一种等离子体加工装置包括：加工室；衬底，其设置在该加工室中；以及多个电子源，其被配置成向在该加工室中产生的等离子体供应电子。该多个电子源中的每一个电子源包括面对该加工室中的等离子体的第一侧。该多个电子源中的每一个电子源还包括设置在该第一...

本发明提供一种处理被加工物的方法，该方法包括：蚀刻步骤，其包括通过生成包含碳氟化合物气体和/或氢氟烃气体的处理气体的等离子体，来在低温下对载置在载置台上的被加工物的蚀刻对象膜进行蚀刻的主蚀刻；在蚀刻步骤刚执行后或主蚀刻刚执行后，使静电吸...

本发明提供一种基片处理装置，其无需改变真空输送模块的设计，就能够改变负载锁定模块中的基片输送室的数量。基片处理装置包括：一个或多个基片处理模块；与一个或多个基片处理模块连接的真空输送模块；负载锁定模块，其包括沿第一水平方向排列的至少3个...

本发明提供一种基片处理装置。该基片处理装置包括：能够将基片收纳于内侧的处理容器；在处理容器的内侧的保持位置保持基片的保持部；流体供给部，其具有向处理容器的内侧释放处理流体的供给开口部；和供给引导部件，其在供给开口部与保持位置之间与供给开...

本发明能够在通过将真空输送模块连结而在真空输送系统中增加处理模块的最大搭载数量的情况下，抑制与真空输送模块的连结相伴的占地面积的增大，并且在输送时使基片的缺口方向一致。本发明的输送装置包括：第一真空输送模块；第一输送机器人；第二真空输送...

本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置。基板处理方法包括以下工序：升压工序，在形成有液膜的基板被基板保持部保持并被收容于处理容器内的状态下，通过向处理容器内供给处理流体来使处理容器内的压力上升至预先决定的处理压力；以及流通工序，在升压...

本发明涉及等离子体处理装置和清洁方法。高效地去除附着于腔室的内壁的沉积物。电极配置于腔室内。多个气体喷出口以朝向电极侧喷出气体的方式配置于电极的周边。气体供给部向多个气体喷出口供给处理气体。高频电源向电极供给能够使处理气体等离子体化的高...

本发明提供一种信息处理装置、信息处理系统以及部件订购方法，使用半导体制造装置的模拟模型来预探测应更换的半导体制造装置的部件，并订购该部件。信息处理装置使用半导体制造装置的模拟模型来执行对半导体制造装置正在执行的工艺状态的模拟，所述信息处...

本发明提供能够基于来自基片的反射光高精度地推算膜厚的膜厚推算方法、存储介质和膜厚推算装置。本发明的一个方面的膜厚推算方法包括：在使基片旋转以使得在正面上形成处理液的膜的旋转期间，向与基片的正面重叠的部位照射光的步骤；通过接收反射光来获取...

本发明提供在使用超临界状态的处理流体的干燥处理时，能够抑制晶片的图案倒塌的基片处理装置和基片处理方法。基片处理装置包括处理容器和对其供给超临界状态的处理流体的处理流体供给部，处理流体供给部包括：一侧与流体供给源连接，另一侧与处理容器连接...

相机图像用于提供关于流体分配系统的特性的信息。相机图像可以用于识别流体分配系统的硬件的移动。该硬件的移动可以用于基于该硬件移动与分配方案中提供的分配时间之间的相关性来确定流体分配的开始。该流体分配的开始可以通过对相机图像执行图像分析以检...

本发明的课题在于，在基于摄像运动图像监视基板处理时减少计算机的处理负荷。本公开的一个方面所涉及的监视装置是基板处理装置的监视装置，该基板处理装置具备：保持部，其用于保持基板；以及处理液供给部，其通过从喷嘴喷出处理液来向保持于保持部的基板...

本发明提供估计模型制作装置、估计模型制作方法以及存储介质。估计模型制作装置具有：处理后图像获取部，其获取与被进行了膜处理的基板的表面有关的图像信息即处理后图像；基底图像获取部，其获取与被进行膜处理前的处理前基板的表面有关的图像信息即处理...

本发明提供基板处理装置和基板处理方法，其中，能够从一个处理流体供给源向进行使用了超临界状态的处理流体的处理的基板处理部供给处理流体。基板处理装置包括：第1供给管线；多个第2供给管线；泵；多个基板处理部，其分别与多个第2供给管线连接；分支...

本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置，是供抑制蚀刻量的变动的技术。基板处理装置具备混合部、喷嘴、第一成分供给部、第二成分供给部以及控制部。所述混合部将作为第一成分的硫酸与第二成分进行混合来制备蚀刻液。所述喷嘴向基板喷出所述蚀刻液。所...

本发明提供一种基板处理装置、其温度控制方法、程序以及存储介质，能够在恢复常温时的升温序列中优化温度控制。本公开提供的基板处理装置具有：载置台，其在真空处理容器内保持被处理基板；传热气体容器，其以与所述载置台隔着间隙的方式配置于所述载置台...

本发明提供一种基板处理系统和微粒去除方法，不在设为微粒的去除对象的收容室设置冷却机构地从收容室去除微粒的原因要素。微粒去除动作具有以下工序：工序(a)、将载置于至少1个基板冷却台上的至少1个基板假片冷却至第一温度，第一温度为5℃～20℃...

本发明提供基片搬运装置、基片处理系统和基片处理方法，在减压气氛下搬运基片的基片搬运装置中，能够始终监视基片的位置。本发明的基片搬运装置在减压气氛下对基片处理装置搬运基片，包括：基片保持部，其用于保持所述基片；和基片测量部，其被设置于所述...

本发明提供一种基片处理装置和基片处理方法，能降低从用于将磷酸水溶液与析出抑制剂混合的混合装置排出而在排气通道中流动的气体中的可燃气体浓度，基片处理装置包括处理槽、混合装置、加热部、送液路径、排气风扇、排气通道和控制部。处理槽用于将基片浸...

本发明提供能够抑制等离子体处理中的基片的过剩的带电的等离子体处理装置和等离子体处理方法。等离子体处理装置包括腔室、基片吸附部、电压供给部和导电性部件。腔室利用在内部所生成的等离子体对配置于内部的基片进行处理。基片吸附部设置在腔室内，在内...