本公开提供一种基板处理方法、部件处理方法以及基板处理装置，能够去除存在于基板或部件的表面的物质。提供一种用于对配置在基板处理装置的腔室内的基板支承部上的基板进行处理的基板处理方法。该基板处理方法包括以下工序：工序(a)，向所述腔室内供给包含氟化氢气体的处理气体；工序(b)，将基板支承部的温度控制为第一温度，并将腔室内的氟化氢气体的压力控制为第一压力；以及工序(c)，将基板支承部的温度控制为第二温度，并将腔室内的氟化氢气体的压力控制为第二压力。在横轴为温度且纵轴为压力的曲线图中，第一温度和第一压力位于比氟化氢的吸附平衡压曲线靠上的第一区域，第二温度和第二压力位于比吸附平衡压曲线靠下的第二区域。区域。区域。
【技术实现步骤摘要】
基板处理方法、部件处理方法以及基板处理装置
[0001]本公开的例示性的实施方式涉及一种基板处理方法、部件处理方法以及基板处理装置。
技术介绍
[0002]专利文献1公开了一种使用含有氟的剥离液来去除附着于半导体基板上的蚀刻残渣物的方法。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2003
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188139号公报
技术实现思路
[0006]专利技术要解决的问题
[0007]本公开提供一种能够去除存在于基板或部件的表面的物质的基板处理方法、部件处理方法以及基板处理装置。
[0008]用于解决问题的方案
[0009]在一个例示性的实施方式中，提供一种用于对配置在基板处理装置的腔室内的基板支承部上的基板进行处理的方法。该方法包括以下工序：工序(a)，向所述腔室内供给包含氟化氢气体的处理气体；工序(b)，将所述基板支承部的温度控制为第一温度，并将所述腔室内的所述氟化氢气体的压力控制为第一压力；以及工序(c)，将所述基板支承部的温度控制为第二温度，并将所述腔室内的所述氟化氢气体的压力控制为第二压力。在横轴为温度且纵轴为压力的曲线图中，所述第一温度和所述第一压力位于比氟化氢的吸附平衡压曲线靠上的第一区域，所述第二温度和所述第二压力位于比所述吸附平衡压曲线靠下的第二区域。
[0010]专利技术的效果
[0011]根据一个例示性的实施方式，提供一种能够去除存在于基板或部件的表面的物质的基板处理方法、部件处理方法以及基板处理装置。
附图说明
[0012]图1是概要性地表示一个例示性的实施方式所涉及的基板处理装置的图。
[0013]图2是概要性地表示一个例示性的实施方式所涉及的基板处理装置的图。
[0014]图3是一个例示性的实施方式所涉及的基板处理装置的局部放大图。
[0015]图4是一个例示性的实施方式所涉及的基板处理方法的流程图。
[0016]图5是能够被应用一个例示性的实施方式所涉及的基板处理方法的一例的基板的局部放大截面图。
[0017]图6是表示氟化氢的吸附平衡压曲线和饱和蒸气压曲线的一例的曲线图。
[0018]图7是在基板的表面吸附氟化氢的情况下的一例的基板的局部放大截面图。
[0019]图8是所吸附的氟化氢脱离的情况下的一例的基板的局部放大截面图。
[0020]图9是具有附着了从基板处理装置生成的物质的表面的一例的基板的俯视图。
[0021]图10是一个例示性的实施方式所涉及的部件处理方法的流程图。
[0022]图11是能够被应用一个例示性的实施方式所涉及的基板处理方法的一例的基板的局部放大截面图。
[0023]图12是在基板的表面吸附氟化氢的情况下的一例的基板的局部放大截面图。
[0024]图13是所吸附的氟化氢脱离的情况下的一例的基板的局部放大截面图。
[0025]图14的(a)和(b)是一例的基板的表面的局部放大俯视图。
[0026]图15是表示氟化氢气体的压力与蚀刻量之间的关系的例子的曲线图。
[0027]图16是表示基板支承部的温度与蚀刻量之间的关系的例子的曲线图。
[0028]图17是表示吸附时间与掩模的厚度或掩模的开口尺寸之间的关系的例子的曲线图。
[0029]图18是表示温度与掩模的厚度的减少速度或掩模的开口尺寸的增加速度之间的关系的例子的曲线图。
[0030]图19是表示压力与掩模的厚度的减少速度或掩模的开口尺寸的增加速度之间的关系的例子的曲线图。
[0031]图20是一个例示性的实施方式所涉及的基板处理方法的流程图。
[0032]图21是概要性地表示一个例示性的实施方式所涉及的基板处理装置的图。
[0033]图22是表示凹部的深度与凹部的尺寸之间的关系的例子的曲线图。
[0034]图23是表示掩模的开口的位置的例子的曲线图。
[0035]图24是一例的基板的局部放大截面图。
具体实施方式
[0036]下面，说明各种例示性的实施方式。
[0037]在一个例示性的实施方式中，提供一种对配置在基板处理装置的腔室内的基板支承部上的基板进行处理的方法。该方法包括以下工序：工序(a)，向所述腔室内供给包含氟化氢气体的处理气体；工序(b)，将所述基板支承部的温度控制为第一温度，并将所述腔室内的所述氟化氢气体的压力控制为第一压力；以及工序(c)，将所述基板支承部的温度控制为第二温度，并将所述腔室内的所述氟化氢气体的压力控制为第二压力。在横轴为温度且纵轴为压力的曲线图中，所述第一温度和所述第一压力位于比氟化氢的吸附平衡压曲线靠上的第一区域，所述第二温度和所述第二压力位于比所述吸附平衡压曲线靠下的第二区域。
[0038]根据上述实施方式的方法，例如在基板的表面存在蚀刻残渣或微粒等物质的情况下，能够伴随氟化氢的脱离而将该物质去除。
