基片清洗装置和基片清洗方法制造方法及图纸

本发明专利技术能够防止从基片除去的颗粒再次附着于基片。本发明专利技术的基片清洗装置包括：保持基片的基片保持部；气体喷嘴，其对基片保持部上的基片喷射清洗气体；和以包围气体喷嘴的方式设置的喷嘴罩。从气体喷嘴对喷嘴罩的减压室内喷射清洗气体，在减压室内生成除去基片上的颗粒的气体团簇。气幕用气体被从喷嘴罩的端部喷射向基片侧，在喷嘴罩的端部与基片之间形成气幕。幕。幕。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基片清洗装置和基片清洗方法


[0001]本专利技术涉及基片清洗装置和基片清洗方法。

技术介绍

[0002]在半导体制造装置中，制造工序中颗粒对基片的附着是大幅影响产品的成品率的因素之一。为此，在对基片进行处理之前或之后对基片进行清洗，但人们希望开发能够抑制对基片的损伤且以简易方法可靠地除去颗粒的清洗技术。人们对施加颗粒与基片之间的附着力以上的物理剪切力而从基片的表面剥离颗粒的各种清洗技术进行了研究、开发，作为其中之一，能够举出利用气体团簇(gas cluster)的物理剪切力的技术。
[0003]气体团簇是将高压的气体向由减压室等形成的真空中喷出，通过绝热膨胀将气体冷却至冷凝温度，由此多个原子或分子聚集而成的块(团簇)。在基片清洗时，使该气体团簇直接或适当加速地照射于基片而除去颗粒。
[0004]另外，现有技术中开发了一种有效地除去附着于基片表面的图案内的颗粒的技术(参照专利文献1)。
[0005]在这样的情况下，只要能够防止从基片除去的颗粒被扬起而再次附着于基片，就能够更有效地清洗基片。
[0006]现有技术文本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种基片清洗装置，其特征在于，包括：保持基片的基片保持部；喷嘴罩，具有在其与所述基片之间形成减压气氛的减压室；和气体喷嘴，其喷射比所述减压室的压力高的高压的清洗气体，在所述减压室内生成清洗所述基片的气体团簇，在所述喷嘴罩中的所述基片侧的端部设置有对所述基片喷出气幕用气体而形成气帘的气幕形成部。2.根据权利要求1所述的基片清洗装置，其特征在于：所述喷嘴罩覆盖所述基片的一部分。3.根据权利要求1或2所述的基片清洗装置，其特征在于：在所述喷嘴罩设置有气体流路，其与所述气幕形成部连通，并且向所述气幕形成部侧供给气幕用气体。4.根据权利要求1至3中任一项所述的基片清洗装置，其特征在于：在所述喷嘴罩设置有使所述减压室内成为减压气氛的减压生成部。5.根据权利要求1至4中任一项所述的基片清洗装置，其特征在于：所述喷嘴罩具有由多孔材料构成的喷嘴罩主体和覆盖该喷嘴罩主体的外表面的密闭护件。6.根据权利要求1至5中任一项所述的基片清洗装置，其特征在于：所述基片保持部具有：保持所述基片的保持部主体；和保持...

【专利技术属性】
技术研发人员：中岛常长，饱本正巳，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：