基板处理方法和基板处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供基板处理方法和基板处理装置。基板处理方法包括：清洁液膜形成工序，一边使基板旋转一边向基板供给清洁液，来在基板的表面形成清洁液的液膜；第一药液处理工序，一边使基板以第一旋转速度旋转一边以第一供给流量向基板供给药液，来在基板的表面形成第一厚度的药液的液膜，并利用药液来处理基板；以及第二药液处理工序，一边使基板以第二旋转速旋转一边以第二供给流量向基板供给与在第一液处理工序中使用的药液相同的药液，来在基板的表面形成第二厚度的药液的液膜，并利用药液来处理基板，其中，清洁液是与在第一及第二药液处理工序中使用的药液不同且比该药液清洁度高的液体，第一供给流量比第二供给流量大，第一厚度比第二厚度厚。一厚度比第二厚度厚。一厚度比第二厚度厚。

Substrate processing method and substrate processing device

【技术实现步骤摘要】
基板处理方法和基板处理装置


[0001]本专利技术涉及一种基板处理方法和基板处理装置。

技术介绍

[0002]半导体装置的制造工序中包括液处理工序，在该液处理工序中，向基板供给蚀刻用或清洗用的药液等处理液来对基板实施规定的液处理。为了使在液处理后残留于基板上的微粒减少，要求使向基板供给的处理液中包含的微粒减少。在专利文献1中公开了一种基板处理装置，处理液中包含的微粒中含有从用于调节向液处理单元供给的处理液的流量的控制阀产生的微粒，该基板处理装置具备用于使这样的微粒减少的单元。
[0003]专利文献1中公开的基板处理装置具备：第一管线，其与处理液供给源连接；泵，其用于从处理液供给源向所述第一管线输送处理液；多个第二管线，所述多个第二与第一管线连接，流过第一管线的处理液流入所述多个第二；分支管线，其连接于各第二管线上的分支点；液处理单元，其利用经由各分支管线供给的处理液来对基板实施处理；节流孔，其设置于各第二管线中的比所述分支点更靠上游侧的位置；以及第一控制阀，其设置于各第二管线中的比所述分支点更靠下游侧的位置。第一控制阀通过使在比第一控制阀更靠下游侧的位置流动的处理液的量发生变化来控制对应的第二管线的所述节流孔与第一控制阀之间的区间内的处理液的压力，从而控制通过对应的分支管线向对应的液处理单元供给的处理液的流量。根据上述结构，不需要在分支管线中设置用于调整流量的控制阀，因此会从这样的控制阀产生的微粒不会流至液处理单元。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开2015
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041751号公报