[0039]也可以是，在所述曲线图中，所述第一区域位于比氟化氢的饱和蒸气压曲线靠下的位置。也可以是，所述第一温度和所述第二温度处于
‑
140℃以上且0℃以下的范围内，所述第一压力和所述第二压力处于1Pa以上且1
×
105Pa以下的范围内。
[0040]也可以是，所述基板具备含硅膜。在该情况下，能够伴随氟化氢的脱离而将从含硅
膜生成的物质去除。
[0041]也可以是，所述基板具备含金属膜。在该情况下，能够伴随氟化氢的脱离而将从含金属膜生成的物质去除。
[0042]也可以是，在所述工序(b)中，在所述基板的表面上附着有从所述基板处理装置生成的物质。在该情况下，能够伴随氟化氢的脱离而将从基板处理装置生成的物质去除。
[0043]也可以是，所述处理气体包含非活性气体。在该情况下，能够通过调整非活性气体的流量比，来调整被去除的物质的量。
[0044]在一个例示性的实施方式中，提供一种对配置在基板处理装置的腔室内的部件进行处理的方法。该方法包括以下工序：工序(a)，向所述腔室内供给包含氟化氢气体的处理气体；工序(b)，将所述部件的温度调整为第一温度，并将所述腔室内的所述氟化氢气体的压力控制为第一压力；以及工序(c)，将所述部件的温度控制为第二温度，并将所述腔室内的所述氟化氢气体的压力控制为第二压力。在横轴为温度且纵轴为压力的曲线图中，所述第一温度和所述第一压力位于比氟化氢的吸附平衡压曲线靠上的第一区域，所述第二温度和所述第二压力位于比所述吸附平衡压曲线靠下的第二区域。
[0045]根据上述实施方式的方法，例如在部件的表面存在蚀刻残渣或微粒等物质的情况下，能够伴随氟化氢的脱离而将该物质去除。
[0046]在一个例示性的实施方式中，提供一种基板处理装置。该基板处理装置具备：腔室；基板支承部，其用于在所述腔室内支承基板；气体供给部，其构成为向所述腔室内供给包含氟化氢气体的处理气体；以及控本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基板处理方法，用于对配置在基板处理装置的腔室内的基板支承部上的基板进行处理，所述基板处理方法包括以下工序：工序(a)，向所述腔室内供给包含氟化氢气体的处理气体；工序(b)，将所述基板支承部的温度控制为第一温度，并将所述腔室内的所述氟化氢气体的压力控制为第一压力；以及工序(c)，将所述基板支承部的温度控制为第二温度，并将所述腔室内的所述氟化氢气体的压力控制为第二压力，其中，在横轴为温度且纵轴为压力的曲线图中，所述第一温度和所述第一压力位于比氟化氢的吸附平衡压曲线靠上的第一区域，所述第二温度和所述第二压力位于比所述吸附平衡压曲线靠下的第二区域。2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，在所述曲线图中，所述第一区域位于比氟化氢的饱和蒸气压曲线靠下的位置。3.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，所述第一温度和所述第二温度处于
‑
140℃以上且0℃以下的范围内，所述第一压力和所述第二压力处于1Pa以上且1
×
105Pa以下的范围内。4.根据权利要求1至3中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，所述基板具备含硅膜。5.根据权利要求1至4中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，所述基板具备含金属膜。6.根据权利要求1至5中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，在所述工序(b)中，在所述基板的表面上附着有从所述基板处理装置生成的物质。7.根据权利要求1至6中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，所述处理气体包含非活性气体。8.一种部件处理方法，用于对配置在基板处理装置的腔室内的部件进行处理，所述部件处理方法包括以下工序：工序(a)，向所述腔室内供给包含氟化氢气体的处理气体；工序(b)，将所述部件的温度控制为第一温度，并将所述腔室内的所述氟化氢气体的压力控制为第一压力；以及工序(c)，将所述部件的温度控制为第二温度，并将所述腔室内的所述氟化氢气体的压力控制为第二压力，其中，在横轴为温度且纵轴为压力的曲线图中，所述第一温度和所述第一压力位于比氟化氢的吸附平衡压曲线靠上的第一区域，所述第二温度和所述第二压力位于比所述吸附平衡压曲线靠下的第二区域。9.一种基板处理装置，具备：腔室；基板支承部，其用于在所述腔室内支承基板；气体供给部，其构成为向所述腔室内供给包含氟化氢气体的处理气体；以及控制部，其中，所述控制部构成为：
将所述基板支承部的温度控制为第一温度，并将所述腔室内的所述氟化氢气体的压力控制为第一压力，将所述基板支承部的温度控制为第二温度，并将所述腔室内的所述氟化氢气体的压力控制为第二压力，在横轴为温度且纵轴为压力的曲线图中，...
【专利技术属性】
技术研发人员：大内田聪，向山广记，若生悠辅，户村幕树，木原嘉英，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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