基板处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及基板处理装置。提供一种能够在液处理中提升去除对象物的去除效率的技术。本公开的基板处理装置具有流体供给部、处理液供给部以及喷嘴。流体供给部供给包含经过了加压的纯水的蒸汽或水雾的流体。处理液供给部供给至少包含硫酸的处理液。喷嘴具有第1喷出口、第2喷出口以及导出路径。第1喷出口喷出自流体供给部供给的流体。第2喷出口喷出自处理液供给部供给的处理液。导出路径与第1喷出口以及第2喷出口连通，导出自第1喷出口喷出的流体和自第2喷出口喷出的处理液的混合流体。另外，导出路径的截面面积比第1喷出口的截面面积大。路径的截面面积比第1喷出口的截面面积大。路径的截面面积比第1喷出口的截面面积大。

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置


[0001]本公开涉及一种基板处理装置。

技术介绍

[0002]在半导体装置的制造工序中，公知一种通过向半导体晶圆等基板供给处理液而自基板去除例如抗蚀剂膜等去除对象物的技术。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2014
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027245号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的问题
[0007]本公开提供一种能够在液处理中提升去除对象物的去除效率的技术。
[0008]用于解决问题的方案
[0009]本公开的一技术方案的基板处理装置具有：基板保持部、流体供给部、处理液供给部以及喷嘴。基板保持部以能够使基板旋转的方式保持该基板。流体供给部供给包含经过了加压的纯水的蒸汽或水雾的流体。处理液供给部供给至少包含硫酸的处理液。喷嘴与流体供给部以及处理液供给部连接，将流体和处理液混合而向基板喷出。另外，喷嘴具有：第1喷出口、第2喷出口以及导出路径。第1喷出口喷出自流体供给部供给的流体。第2喷出口喷出自处理液供给部本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置，其特征在于，该基板处理装置具有：基板保持部，其以能够使基板旋转的方式保持该基板；流体供给部，其供给包含经过了加压的纯水的蒸汽或水雾的流体；处理液供给部，其供给至少包含硫酸的处理液；以及喷嘴，其与所述流体供给部以及所述处理液供给部连接，将所述流体和所述处理液混合而向所述基板喷出，所述喷嘴具有：第1喷出口，其喷出自所述流体供给部供给的所述流体；第2喷出口，其喷出自所述处理液供给部供给的所述处理液；以及导出路径，其与所述第1喷出口以及所述第2喷出口连通，导出自所述第1喷出口喷出的所述流体和自所述第2喷出口喷出的所述处理液的混合流体，所述导出路径的截面面积比所述第1喷出口的截面面积大。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述喷嘴具有多个所述第1喷出口和多个所述第2喷出口，并且具有一个所述导出路径，该导出路径与多个所述第1喷出口以及多个所述第2喷出口连通。3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述喷嘴具有多个所述第1喷出口和多个所述第2喷出口，并且具有多个所述导出路径，该导出路径与一个所述第1喷出口以及一个所述第2喷出口连通。4.根据权利要求1～3中任一项所述的基板处...

【专利技术属性】
技术研发人员：绪方信博，樱井宏纪，后藤大辅，古贺贵广，森宽太，桥本佑介，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：