存储器件、半导体结构及其制备方法技术

本申请实施例涉及一种存储器件、半导体结构及其制备方法。该方法包括：提供基底，基底中开设有第一沟槽，第一沟槽的底部和侧壁形成有介质层；于介质层上形成第一导电层；去除部分第一导电层，以裸露靠近位于第一沟槽开口处的介质层，剩余的第一导电层于第一沟槽中形成第二沟槽，第二沟槽的底部的宽度小于第二沟槽的顶部的宽度；于第一沟槽内形成第二导电层；其中，第二导电层在第一导电层上的第一生长速率大于第二导电层在介质层上的第二生长速率。使得形成第二导电层的过程中不会出现第一沟槽提前封口的问题，避免了空洞的产生，提高了由第一导电层和第二导电层构成的导电结构的性能，从而提高了半导体结构的可靠性。从而提高了半导体结构的可靠性。从而提高了半导体结构的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
存储器件、半导体结构及其制备方法


[0001]本申请实施例涉及半导体
，特别是涉及一种存储器件、半导体结构及其制备方法。

技术介绍

[0002]典型的存储器件中的导电结构制备流程中，首先，通过等离子刻蚀定义出深沟槽；其次，在深沟槽中沉积填充导电材料，再次，刻蚀去除多余的导电材料以得到导电结构。由于沟槽的深宽比较大，填充在深沟槽的导电材料中容易出现空洞(void)，这些空洞会影响后续形成的导电结构的性能，进而影响存储器件的可靠性。
[0003]为了消除导电结构中的空洞对存储器件可靠性的影响，典型的处理方式是，通过沉积
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回刻
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再沉积的方式来形成导电材料，通过回刻暴露出空洞可以将导电材料填充到空洞中，从而减少空洞的产生，消除空洞对导电结构性能的影响，但是该处理方式步骤繁琐，并且空洞的截面形状为椭圆形，存在未填满空洞的风险。

技术实现思路

[0004]本申请实施例提供了一种存储器件、半导体结构及其制备方法，可以优化导电材料的填充，达到消除导电结构中的空洞，提高导电结构性能的目的。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底中开设有第一沟槽，所述第一沟槽的底部和侧壁形成有介质层；于所述介质层上形成第一导电层；去除部分所述第一导电层，以裸露靠近位于所述第一沟槽开口处的所述介质层，剩余的所述第一导电层于所述第一沟槽中形成第二沟槽，所述第二沟槽的底部的宽度小于所述第二沟槽的顶部的宽度；于所述第一沟槽内形成第二导电层；其中，所述第二导电层在所述第一导电层上的第一生长速率大于所述第二导电层在所述介质层上的第二生长速率。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一导电层和所述第二导电层的材料相同。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述第一导电层和所述第二导电层的材料均包括金属钼。4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，采用原子层沉积工艺形成所述第一导电层和所述第二导电层。5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述原子层沉积工艺的工艺气体包括六羰基钼、五氯化钼或二氯二氧化钼中的至少一种。6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，位于所述第二沟槽侧壁的所述第一导电层的厚度小于位于所述第二沟槽底部的所述第一导电层的厚度。7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，位于所述第二沟槽侧壁的所述第一导电层的厚度自所述第二沟槽的底部向所述第二沟槽的开口位置依次降低。8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺去除部分所述第一导电层。9.根据权利要求8所述的制备...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐林，左明光，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：