半导体结构的制作方法技术

本发明专利技术实施例提供的半导体结构的制作方法，包括如下步骤：提供一半导体基底；在半导体基底上形成一第一反应层；在第一反应层上形成一第二反应层；第一反应层的至少一部分和第二反应层的至少一部分热反应，以形成一非晶扩散阻挡层。该非晶扩散阻挡层为非晶体，其中不存在晶界，也就切断了金属原子的扩散路径，从而有效提升了阻挡层的阻挡效果，解决了金属原子的扩散造成的电路性能问题。的扩散造成的电路性能问题。的扩散造成的电路性能问题。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的制作方法


[0001]本专利技术总体来说涉及半导体
，具体而言，涉及一种半导体结构的制作方法。

技术介绍

[0002]半导体集成电路产业已经历快速成长。在集成电路演进中，器件性能的增加通常伴随着器件面积的减小或器件密度的增加。然而，随着集成电路装置的几何尺寸持续缩小，阻挡层却不能很好地阻挡金属层向衬底的扩散，对电路性能造成不利影响。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例提出的半导体结构的制作方法，能够形成一非晶扩散阻挡层，有效地阻挡了金属层向衬底的扩散。
[0004]本专利技术实施例的半导体结构的制作方法，包括如下步骤：
[0005]提供一半导体基底；
[0006]在所述半导体基底上形成一第一反应层；
[0007]在所述第一反应层上形成一第二反应层；以及
[0008]所述第一反应层的至少一部分和所述第二反应层的至少一部分热反应，以形成一非晶扩散阻挡层。
[0009]在本专利技术的一些实施方式中，所述第二反应层的第一部分与所述第一反应层热反应，所述第二反应层的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一半导体基底；在所述半导体基底上形成一第一反应层；在所述第一反应层上形成一第二反应层；以及所述第一反应层的至少一部分和所述第二反应层的至少一部分热反应，以形成一非晶扩散阻挡层。2.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述第二反应层的第一部分与所述第一反应层热反应，所述第二反应层的第二部分未与所述第一反应层热反应；所述方法还包括：在所述第二部分上形成一导电层，所述第二部分作为所述导电层的黏附层或种子层。3.根据权利要求2所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，在所述第二部分上形成一导电层之前，所述方法还包括：沿厚度方向去除所述第二部分的一部分。4.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述第一反应层和所述第二反应层其中之一为金属导电材料，所述第一反应层和所述第二反应层其中另一为金属化合物材料；所述非晶扩散阻挡层由所述金属导电材料和所述金属化合物材料反应形成。5.根据权利要求4所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述金属导电材料为Co，所述金属化合物材料为TiN。6.根据权利要求1至5任一项所述的半导体结构的制作方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐慧文，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：