本发明涉及基板处理装置和基板处理方法。在使用超临界状态的处理流体使基板干燥时抑制在基板的表面产生的微粒。使用超临界流体使在图案形成面形成有液膜的基板干燥的基板处理装置包括：处理容器，其收纳基板，并且超临界流体向该处理容器供给；基板保持部...

一种等离子体加工方法包括将气体连续地提供到加工室中并且将AC源功率提供给源功率耦合元件达第一持续时间。该AC源功率在该加工室中生成等离子体。该方法进一步包括，在提供该气体和该AC源功率的同时，将第一负偏置电压施加到电子源电极达第二持续时...

披露了用于监测衬底的一个或多个特性的系统和方法的实施例。描述了利用光学传感器(在一个实施例中是相机)来提供关于分配在衬底上的流体的特性的数据的各种实施例。提供了各种硬件改进和方法来改进对传感器数据的收集和分析。更具体地，可以组合或单独地...

提供了一种制作半导体器件的方法。在衬底上方形成层的初始堆叠。初始堆叠在第一材料层与第二材料层之间交替，第二材料层具有与第一材料层不同的成分。初始堆叠被划分为第一堆叠和第二堆叠。通过使用第一材料层作为第一GAA晶体管的相应沟道区以及使用第...

披露一种制作半导体器件的方法，该方法包括：在衬底上形成第一晶体管结构的第一堆叠体；以及在该衬底上与该第一堆叠体相邻地形成第二晶体管结构的第二堆叠体。与该第一堆叠体相邻地形成该第二堆叠体，使得在该第一堆叠体的一端处的经堆叠S/D区面对在该...

本发明提供基片支承体和基片处理装置，在配置于由基片支承体支承的基片的周围的边缘环中，能够适当地减少该边缘环在等离子体处理时的消耗量。基片支承体包括：基片支承部，其具有吸附基片的静电吸盘和静电吸盘内的基片用加热电极；环支承部，其支承包围基...

本发明涉及碳膜的成膜方法和成膜装置。使用卤素作为催化剂的低温CVD碳成膜工艺中，减少卤素的影响，改善碳膜的生产率和膜质。具备如下工序：向基板供给含碳气体和卤素气体，利用化学气相沉积使碳膜沉积在基板上的工序；和，供给跟构成前述卤素气体的卤...

本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法以及计算机可读记录介质，能够检测喷嘴的异常。基板处理装置具备：供给部，其包括喷嘴；液体接受部，其包括用于接受从喷嘴伪喷出的处理液的开口；驱动部，其构成为对支承喷嘴的喷嘴臂进行驱动；检测部，其配置于...

本发明提供信息处理装置、程序和工艺条件搜索方法，其使用半导体制造装置的机器学习模型，搜索能够达成作为目标的工艺结果的工艺条件。为了解决上述问题，信息处理装置生成依照工艺条件执行处理的半导体制造装置的机器学习模型，使用机器学习模型搜索能够...

本发明提供一种等离子体处理装置，等离子体处理装置具备：同轴管，其设置为沿上下方向延伸，形成高频波导的一部分；基板支承部，其用于支承基板；电极，其具有与向所述基板支承部的上方的空间开口的气体喷出口连接的气体流路，所述电极设于所述基板支承部...

本发明提供一种抑制内部泄漏的粉体输送装置、气体供给装置以及粉体除去方法。包括：粉体输送配管，其将粉体原料供给源与气化器连接，用于将粉体自上述粉体原料供给源供给至上述气化器；第一吹扫气体供给配管，其在第一分支点将缓冲容器与上述粉体输送配管...

本发明涉及基板处理装置、基板处理方法以及存储介质，不提高排气压地防止自基板甩出的成膜处理液向液体接受部的外部泄漏。基板处理装置包括：保持基板并使其旋转的保持旋转部、向基板供给成膜处理液的供给部、接受因旋转而自基板甩出的成膜处理液的液体接...

本发明提供一种能够对消耗构件进行定位并收纳的收纳容器和处理系统。本公开的一方式的收纳容器是收纳在外周和内周的至少一者具有缺口的环状构件的容器，其中，该收纳容器具有：底板，其载置所述环状构件；以及多个导销，其自所述底板突出，对所述环状构件...

本公开涉及一种基板处理装置、系统及方法、以及计算机存储介质，抑制在EBR(边缘涂布膜去除)处理中发生涂布膜的隆起、侵蚀。基板处理装置具备：基板保持部，其保持形成有图案形成用的涂布膜的基板并使其旋转；处理液喷出部，其向保持于所述基板保持部...

本发明能够消除等离子体密度分布的偏倚，改善蚀刻特性。提供一种用于等离子体处理装置的高频电力的滤波电路，该等离子体处理装置具有电极和与所述电极的背面的中心部连接的供电体，通过施加高频电力来生成等离子体，其中，所述滤波电路，设置在设置于所述...

本发明涉及处理装置和处理方法，其能够调整针对基板的气体供给的面间均匀性。处理装置具备：处理容器，其具有大致圆筒形状；第1喷射器，其沿着处理容器的内壁内侧在长度方向上延伸设置，并具有在下端形成的第1导入口和在延伸设置的部分形成的多个第1气...

本发明涉及处理装置和处理方法。提供一种能够调整针对基板的气体供给的面间均匀性的技术。本公开的一形态的处理装置具备：处理容器，其具有大致圆筒形状；喷射器，其沿着所述处理容器的内壁内侧在长度方向上延伸设置，该喷射器具有用于导入处理气体的多个...

本发明提供能够抑制颗粒产生并且实现放电稳定化的处理容器、等离子体处理装置和处理容器的制造方法。本发明的处理容器用于构成等离子体处理装置，能够在内部收纳基片并对所述基片进行等离子体处理，所述处理容器的特征在于：在所述处理容器中的被暴露于等...

提供：即使基底不同也能孵育时间一致地沉积均匀的氮化硼膜的氮化硼膜的成膜方法和成膜装置。具备如下工序：向设有成膜为氮化硼膜时的孵育时间不同的基底的基板的表面供给氨基硅烷气体以形成晶种层的工序；和，使氮化硼膜在前述晶种层上沉积的工序。膜在前...

本发明提供一种能够抑制在基板上形成的图案的形状异常的基板处理方法和基板处理装置。基板处理方法具有如下工序：工序a，在该工序a中，提供具备蚀刻对象膜、在蚀刻对象膜上形成的第1掩模、以及第2掩模的基板的工序，该第2掩模形成于第1掩模上，膜种...