技术实现思路

[0007]专利技术要解决的问题
[0008]本公开提供一种能够使药液的消耗量减少并且使在液处理后残留于基板上的微粒减少的技术。
[0009]用于解决问题的方案
[0010]一个实施方式所涉及的基板处理方法包括：清洁液膜形成工序，一边使基板旋转一边向所述基板供给清洁液，来在所述基板的表面形成所述清洁液的液膜；第一药液处理工序，在所述清洁液膜形成工序之后，一边使所述基板以第一旋转速度旋转一边以第一供给流量向所述基板供给药液，来在所述基板的表面形成第一厚度的药液的液膜，并利用所述药液来处理所述基板；以及第二药液处理工序，在所述第一药液处理工序之后，一边使所述基板以第二旋转速度旋转一边以第二供给流量向所述基板供给与在所述第一药液处理工序使用的药液相同的药液，来在所述基板的表面形成第二厚度的所述药液的液膜，并利用所述药液来处理所述基板，其中，所述清洁液是与在所述第一药液处理工序和所述第二
药液处理工序中使用的所述药液不同的液体，所述清洁液的清洁度比所述药液的清洁度高，所述第一供给流量比所述第二供给流量大，且所述第一厚度比所述第二厚度厚。
[0011]专利技术的效果
[0012]根据本公开，能够使药液的消耗量减少并且使在液处理后残留于基板上的微粒减少。
附图说明
[0013]图1是概要性地示出基板处理装置的一个实施方式所涉及的基板处理系统的结构的横截面图。
[0014]图2是概要性地示出图1所示的基板处理装置的处理液供给机构的结构的配管系统图。
[0015]图3是概要性地示出与图2所示的一个处理单元关联的处理液供给机构的结构的配管系统图。
[0016]图4是示出一个实施方式中的液处理的各工序中的基板的旋转速度和处理液的喷出流量的时序图。
[0017]图5是用于说明液处理的各工序中的处理液的喷出状况的概要图。
[0018]图6是用于说明初始厚膜形成工序的初期的状态的概要图。
[0019]图7是用于说明初始厚膜形成工序的末期的状态的概要图。
[0020]图8是示出药液的液膜中的药液的流速分布的示意图。
具体实施方式
[0021]参照附图来说明基板处理装置的一个实施方式。
[0022]图1是示出本实施方式所涉及的基板处理系统的概要结构的图。下面，为了明确位置关系，规定了相互正交的X轴、Y轴以及Z轴，将Z轴正方向设为铅垂向上方向。
[0023]如图1所示，基板处理系统1具备搬入搬出站2和处理站3。搬入搬出站2与处理站3以相邻的方式设置。
[0024]搬入搬出站2具备承载件载置部11和搬送部12。在承载件载置部11载置有将多张基板、在本实施方式中为半导体晶圆等基板W以水平状态收容的多个承载件C。
[0025]搬送部12与承载件载置部11相邻地设置，搬送部12的内部具备基板搬送装置13和交接部14。基板搬送装置13具备用于保持基板W的基板保持机构。另外，基板搬送装置13能够沿水平方向和铅垂方向移动并且以铅垂轴为中心旋转，基板搬送装置13使用基板保持机构在承载件C与交接部14之间进行基板W的搬送。
[0026]处理站3与搬送部12相邻地设置。处理站3具备搬送部15和多个处理单元16。多个处理单元16以排列在搬送部15的两侧的方式设置。
[0027]搬送部15的内部具备基板搬送装置17。基板搬送装置17具备用于保持基板W的基板保持机构。另外，基板搬送装置17能够沿水平方向和铅垂方向移动并且以铅垂轴为中心旋转，基板搬送装置17使用基板保持机构在交接部14与处理单元16之间进行基板W的搬送。
[0028]处理单元16对由基板搬送装置17搬送的基板W进行规定的基板处理。
[0029]另外，基板处理系统1具备控制装置4。控制装置4例如是计算机，具备控制部18和
存储部19。在存储部19中保存有用于控制在基板处理系统1中执行的各种处理的程序。控制部18通过读出并执行存储部19中存储的程序来控制基板处理系统1的动作。
[0030]此外，也可以是，上述程序记录在计算机可读存储介质中，并被从该存储介质安装到控制装置4的存储部19。作为计算机可读存储介质，例如有硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。
[0031]在如上述那样构成的基板处理系统1中，首先，搬入搬出站2的基板搬送装置13从载置于承载件载置部11的承载件C取出基板W，将取出的基板W载置于交接部14。通过处理站3的基板搬送装置17将载置于交接部14的基板W从交接部14取出，并向处理单元16搬入。
[0032]在通过处理单元16对搬入到处理单元16的基板W进行处理之后，通过基板搬送装置17将该基板W从处理单元16搬出，并载置于交接部14。然后，通过基板搬送装置13使载置于交接部14的处理完毕的基板W返回承载件载置部11的承载件C。
[0033]接着，参照图2和图3来说明向多个处理单元16供给处理液的处理液供给系统。处理液供给系统包括药液供给系统，图2中示出药液供给系统的配管系统。
[0034]药液供给系统30具有用于贮存药液的罐32以及用于使药液从罐32流出并返回罐32的循环管线34。在循环管线34中设置有泵36。泵36形成从罐32流出后通过循环管线34返回罐32的循环流本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板处理方法，其特征在于，包括：清洁液膜形成工序，一边使基板旋转一边向所述基板供给清洁液，来在所述基板的表面形成所述清洁液的液膜；第一药液处理工序，在所述清洁液膜形成工序之后，一边使所述基板以第一旋转速度旋转一边以第一供给流量向所述基板供给药液，来在所述基板的表面形成第一厚度的药液的液膜，并利用所述药液来处理所述基板；以及第二药液处理工序，在所述第一药液处理工序之后，一边使所述基板以第二旋转速度旋转一边以第二供给流量向所述基板供给与在所述第一药液处理工序中使用的药液相同的药液，来在所述基板的表面形成第二厚度的所述药液的液膜，并利用所述药液来处理所述基板，其中，所述清洁液是与在所述第一药液处理工序和所述第二药液处理工序中使用的所述药液不同的液体，所述清洁液的清洁度比所述药液的清洁度高，所述第一供给流量比所述第二供给流量大，且所述第一厚度比所述第二厚度厚。2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，所述第一旋转速度比所述第二旋转速度高、或者与所述第二旋转速度相等。3.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，使用药液供给部来实施向所述基板的所述药液的供给，所述药液供给部具有：药液喷嘴，其用于喷出所述药液；分配管线，其从所述药液循环的循环管线分支出来，用于向所述药液喷嘴供给所述药液；以及开闭阀，其设置于所述分配管线，用于切断从所述循环管线向所述药液喷嘴的所述药液的供给，所述基板处理方法在所述第一药液处理工序开始之前还包括伪分配工序，在所述伪分配工序中，开启所述开闭阀，至少将滞留在所述分配管线的从所述开闭阀到所述药液喷嘴的区间内的所述药液排...

【专利技术属性】
技术研发人员：上村史洋，南辉臣，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：