半导体装置的制作方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体装置的制作方法。半导体装置的制作方法具有：在氮化硅膜和第一导电膜上形成含有碳的第一膜的工序；形成包围第一膜的第一氧化硅膜的工序，其中，上述第一氧化硅膜位于氮化硅膜和第一导电膜上；除去第一膜而在第一氧化硅膜形成使氮化硅膜的至少一部分和第一导电膜的至少一部分露出的第一开口的工序；以及在第一开口内，在第一导电膜上以接触的方式形成第二导电膜的工序。触的方式形成第二导电膜的工序。触的方式形成第二导电膜的工序。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置的制作方法


[0001]以下的公开涉及半导体装置的制作方法。

技术介绍

[0002]专利文献1公开了如下的技术：作为将与栅极电极的触点配置在有源区域上的所谓的COAG(Contact Over Active Gate：有源栅极之上的触点)构造，缩小单元面积。
[0003]专利文献1：美国专利第9461143号说明书

技术实现思路

[0004]本公开提供抑制短路的产生的技术。
[0005]根据本公开的一方式的半导体装置的制作方法具有：在氮化硅膜和第一导电膜上形成含有碳的第一膜的工序；形成包围第一膜的第一氧化硅膜的工序，其中，上述第一氧化硅膜位于氮化硅膜和第一导电膜上；除去第一膜而在第一氧化硅膜形成使氮化硅膜的至少一部分和第一导电膜的至少一部分露出的第一开口的工序；以及在第一开口内，在第一导电膜上以接触的方式形成第二导电膜的工序。
[0006]根据本公开，能够抑制短路的产生。
附图说明
[0007]图1是表示第一实施方式所涉及的半导体装置的制作方法的一个例子的流程图。
[00本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置的制作方法，具有：在氮化硅膜和第一导电膜上形成含有碳的第一膜的工序；形成包围上述第一膜的第一氧化硅膜的工序，其中，上述第一氧化硅膜位于上述氮化硅膜和上述第一导电膜上；除去上述第一膜而在上述第一氧化硅膜形成使上述氮化硅膜的至少一部分和上述第一导电膜的至少一部分露出的第一开口的工序；以及在上述第一开口内，在上述第一导电膜上以接触的方式形成第二导电膜的工序。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制作方法，其中，还具有：研磨上述第一氧化硅膜，以使得上述第二导电膜以及上述氮化硅膜的上表面露出的工序；除去露出的上述氮化硅膜，使形成于上述氮化硅膜的下层的第三导电膜露出的工序；在上述第一氧化硅膜和上述第三导电膜上形成含有碳的第二膜的工序；形成包围上述第二膜的第二氧化硅膜的工序，其中，上述第二氧化硅膜位于上述第一氧化硅膜上；除去上述第二膜而在上述第二氧化硅膜形成使上述第三导电膜的至少一部分和上述第一氧化硅膜的至少一部分露出...

【专利技术属性】
技术研发人员：山口晋平，今井清隆，壶井笃司，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：