等离子体处理装置和等离子体处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供能够稳定地使等离子体点火的等离子体处理装置和等离子体处理方法。等离子体处理装置能够通过感应耦合在处理室内产生等离子体，所述等离子体处理装置的特征在于，包括：以能够与所述处理室内连通的方式安装在所述处理室的壁上的VUV灯；设置在所述VUV灯与所述处理室之间的开闭门，其用于对所述VUV灯与所述处理室之间进行开关；和用于将所述开闭门和所述VUV灯之间的部分与所述处理室内连接的旁通管线。的旁通管线。的旁通管线。

Plasma treatment device and plasma treatment method

【技术实现步骤摘要】
等离子体处理装置和等离子体处理方法


[0001]本专利技术涉及等离子体处理装置和等离子体处理方法。

技术介绍

[0002]例如，专利文献1提出了，为了不改变所期望的工艺条件而提高等离子体点火性能，从紫外线光源向处理室内照射脉冲调制后的紫外线。为了使从紫外线光源输出的紫外线传播到处理室内，使用了光纤。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2020
‑
17586号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的技术问题
[0007]但是，通过将紫外线的衰减抑制在最小限度而向处理室内照射紫外线，并向处理室内供给激发的电子，能够实现稳定的等离子体点火。
[0008]本专利技术提供能够在通过感应耦合产生等离子体的等离子体处理装置中稳定地使等离子体点火的技术。
[0009]用于解决技术问题的手段
[0010]本专利技术的一个方面提供一种等离子体处理装置，其能够通过感应耦合在处理室内产生等离子体，所述等离子体处理装置的特征在于，包括：以能够与所述处理室内连通的方式安装在所述处理室的壁上的VUV灯；设置在所述VUV灯与所述处理室之间的开闭门，其用于对所述VUV灯与所述处理室之间进行开关；和用于将所述开闭门和所述VUV灯之间的部分与所述处理室内连接的旁通管线。
[0011]专利技术效果
[0012]采用本专利技术的一个方面，能够在通过感应耦合产生等离子体的等离子体处理装置中稳定地使等离子体点火。
附图说明
[0013]图1是表示实施方式的等离子体处理装置的一个例子的截面示意图。
[0014]图2是表示实施方式的VUV光源单元的放大立体图的一个例子的图。
[0015]图3是表示利用实施方式的VUV光源单元进行的等离子体点火的实施例1的图。
[0016]图4是表示利用实施方式的VUV光源单元进行的等离子体点火的实施例2的图。
[0017]图5是表示利用实施方式的静电卡盘和VUV光源单元进行的等离子体点火的实施例3的图。
[0018]图6是用于对实施方式的VUV光的照射和等离子体点火进行说明的图。
[0019]图7是表示实施方式的等离子体处理方法的一个例子的时序图。
[0020]附图标记说明
[0021]1处理容器，2金属窗，3天线室，4处理室，6绝缘物，10等离子体处理装置，13高频天线，15第一高频电源，16供电部件，20处理气体供给部，23基台，26静电卡盘，29第二高频电源，30排气装置，32挡板，33观察窗，34 VUV光源单元，35 VUV灯，36固定部，37开闭门，38旁通管线，39旁通阀，47直流电源，G被处理基片，ST载置台。
具体实施方式
[0022]下面，参照附图对用于实施本专利技术的方式进行说明。在各附图中，存在对于相同的构成部分标注相同的附图标记而省略重复说明的情况。
[0023][等离子体处理装置][0024]首先，使用图1对实施方式的等离子体处理装置10进行说明。图1是表示实施方式的等离子体处理装置10的一个例子的截面示意图。实施方式的等离子体处理装置10是能够通过感应耦合在处理室4内产生等离子体，对被处理基片G进行处理的装置。实施方式的等离子体处理装置10例如可用于在FPD(Flat Panel Display：平板显示器)用玻璃基片上形成薄膜晶体管时的金属膜、ITO膜、氧化膜等的蚀刻、和抗蚀剂膜的灰化处理等。在此，作为FPD，可例示液晶显示器(LCD)、电致发光(Electro Luminescence：EL)显示器、等离子体显示面板(PDP)等。
