具有蚀刻终止层的装置和其相关方法制造方法及图纸

本公开涉及具有蚀刻终止层的装置和其相关方法。一种装置包括：衬底；绝缘层，其包括形成于所述衬底的上表面上方的蚀刻终止层；形成于所述绝缘层上方的第一导电区；以及形成于所述衬底内的开口，所述开口从所述衬底的下表面延伸、穿过所述衬底的所述上表面并穿过所述绝缘层的至少一部分，终止于所述第一导电区上。一种用于形成所述装置的方法包括：形成所述衬底；在所述衬底的所述上表面上方形成包括所述蚀刻终止层的所述绝缘层；在所述绝缘层上方形成第一导电区；以及在所述衬底内形成开口，所述开口从所述衬底的所述下表面延伸、穿过所述衬底的所述上表面并穿过所述绝缘层的至少一部分，在形成于所述绝缘层上方的所述第一导电区上终止。区上终止。区上终止。

【技术实现步骤摘要】
具有蚀刻终止层的装置和其相关方法


[0001]本文中所描述的主题的实施例大体上涉及装置，包括含有穿晶片通 孔的装置。

技术介绍

[0002]半导体装置应用于广泛多种电子部件和系统。此外，用于射频(RF)、 微波和毫米波应用的有用装置可采用具有与顶侧焊盘的连接的穿晶片通 孔，以用于从晶片的背侧到前侧的低电感连接。具体地说，碳化硅(SIC) 衬底上的氮化镓(GaN)装置允许高频和高功率操作。然而，SiC的蚀 刻困难且耗时，并且在一些情况下，高功率SiC蚀刻可能导致过度蚀刻 并且甚至蚀穿用于接触穿晶片通孔的顶侧金属化物。因此，需要允许具 有稳健的蚀刻特性的穿晶片通孔的结构和方法。

技术实现思路

[0003]根据本专利技术的第一方面，提供一种装置，包括：
[0004]衬底，其包括上表面和下表面；
[0005]绝缘层，其包括形成于所述衬底的所述上表面上方的蚀刻终止 层；
[0006]第一导电区，其形成于所述绝缘层上方；
[0007]形成于所述衬底内的开口，所述开口从所述衬底的所述下表面延 伸、穿过所述衬底的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种装置，其特征在于，包括：衬底，其包括上表面和下表面；绝缘层，其包括形成于所述衬底的所述上表面上方的蚀刻终止层；第一导电区，其形成于所述绝缘层上方；形成于所述衬底内的开口，所述开口从所述衬底的所述下表面延伸、穿过所述衬底的所述上表面并穿过所述绝缘层的至少一部分，终止于所述第一导电区上；以及第二导电区，其形成于所述开口内。2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，包括所述蚀刻终止层的所述绝缘层的至少一部分的终止边缘横向邻近所述开口而形成并且限定接近所述开口的保护区。3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，包括所述蚀刻终止层的所述绝缘层的所述至少一部分在有源区之外形成。4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述绝缘层包括第一电介质层。5.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，所述第一电介质层包括所述蚀刻终止层。6.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，所述绝缘层包括形成于所述第一电介质层上方的第二电介质层和形成于所述第二电介质层上方的第三电介质层。7.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述蚀刻终止层包括氮化铝、氧化铝、氮化硅、氮氧化硅、二氧化硅、原硅酸四乙酯和氧化铟锡中的一者或多者。8.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括：有源区，其接近所述衬底的所述上表面并且横向邻近所述开口而形成；第一载流电极，其形成于所述有源区...

【专利技术属性】
技术研发人员：岳远征，J，
申请(专利权)人：恩智浦美国有限公司，
类型：发明
国别省市：