基板处理装置和基板处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及基板处理装置和基板处理方法。在使用超临界状态的处理流体使基板干燥时抑制在基板的表面产生的微粒。使用超临界流体使在图案形成面形成有液膜的基板干燥的基板处理装置包括：处理容器，其收纳基板，并且超临界流体向该处理容器供给；基板保持部，其具有将基板以使图案形成面朝上的状态从下方支承的基座部，该基板保持部在处理容器内保持基板；第1检测部，其用于检测基座部的相对于水平面的倾斜；姿势调整机构，其用于调整基座部的相对于水平面的倾斜；以及控制部，其基于第1检测部的检测结果来控制姿势调整机构从而进行基座部的水平调整。座部的水平调整。座部的水平调整。

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置和基板处理方法


[0001]本公开涉及基板处理装置和基板处理方法。

技术介绍

[0002]近年来，在半导体装置的制造中，正在进行这样的超临界干燥处理：在该处理中，使上表面被处理液润湿的基板与超临界状态的处理流体接触，利用超临界状态的处理流体置换处理液，从而使基板干燥。在专利文献1中记载了超临界干燥方法和用于实施该方法的装置。在专利文献1中记载有：首先以小流量将超临界流体向腔室内的基板的下方供给从而防止初始加压所引起的基板的破损，在腔室内的压力达到了预定的压力之后，以大流量将超临界流体朝向基板的上表面供给。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2013
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251550号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的问题
[0007]本公开提供一种能够在使用超临界状态的处理流体使基板干燥时抑制在基板的表面产生的微粒的技术。
[0008]用于解决问题的方案
[0009]根据本公开的一技术方案，提供一种基板处理装置本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置，其使用超临界流体使在图案形成面形成有液膜的基板干燥，其中，该基板处理装置包括：处理容器，其收纳所述基板，并且所述超临界流体向该处理容器供给；基板保持部，其具有将所述基板以使所述图案形成面朝上的状态从下方支承的基座部，该基板保持部在所述处理容器内保持所述基板；以及第1检测部，其用于检测所述基座部的相对于水平面的倾斜。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，该基板处理装置还包括：姿势调整机构，其用于调整所述基座部的相对于水平面的倾斜；以及控制部，其基于所述第1检测部的检测结果来控制所述姿势调整机构从而进行所述基座部的水平调整。3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述处理容器具有用于收纳基板的开口部，所述基板保持部包括与所述基座部连接并且堵塞所述开口部的盖体，所述基板保持部能够在处理位置和退避位置之间进退，在所述基板保持部处于所述处理位置时，所述盖体堵塞所述开口部并且所述基座部收纳于所述处理容器内，在所述基板保持部处于所述退避位置时，所述盖体使所述开口部开放并且所述基座部退出到所述处理容器之外，所述第1检测部设于能够检测如下内容的位置：在所述基板保持部处于所述退避位置时的所述基座部的相对于水平面的倾斜。4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，所述第1检测部设于处于所述退避位置的所述基板保持部的所述基座部的下方。5.根据权利要求3或4所述的基板处理装置，其中，所述第1检测部包括能够测量所述基座部的下表面的三处以上的高度位置的三个以上的光学传感器。6.根据权利要求3或4所述的基板处理装置，其中，该基板处理装置还包括第2检测部，所述第2检测部用于检测在支承于所述基座部的所述基板的上表面形成的液膜的表面的高度位置。7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其中，所述第2检测部设于处于所述退避位置的所述基板保持部的所述基座部的上方。8.根据权利要求6所述的基板处理装置，其中，所述基座部具有：基座部主体；多个支承构件，其从所述基座部主体向上方突出而从下方支承所述基板；以及升降机构，其使所述多个支承构件相对于所述基座部主体升降，所述控制部在基于所述第1检测部的检测结果进行了所述姿势调整机构对所述基座部的水平调整之后，基于所述第2检测部的检测结果进行所述升降机构对所述液膜的表面的高度位置的调节。9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其中，
该基板处理装置还包括第3检测部，所述第3检测部用于检测由所述基座部支承的所述基板...

【专利技术属性】
技术研发人员：福井祥吾，御所真高，冈村聪，浦智仁，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：