[0025]等离子体处理装置10具有由导电性材料、例如内壁面进行了阳极氧化处理(氧化铝膜处理)的铝构成的方筒形状的气密的处理容器1。处理容器1通过接地线1a被接地。处理容器1由与处理容器1绝缘地形成的金属窗2划分为上部的天线室3和下部的处理室4。金属窗2在本例中构成处理室4的顶壁。金属窗2例如由非磁性体的导电性的金属构成。非磁性体的导电性的金属的例子为铝或含铝的合金。金属窗2被处理容器1的侧壁支承。
[0026]以在天线室3的中央贯穿并且与气体流路12连通的方式设置有气体供给管20a。气体流路12分支为多个分支配管(未图示)，与被绝缘物6分割为多个的金属窗2的部分窗连接，能够向各个部分窗供给气体。各个部分窗在内部具有气体空间(未图示)，在面对处理室4的面具有多个气体释放口，能够从多个气体释放口向处理室4内供给气体。气体供给管20a从处理容器1的顶部贯穿至其外侧，与包含处理气体供给源和阀门系统等的处理气体供给部20连接。因此，在等离子体处理中，从处理气体供给部20供给的处理气体能够经由气体供给管20a向处理室4内释放。
[0027]在天线室3内，在金属窗2上以面对金属窗2的方式配置有高频(RF)天线13。高频天线13通过由绝缘部件构成的间隔件17与金属窗2隔开间隔。高频天线13构成螺旋状的天线(未图示)，金属窗2在螺旋状的天线的下部被分割为例如24个部分窗。高频天线13是在天线室3中隔着绝缘部件的间隔件17配置在金属窗2的上部，用于在处理室4中生成感应耦合等离子体的感应耦合天线的一个例子。
[0028]在等离子体处理中，从第一高频电源(源电源)15，经由匹配器14和供电部件16向高频天线13供给感应电场形成用的、例如频率为1MHz～27MHz的高频电功率。虽然没有图示，但是本例的高频天线13由外侧环状天线、中间环状天线和内侧环状天线呈同心状构成，具有分别与供电部件16连接的供电部41、42、43。天线导线从各供电部41、42、43沿周向延伸，构成3环状的高频天线13。在各天线导线的末端连接有电容器18，各天线导线经由电容
器18与天线室3的侧壁3a连接，从而被接地。这样利用被供给至高频天线13的高频电功率，能够隔着金属窗2在处理室4内形成感应电场，利用该感应电场，能够使被供给至处理室4内的处理气体等离子体化。
[0029]在处理室4内的下方，以隔着金属窗2与高频天线13相对的方式，设置有用于载置被处理基片G、例如玻璃基片的载置台ST。载置台ST具有基台23和绝缘体框24。基台23由导电性材料、例如表面进行了阳极氧化处理的铝构成。
[0030]基台23被收纳在绝缘体框24内，进而被支承在处理室4的底面。此外，在处理室4的侧壁4a上，设置有用于将被处理基片G送入送出的送入送出口27a和用于对该送入送出口27a进行开关的闸阀27。
[0031]第二高频电源(偏置电源)29经由匹配器28，通过设置在中空的支柱25内的供电线25a与基台23连接。第二高频电源29能够在等离子体处理中，对基台23施加偏置电压用的高频电功率，例如频率为1MHz～6MHz的高频电功率。利用该偏置电压用的高频电功率在被处理基片G上生成偏置电压，将在处理室4内生成的等离子体中的离子引入到被处理基片G。
[0032]静电卡盘26设置在基台23本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种等离子体处理装置，其能够通过感应耦合在处理室内产生等离子体，所述等离子体处理装置的特征在于，包括：以能够与所述处理室内连通的方式安装在所述处理室的壁上的VUV灯；设置在所述VUV灯与所述处理室之间的开闭门，其用于对所述VUV灯与所述处理室之间进行开关；和用于将所述开闭门和所述VUV灯之间的部分与所述处理室内连接的旁通管线。2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：包括设置在所述旁通管线上的、用于对所述旁通管线进行开关的旁通阀。3.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于：包括至少与打开所述开闭门的时机相应地打开所述旁通阀的控制部。4.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述控制部能够通过所述开闭门的开关，来控制从所述VUV灯向所述处理室内的VUV光的照射和所述VUV光的照射的停止。5.如权利要求3或4所述的等离子体处理装置，其特征在于：所...

【专利技术属性】
技术研发人员：町山弥，齐藤均，佐佐木和男，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：