涉及的接合系统的结构。图1是表示实施方式所涉及的接合系统的结构的示意图。另外，图2是表示实施方式所涉及的第一基板和第二基板的接合前的状态的示意图。
[0030]图1所示的接合系统1通过将第一基板W1和第二基板W2接合来形成重合基板T(参照图2)。
[0031]第一基板W1和第二基板W2为例如在硅晶圆、化合物半导体晶圆等半导体基板上形成有多个电子电路的基板。第一基板W1和第二基板W2的直径大致相同。此外，第一基板W1和第二基板W2中的一方可以为例如未形成有电子电路的基板。
[0032]下面，如图2所示，将第一基板W1的板面中的与第二基板W2接合的一侧的板面记载为“接合面W1j”，将与接合面W1j相反的一侧的板面记载为“非接合面W1n”。另外，将第二基板W2的板面中的与第一基板W1接合的一侧的板面记载为“接合面W2j”，将与接合面W2j相反的一侧的板面记载为“非接合面W2n”。
[0033]如图1所示，接合系统1具备搬入搬出站2、处理站3以及检查站4。搬入搬出站2配置于处理站3的X轴负方向侧，并与处理站3连接为一体。另外，检查站4配置于处理站3的X轴正方向侧，并与处理站3连接为一体。
[0034]搬入搬出站2具备载置台10和搬送区域20。载置台10具备多个载置板11。在各载置板11分别载置将多张(例如25张)基板以水平状态收容的盒C1～C4。盒C1能够收容多张第一基板W1，盒C2能够收容多张第二基板W2，盒C3能够收容多张重合基板T。盒C4例如为用于回
收产生了不良的基板的盒。此外，载置于载置板11的盒C1～C4的个数不限定于图示的那样。
[0035]搬送区域20在载置台10的X轴正方向侧相邻地配置。在该搬送区域20中设置沿Y轴方向延伸的搬送路径21以及能够沿该搬送路径21移动的搬送装置22。搬送装置22不仅能够沿Y轴方向移动，还能够沿X轴方向移动，并且能够绕Z轴转动。搬送装置22在载置于载置板11的盒C1～C4与后述的处理站3的第三处理块G3之间进行第一基板W1、第二基板W2以及重合基板T的搬送。
[0036]在处理站3中例如设置三个处理块G1、G2、G3。第一处理块G1配置于处理站3的背面侧(图1的Y轴正方向侧)。另外，第二处理块G2配置于处理站3的正面侧(图1的Y轴负方向侧)，第三处理块G3配置于处理站3的靠搬入搬出站2侧(图1的X轴负方向侧)。
[0037]在第一处理块G1中配置用于对第一基板W1和第二基板W2的接合面W1j、W2j进行改性的表面改性装置30。表面改性装置30通过将第一基板W1和第二基板W2的接合面W1j、W2j中的SiO2的键切断而设为单键的SiO，来将接合面W1j、W2j改性使得之后容易亲水化。
[0038]具体地说，在表面改性装置30中，例如在减压气氛下激励作为处理气体的氧气或氮气使其等离子体化，从而离子化。然后，通过将该氧离子或氮离子照射于第一基板W1和第二基板W2的接合面W1j、W本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种检查装置的自我诊断方法，该检查装置用于对将第一基板与第二基板接合而成的重合基板进行检查，所述检查装置的自我诊断方法包括以下工序：进行配置的工序，通过使保持所述重合基板的外周部且设置有具有使光衰减的衰减构件的诊断部的保持部移动，来将所述衰减构件配置于照明部与摄像部之间，所述照明部配置于所述保持部的上方和下方中的一方，用于向保持于所述保持部的所述重合基板照射光，所述摄像部配置于所述保持部的上方和下方中的另一方的与所述照明部相向的位置，用于拍摄保持于所述保持部的所述重合基板，进行照射的工序，在所述进行配置的工序之后，从所述照明部以设定光量照射光；接受光的工序，在所述进行照射的工序之后，使用所述摄像部接受从所述照明部照射出并透过了所述衰减构件的光；以及判定光量的异常的工序，在所述接受光的工序之后，基于由所述摄像部接受到的光的受光量来判定从所述照明部照射出的光的光量的异常。2.根据权利要求1所述的检查装置的自我诊断方法，其特征在于，在所述判定光量的异常的工序中，计算初始受光量与在所述接受光的工序中由所述摄像部接受到的光的受光量的差，在所述差为光量阈值以上的情况下，判定为从所述照明部照射出的光的光量为异常，其中，所述初始受光量是作为从所述照明部以所述设定光量照射出并透过了所述衰减构件后由所述摄像部接受到的光的受光量而预先存储的受光量。3.根据权利要求1或2所述的检查装置的自我诊断方法，其特征在于，在所述判定光量的异常的工序中，还包括在判定为从所述照明部照射出的光的光量为异常的情况下变更所述设定光量的工序。4.根据权利要求1～3中的任一项所述的检查装置的自我诊断方法，其特征在于，所述衰减构件具有校准标记，所述检查装置的自我...
【专利技术属性】
技术研发人员：大塚庆崇，鹤田茂登，三村勇之，前田浩史，真锅英二，日诘久则，篠塚真一，田上裕宪，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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