本发明提供高效且低噪的电源和检查装置。本发明的电源对加热机构供电，该加热机构用于加热能够产生测量信号的测量对象，电源包括：输入部，其用于进行输入信号的输入，该输入信号是通过使控制信号反映到1kHz以下频率的可微分周期性波形上得到的信号；...

相机图像可以用于检测衬底边缘，并提供关于该衬底在流体分配系统内的定心的信息。相机图像还可以用于监测该流体分配系统内的杯形件的位置。所利用的信号处理技术可以包括数据平滑、仅分析反射能量的特定波长、变换数据(在一个实施例中利用傅立叶变换)、...

本发明能够防止从基片除去的颗粒再次附着于基片。本发明的基片清洗装置包括：保持基片的基片保持部；对基片保持部上的基片喷射清洗气体的气体喷嘴；和以包围气体喷嘴的方式设置的喷嘴罩。从气体喷嘴对喷嘴罩的减压室内喷射清洗气体，在减压室内生成除去基...

一种半导体器件包括第一电源轨、第一电力输入结构、电路和第一中段轨。该第一电源轨形成在衬底上的第一隔离沟槽内的第一轨开口中。该第一电力输入结构被配置为与半导体器件外部的电源的第一端子连接以从该电源接收电力。该电路在衬底上由第一电源轨与第一...

基板处理装置具备：旋转保持部，其用于保持基板并使所述基板旋转；处理液供给部，其用于向基板的表面供给处理液；涂布控制部，其执行供给处理和涂布处理，所述供给处理包括一边使基板以供给用的旋转速度旋转、一边向该基板的表面供给处理液，所述涂布处理...

本文披露了用于校准晶圆检查系统模块的系统和方法的各种实施例。更具体地，本披露提供了用于校准由包括在WIS模块内的相机系统从衬底获得的多光谱带值的系统和方法的各种实施例。在一个实施例中，多光谱带值是红色、绿色和蓝色(RGB)值。如下文更详...

对用于制造半导体装置的基板进行处理的装置具有构成为向收纳有基板的腔室供给处理气体的处理气体供给部，上述处理气体供给部具有：原料盒，其具有收纳有多孔质部件的原料罐，该多孔质部件包含吸附上述处理气体的原料的气体分子的金属有机结构体；主体部，...

本发明提供能够抑制在高温使用时在套筒的周围产生裂纹的喷淋头的制造方法、喷淋头以及等离子体处理装置。制造在向基板实施利用等离子体的处理的等离子体处理装置中向配置有基板并生成等离子体的腔室内的等离子体生成空间喷出用于生成等离子体的处理气体的...

本发明提供一种能够以高精度检测基板附近的压力的成膜装置以及成膜方法。根据本发明的一个方式的成膜装置具有:处理容器,其能够对内部进行减压；喷头,其用于向上述处理容器内供给气体,该喷头包括形成有多个气体孔的下部件、以及在与该下部件之间形成用...

本发明的课题在于，交替地层叠有硅层与硅锗层的基板的处理中，适当地缩短处理工序。本发明为一种基板处理方法，其为交替地层叠有硅层与硅锗层的基板的处理方法，所述基板处理方法使用经等离子体化的包含氟和氧的处理气体，将前述硅锗层的露出面的表层选择...

本文描述了用于监测和同步用于处理系统的分配系统的实施例。对于一个实施例，使用压力传感器和流速传感器来确定流量变化事件与流速增加之间的延迟，并且使用该延迟来检测该分配系统内的缺陷或状况。对于一个实施例，使用流速传感器来同步分配系统操作。对...

在供给对用于制造半导体装置的基板进行处理的处理气体时，具有收纳有多孔质部件的浓缩罐和构成为使吸附于多孔质部件的处理气体脱附的脱附机构。多孔质部件包含构成为优先吸附与载气混合的处理气体的金属有机结构体。处理气体被吸附、储存在浓缩罐的多孔质...

一种方法，是用于对将第一基板与第二基板接合而成的重合基板进行处理的方法，所述方法包括：沿所述第一基板的作为去除对象的周缘部与所述第一基板的中央部的边界形成周缘改性层；形成使所述周缘部处的所述第一基板与所述第二基板的接合强度减弱的未接合区...

本发明提供提高被检查体的温度控制性的检查装置的检查方法和检查装置。检查装置的控制方法中，上述检查装置包括：载置被检查体的卡盘；对上述被检查体供给电功率而对上述被检查体进行检查的测试器；和控制上述卡盘的温度的控制部，在上述检查装置的控制方...

金属化的方法包括接收在其中形成有凹陷的衬底。该凹陷具有底部和侧壁，并且在凹陷的底部和侧壁上沉积共形衬里。从凹陷的上部去除共形衬里，以露出凹陷的上侧壁，同时留下凹陷的下部中的共形衬里，从而覆盖凹陷的底部和下侧壁。在凹陷的下部中沉积金属以形...

一种带芯片基板的制造方法，包括：准备层叠基板，该层叠基板包括多个所述芯片、暂时地接合有多个所述芯片的第一基板、以及隔着多个所述芯片与所述第一基板接合的第二基板；以及将与所述第一基板及所述第二基板接合的多个所述芯片从所述第一基板分离，以与...

本发明能够防止从基片除去的颗粒再次附着于基片。本发明的基片清洗装置包括：保持基片的基片保持部；气体喷嘴，其对基片保持部上的基片喷射清洗气体；和以包围气体喷嘴的方式设置的喷嘴罩。从气体喷嘴对喷嘴罩的减压室内喷射清洗气体，在减压室内生成除去...

本披露内容的各方面提供了一种包括多个结构的半导体装置。这些结构中的第一结构包括第一晶体管堆叠，该第一晶体管堆叠包括形成在衬底上的第一晶体管和沿着基本垂直于该半导体装置的衬底平面的Z方向堆叠在该第一晶体管上的第二晶体管。这些结构中的第一结...

一种电荷陷阱隧穿场效应晶体管(TFET)包括限定电荷俘获层的多个电介质材料层。p掺杂源极/漏极区和n掺杂源极区经由纳米沟道进行连接，该纳米沟道形成在该多个电介质层之间，从而形成电荷陷阱TFET。从而形成电荷陷阱TFET。从而形成电荷陷阱...

提供了一种在基板上形成图案的方法。该方法包括在基板的下层上形成第一层，其中，第一层被图案化以具有第一结构。该方法还包括在第一结构的侧表面上沉积接枝材料，其中，接枝材料包括溶解性转移材料。该方法还包括将溶解性转移材料扩散预定距离进入邻接溶...