氮化硅膜的成膜方法和成膜装置制造方法及图纸

氮化硅膜的成膜方法和成膜装置。在基板温度为200℃以下成膜为覆盖范围良好的氮化硅膜。氮化硅膜的成膜方法在收纳于处理腔室内的基板上成膜为氮化硅膜，成膜方法具备：工序(a)，在不供给高频电力的状态下向处理腔室内供给包含卤化硅气体的气体；工序(b)，(a)工序后，停止包含卤化硅气体的气体的供给，将处理腔室内排气；工序(c)，(b)工序后，向处理腔室内供给含氮气体；工序(d)，(c)工序后，向处理腔室内供给高频电力，产生等离子体；工序(e)，(d)工序后，停止含氮气体的供给和高频电力的供给，将处理腔室内排气；和重复执行对应于直至形成预先确定的膜厚的氮化硅膜的X次(X≥1)(a)至(e)的工序，(a)至(e)的工序中将基板温度控制为200℃以下。为200℃以下。为200℃以下。

【技术实现步骤摘要】
氮化硅膜的成膜方法和成膜装置


[0001]本公开涉及氮化硅膜的成膜方法和成膜装置。

技术介绍

[0002]例如，专利文献1、2提出了如下方法：重复夹着腔室内的残留气体的吹扫来交替供给含硅原料气体和含氮气体的工序，并且通过ALD(原子层沉积(Atomic Layer Deposition))法成膜为氮化硅膜。上述成膜方法中，工序中将基板的温度控制为300℃～650℃左右。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2020
‑
64924号公报
[0006]专利文献2：日本特开2000
‑
114257号公报

技术实现思路

[0007]专利技术要解决的问题
[0008]本公开提供：在基板的温度为200℃以下的环境下能成膜为覆盖范围良好的氮化硅膜的成膜方法和成膜装置。
[0009]用于解决问题的方案
[0010]根据本公开的一方式，提供一种氮化硅膜的成膜方法，其为在收纳于处理腔室内的基板上成膜为氮化硅膜的方法本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种氮化硅膜的成膜方法，其为在收纳于处理腔室内的基板上成膜为氮化硅膜的方法，所述成膜方法具备如下工序：工序(a)，在不供给高频电力的状态下向所述处理腔室内供给包含卤化硅气体的气体；工序(b)，在所述(a)的工序后，停止所述包含卤化硅气体的气体的供给，将所述处理腔室内排气；工序(c)，在所述(b)的工序后，向所述处理腔室内供给含氮气体；工序(d)，在所述(c)的工序后，向所述处理腔室内供给所述高频电力，产生等离子体；工序(e)，在所述(d)的工序后，停止所述含氮气体的供给和所述高频电力的供给，将所述处理腔室内排气；和，重复执行对应于直至形成预先确定的膜厚的所述氮化硅膜的X次所述(a)至所述(e)的工序，其中X≥1，所述(a)至所述(e)的工序中将所述基板的温度控制为200℃以下。2.根据权利要求1所述的氮化硅膜的成膜方法，其中，所述包含卤化硅气体的气体包含四氟化硅气体(SiF4)、四氯化硅气体(SiCl4)、六氟化二硅气体(Si2F6)、和六氯化二硅气体(Si2Cl6)中的至少任一者。3.根据权利要求1或2所述的氮化硅膜的成膜方法，其中，所述含氮气体包含氮气(N2)、和氨(NH3)中的至少任一者。4.根据权利要求1～3中任一项所述的氮化硅膜的成膜方法，其中，在所述基板的表面形成多个凹部和凸部，至少一部分的所述凹部或所述凸部的侧面由倾斜面构成，至少在所述倾斜面形成所述氮化硅膜。5.根据权利要求1～4中任一项所...

【专利技术属性】
技术研发人员：渡边幸夫，高藤哲也，内田博章，佐藤吉宏，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：