本发明提供配线异常的检测方法和等离子体处理装置，能够恰当地检测等离子体处理装置的直流电源系统中的配线异常。一种等离子体处理装置中的配线异常的检测方法，等离子体处理装置具有腔室、载置台、直流电源系统和电流表，直流电源系统构成直流电源、高频...

本发明提供基片交接方法和基片交接装置。基片交接方法使用基片交接装置，该装置包括：升降体，其能够将多个载置部在上下方向上排列并构成为一体，载置部载置收纳有基片的输送容器；和升降机构，其能够使升降体升降，从而使各载置部各自升降至在载置部与外...

本发明提供液处理方法和液处理装置，能够抑制由从基片甩落的涂敷液导致的棉絮状块的产生。液处理方法包括：将涂敷液供给到基片的正面的步骤；和使上述涂敷液在上述基片的正面上扩散，在该正面上形成涂敷膜的步骤，在上述形成涂敷膜的步骤中，从上述涂敷液...

本发明提供一种腔室状况的诊断方法，是用于诊断腔室的状况的技术。一种腔室状况的诊断方法，用于诊断对产品基板进行处理的基板处理装置的腔室的状况，所述腔室状况的诊断方法包括以下工序：清洁所述腔室的内部；在所述腔室的内部生成氦气或者在氦气中混合...

本实用新型涉及液处理装置，其使附着于内杯的涂布液不会在清洗了液处理装置的内杯之后残留。一种在基板上涂布涂布液的液处理装置，其包括：保持部，其保持基板并使其旋转；涂布液供给部，其向被保持部保持着的基板供给涂布液；外杯，其围绕被保持部保持着...

本发明涉及基板处理装置和基板处理方法。提高基板处理装置的生产率。装置构成为包括：载体模块；第1处理模块，其由互相层叠的第1下侧处理模块、第1上侧处理模块构成；第2处理模块，其由互相层叠的第2下侧处理模块、第2上侧处理模块构成；中继模块，...

一种方法，包括：将基材提供在基材加工设备的加工腔室中，该基材具有包含氧化硅膜的第一区域和包含除了氧化硅膜之外的膜的第二区域；将氟化氢吸附在基材上；以及将具有吸收的氟化氢的基材暴露于由惰性气体生成的等离子体，以相对于第二区域选择性地蚀刻第...

本发明涉及基板处理装置和基板处理方法。抑制基板处理装置的占地面积。基板处理装置包括：载体模块，其载置收纳基板的载体；一个处理模块，自载体模块向一个处理模块输送基；另一处理模块，其与一个处理模块重叠并且自另一处理模块向载体模块输送基板；升...

本发明提供其能够提高基片处理装置中的吞吐量并且抑制专用占地面积的基片处理装置、基片处理方法和存储介质。装置构成为包括：设置在承载器区块的承载器载置部的俯视时左右之一侧的一处理区块和另一处理区块；具有设置于承载器区块的第1输送机构的基片的...

本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法，是管理去除基板的一部分的去除量的技术。基板处理装置具备：盒块，其载置用于收容基板的盒；处理块，其处理所述基板；中继块，其在所述盒块与所述处理块之间中继所述基板；以及控制装置。所述处理块包括处理模...

本发明提供基板处理装置和基板处理方法。一边控制基板周围的气氛一边进行批量式的液处理。基板处理装置包括：处理容器，其具有储存处理液的储存部和封闭储存部的上部的开口的盖部；基板保持部，其将多个基板以铅垂姿势在水平方向上空开间隔地保持；第1旋...

本发明提供基板处理装置和基板处理方法。对于具备间距变换机构的基板处理装置削减基板的交接次数。基板处理装置包括：基板保持部，其将多个基板互相平行地以第1等间距保持；基板输送装置，其自基板收纳容器将以第2等间距收纳的多个基板一起取出；以及移...

本发明提供一种基板清洗方法，所述基板清洗方法包括以下工序：向喷嘴供给通过绝热膨胀形成团簇的团簇形成气体与具有比所述团簇形成气体小的分子量或原子量的载气的混合气体；通过从所述喷嘴喷射所述混合气体来形成所述团簇；通过所述团簇去除附着于基板的...

本公开的接合系统(1)具备接合装置(41)、检查装置(80)以及控制部(70)。接合装置通过将第一基板(W1)与第二基板(W2)接合来形成重合基板(T)。检查装置进行重合基板的检查。控制部控制检查装置。另外，控制部具备测定控制部(71a...

本实用新型提供一种基片处理装置，使在基片形成的孔的在深度方向上的蚀刻量的均匀性提高。本实用新型的一个方式的基片处理装置包括处理槽、外槽、第一气体供给部和第二气体供给部。处理槽将基片浸渍于处理液中。外槽包围处理槽的周围，接受从处理槽溢出的...

提供一种处理液供给装置。在处理液供给装置中的处理液的贮存容器更换时，以更换作业中的作业者能够立即视觉辨认的方式通知更换后的贮存容器是否适当。处理液供给装置对使用处理液处理基板的基板处理装置供给处理液，具备：收容部，其具有多个分区，各分区...

本发明涉及基板保持体、基板输送装置以及基板保持体的制造方法。在基板的输送装置中适当地调节基板保持体的温度。一种基板保持体，其设于输送基板的装置，用于保持该基板，其中，该基板保持体具有：陶瓷制的主体部；以及热管，其在所述主体部的内部形成，...

氮化硅膜的成膜方法和成膜装置。在基板温度为200℃以下成膜为覆盖范围良好的氮化硅膜。氮化硅膜的成膜方法在收纳于处理腔室内的基板上成膜为氮化硅膜，成膜方法具备：工序(a)，在不供给高频电力的状态下向处理腔室内供给包含卤化硅气体的气体；工序...

本发明涉及等离子体处理装置及等离子体处理方法，能保证等离子体的稳定性且能高速地进行匹配。等离子体处理装置具备：腔室内的基板支承台内部的第一电极、与第一电极连接的匹配器和高频电源、及控制部，匹配器具有：下位电路，将多个下位串联电路并联连接...

提供一种安全且简便地对腔室进行维护的基板处理装置。该基板处理装置包括：腔室；多个单元，布置在所述腔室上；以及升降机构，使所述多个单元升降，其中，所述多个单元中的至少任意一个具有单元侧槽，所述升降机构具有升降机构侧槽，通过将固定部件插入至...