基片支承体和基片处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供基片支承体和基片处理装置，在配置于由基片支承体支承的基片的周围的边缘环中，能够适当地减少该边缘环在等离子体处理时的消耗量。基片支承体包括：基片支承部，其具有吸附基片的静电吸盘和静电吸盘内的基片用加热电极；环支承部，其支承包围基片的边缘环，在内部具有边缘环用加热电极；基材，其具有配置基片支承部的中心载置部和在中心载置部的外周侧配置环支承部的外周载置部；配置在基片支承部的正下方，对基片用加热电极供给电功率的第1供电端子；和配置在环支承部的正下方，对边缘环用加热电极供给电功率的第2供电端子，外周载置部的上表面位于比中心载置部的上表面低的位置，环支承部的厚度为基片支承部的厚度的40％以上。度的40％以上。度的40％以上。

【技术实现步骤摘要】
基片支承体和基片处理装置


[0001]本专利技术涉及基片支承体和基片处理装置。

技术介绍

[0002]在专利文献1中公开了一种包括基部和载置台的基片处理装置，该基部配置于处理容器的内部，在其内部设置有延伸至入口和出口的致冷剂用的流路，该载置台具有静电吸盘，该静电吸盘经由粘接剂设置于上述基部的上表面，在其内部或下表面设置有加热器。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2013
‑
172013号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的技术问题
[0007]本专利技术在配置于由基片支承体支承的基片的周围的边缘环中适当地减少该边缘环在等离子体处理时的消耗量。
[0008]用于解决技术问题的技术方案
[0009]本专利技术的一个方式是一种配置在用于对基片进行等离子体处理的基片处理装置内的基片支承体，其包括：基片支承部，其具有用于吸附基片的静电吸盘和上述静电吸盘内的基片用加热电极；环支承部，其支承以包围上述基片的方式配置的边本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基片支承体，其配置在用于对基片进行等离子体处理的基片处理装置内，所述基片支承体的特征在于，包括：基片支承部，其具有用于吸附所述基片的静电吸盘和所述静电吸盘内的基片用加热电极；环支承部，其支承以包围所述基片的方式配置的边缘环，在内部具有边缘环用加热电极；具有中心载置部和外周载置部的基材，其中，所述中心载置部能够配置所述基片支承部，所述外周载置部能够在所述中心载置部的外周侧配置所述环支承部；第1供电端子，其配置在所述基片支承部的正下方，对所述基片用加热电极供给电功率；以及第2供电端子，其配置在所述环支承部的正下方，对所述边缘环用加热电极供给电功率，所述外周载置部的上表面位于比所述中心载置部的上表面低的位置，所述环支承部的厚度为所述基片支承部的厚度的40％以上。2.如权利要求1所述的基片支承体，其特征在于：所述环支承部的厚度为所述基片支承部的厚度的50％以上。3.如权利要求1或2所述的基片支承体，其特征在于：所述中心载置部的上表面位于比载置于所述外周载置部的所述环支承部的上表面靠上方的位置。4.如权利要求1～3中任一项所述的基片支承体，其特征在于：所述边缘环的厚度比所述基片支承部的厚度厚。5.如权利要求1～4中任一项所述的基片支承体，其特征在于：所述基片支承体还包括直流电源，所述直流电源在所述边缘环因所述等离子体处理而消耗了时，对所述环支承部施加直流电压，以消除因该消耗而产生的鞘层形状的变化。6.如权利要求5所述的基片支承体，其特征在于：所述直流电源在所述边缘环的消耗量超过预先决定的阈值时对所述边缘环施加直流电压。7.如权利要求1～6中任一项所述的基片支承体，其特征在于：所述静电吸盘在俯视时被划分为多个区域，所述基片用加热电极由多个分段电极构成，所述多个分段电极分别配置于所述多个区域的每一者。8.如权利要求7所述的基片支承体，其特征在于：能够分别独立地控制对所述多个分段电极供给的电功率。9.如权利要求1～8中任一项所述的基片支承体，其特征在于：包括多个所述边缘环用加热电极。10.如权利要求1～9中任一项所述的基片支承体，其特征在于：所述基片支承部和所述环支承部经由粘接层载置于所述基材，所述基片支承体还包括密封部件，所述密封部件被所述静电吸盘、所述环支承部和所述中心载置部的任意2者以上夹持，在对所述基片进行等离子体处理的情况下抑制所述粘
接层向等离子体的暴露。11.如权利要求1～10中任一项所述的基片支承体，其特征在于：...

【专利技术属性】
技术研发人员：石川真矢，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：