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本发明涉及半导体装置的制作方法。半导体装置的制作方法具有：在氮化硅膜和第一导电膜上形成含有碳的第一膜的工序；形成包围第一膜的第一氧化硅膜的工序，其中，上述第一氧化硅膜位于氮化硅膜和第一导电膜上；除去第一膜而在第一氧化硅膜形成使氮化硅膜的至少...
该专利属于东京毅力科创株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东京毅力科创株式会社授权不得商用。

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