基片处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种基片处理装置，其无需改变真空输送模块的设计，就能够改变负载锁定模块中的基片输送室的数量。基片处理装置包括：一个或多个基片处理模块；与一个或多个基片处理模块连接的真空输送模块；负载锁定模块，其包括沿第一水平方向排列的至少3个负载锁定室；筒状适配模块，其配置在真空输送模块与负载锁定模块之间，与负载锁定模块连接，具有第一开口和第二开口，第一开口在第一水平方向上具有第一长度，第二开口与真空输送模块连接且在第一水平方向上具有第二长度，第一长度比第二长度大；以及输送机构，其配置在真空输送模块内，构成为能够经由筒状适配模块在基片处理模块与负载锁定模块之间输送基片。与负载锁定模块之间输送基片。与负载锁定模块之间输送基片。

【技术实现步骤摘要】
基片处理装置


[0001]本专利技术涉及一种基片处理装置。

技术介绍

[0002]在专利文献1中公开了对基片进行处理的基片处理装置。上述基片处理装置包括在大气压气氛下进行基片处理的大气部和在减压气氛下进行基片处理的减压部。上述大气部和上述减压部经由内部能够切换为大气压气氛和减压气氛的2个负载锁定模块而连接为一体。
[0003]在专利文献2中公开了对基片进行处理的基片处理系统。上述基片处理系统包括：内部能够维持为真空气氛的真空输送腔室；和内部被维持为大气气氛的大气输送腔室。上述真空输送腔室和上述大气输送腔室由能够将气氛切换为真空气氛和大气气氛的多个(例如3个)负载锁定腔室连接。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开2020
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009855号公报
[0007]专利文献2：日本特开2020
‑
167244号公报

技术实现思路

[0008]专利技术要解决的技术问题
[0009]本专利技术的技术提供一种基片处理装本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：一个或多个基片处理模块；与所述一个或多个基片处理模块连接的真空输送模块；负载锁定模块，其包括沿第一水平方向排列的至少3个负载锁定室；筒状适配模块，其配置在所述真空输送模块与所述负载锁定模块之间，具有第一开口和第二开口，所述第一开口与所述负载锁定模块连接，所述第二开口与所述真空输送模块连接，所述第一开口在所述第一水平方向上具有第一长度，所述第二开口在所述第一水平方向上具有第二长度，所述第一长度比所述第二长度大；以及输送机构，其配置在所述真空输送模块内，构成为能够经由所述筒状适配模块在所述一个或多个基片处理模块与所述负载锁定模块之间输送基片。2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：所述筒状适配模块具有与所述第一开口和所述第二开口连通的内部空间，所述筒状适配模块的内部空间经由所述第二开口与所述真空输送模块的内部空间连通。3.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：所述负载锁定模块包括与所述至少3个负载锁定室分别对应的至少3个闸门，所述至少3个闸门构成为能够对形成于对应的负载锁定室的输送口进行开闭。4.如权利要求1～3中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：所述筒状适配模块的所述第一开口具有将与所述至少3个负载锁定室分别对应地形成的至少3个输送口全部覆盖的尺寸。5.如权利要求1～4中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：所述筒状适配模块具有：能够与非活性气体供给源连接的气体供给口；和能够与排气机构连接的排气口。6.如权利要求5所述的基片处理装置，其特征在于：所述排气机构包括涡轮分子泵，所述涡轮分子泵经由连接配管与所述排气口连接，所述筒状适配模块在与所述第一水平方向正交的第二水平方向上具有第三长度，所述连接配管的直径比所述第三长度小。7.如权利要求6所述的基片处理...

【专利技术属性】
技术研发人员：堂込公宏，北正知，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：