本发明涉及紧固构造、等离子体处理装置以及紧固方法。在将构成基板处理装置的构件彼此利用紧固螺纹件紧固的紧固构造中，抑制因构件间的热膨胀差而紧固螺纹件变形。一种将构成基板处理装置的第1、第2构件利用紧固螺纹件紧固的紧固构造，第1构件具有内螺...

本发明涉及测量用治具和测量装置。适当地测量被静电卡盘吸附保持的晶圆的吸附力分布。测量用治具具备基板和光纤。基板是与半导体制造用的晶圆呈大致相同形状的基板。光纤在内部具有能够反射与基板伴随应力产生的应变对应的波长的光的多个反射元件。光纤以...

本公开涉及一种等离子体处理装置的异常探测方法和等离子体处理装置。等离子体处理装置具备沿着与窗构件对应的虚拟矩形平面配置的多个天线线圈，多个天线线圈的各天线线圈的一端与高频电源连接，且另一端经由电流计来与接地电位连接，虚拟矩形平面的至少一...

本发明提供一种能够调整由等离子体产生的离子的供给量的等离子体处理装置。其具有：处理室；旋转台，其设于所述处理室内，并能够将基板沿着周向载置；处理气体供给喷嘴，其能够向所述旋转台供给处理气体；等离子体天线，其位于所述处理室上的、覆盖所述处...

本发明提供基板处理方法和基板处理装置。基板处理方法包括：清洁液膜形成工序，一边使基板旋转一边向基板供给清洁液，来在基板的表面形成清洁液的液膜；第一药液处理工序，一边使基板以第一旋转速度旋转一边以第一供给流量向基板供给药液，来在基板的表面...

本发明提供一种保持部件、上部电极组件以及等离子体处理装置，其能够将电极板悬挂保持于保持板。该保持部件在将电极板保持于保持板时使用，包括：第一部件，其具有轴部和卡定部，该轴部具有内螺纹部，该卡定部与上述轴部相比扩大形成；以及第二部件，其具...

本发明提供能够稳定地使等离子体点火的等离子体处理装置和等离子体处理方法。等离子体处理装置能够通过感应耦合在处理室内产生等离子体，所述等离子体处理装置的特征在于，包括：以能够与所述处理室内连通的方式安装在所述处理室的壁上的VUV灯；设置在...

本发明提供一种等离子体处理系统和等离子体处理方法。本发明的一个方式的等离子体处理系统是对基片实施等离子体处理的等离子体处理系统，包括：内部安装有消耗部件的腔室；与所述腔室连接的真空输送室；输送装置，其设置在所述真空输送室内，在所述真空输...

本发明提供一种气体释放部件、液处理装置和液处理方法。气体释放部件从基片的上方向该基片释放气体，其具有构成流路的释放部件主体和与气体供给源连接的第一气体喷嘴和第二气体喷嘴，所述第一气体喷嘴和第二气体喷嘴以从各所述气体喷嘴吹出的气体在所述流...

本发明提供在进行被检查体的检查时选择适当的温度传感器进行温度控制的检查装置、控制方法和控制程序。本发明的检查装置包括：获取部，其获取进行被检查体的检查时的、表示载置台中的该被检查体的位置的第一坐标信息和表示该载置台中的多个温度传感器的位...

本发明提供一种能够兼顾旋转臂的旋转机构向真空处理容器的中央部的设置和排气路径的简单化的基板处理装置。基板处理装置具有真空处理容器和旋转轴位于真空处理容器的中央部的旋转臂，在旋转臂中，内部为中空的旋转筒构成旋转轴，旋转筒的中空部构成真空处...

本发明涉及载置台构造、基板处理装置以及基板处理装置的控制方法。提高基板的冷却效率。提供一种载置台构造，其具有：载置基板的载置台、冷却基板的冷冻机构、使所述载置台或所述冷冻机构升降的升降驱动部、以及设于所述冷冻机构与所述载置台的相对位置的...

一种方法，用于在将第一基板与第二基板接合而成的重合基板中将形成于所述第二基板的表面的器件层转印于所述第一基板，在所述方法中，从所述第二基板的背面侧对形成于该第二基板与所述器件层之间的激光吸收层脉冲状地照射激光。射激光。射激光。

一种基板处理装置，其针对将第1基板和第2基板接合而成的重合基板，将形成于所述第2基板的表面的器件层向所述第1基板转印，其中，该基板处理装置具有：保持部，其保持所述第1基板的背面；激光照射部，其在所述保持部保持着所述第1基板的状态下，从该...

本发明提供一种基板处理方法和基板处理系统，用于对基板进行处理。所述基板处理方法包括以下工序：工序(A)，将通过供给涂布液而在表面形成有涂布膜的所述基板进行加热；工序(B)，在所述工序(A)之后，一边使所述基板旋转，一边使去除液的喷出目的...

披露了一种衬底加工方法，其包括提供包含金属表面和介电材料表面的衬底，在该金属表面上选择性地形成包含自组装单层的牺牲覆盖层，去除该牺牲覆盖层以恢复该金属表面，以及加工该恢复的金属表面和该介电材料表面。该牺牲覆盖层可以用于防止金属扩散到介电...

本公开提供一种基板处理方法、部件处理方法以及基板处理装置，能够去除存在于基板或部件的表面的物质。提供一种用于对配置在基板处理装置的腔室内的基板支承部上的基板进行处理的基板处理方法。该基板处理方法包括以下工序：工序(a)，向所述腔室内供给...

本发明提供基片载置台和基片处理方法。本发明的基片载置台包括：载置台主体，其具有用于载置基片的载置面；多个孔，其沿纵向形成于所述载置台主体，该多个孔在所述载置面开口；多个支承体，其分别设置于多个孔的每个孔，用于支承基片来使基片在载置面与该...

本发明提供能够缩短从大气气氛向低湿度环境转变的转变时间的技术。本发明的一个方式的控制方法是基片输送模块的控制方法，所述基片输送模块包括：设置有风扇的第1室；第2室，其由所述风扇从所述第1室被送入置换气体，且包含输送基片的输送装置；将所述...

整体上确保高蚀刻速率，同时实现基板整体的蚀刻量分布的均匀化。基板处理方法包括一边使基板旋转一边向所述基板的表面供给蚀刻液的第一蚀刻工序以及之后进行的第二蚀刻工序。第一蚀刻工序在使处于基板的表面的周缘侧的第二区域的蚀刻量比处于中心侧的第一...