在凹陷特征中自底向上金属化的方法技术

金属化的方法包括接收在其中形成有凹陷的衬底。该凹陷具有底部和侧壁，并且在凹陷的底部和侧壁上沉积共形衬里。从凹陷的上部去除共形衬里，以露出凹陷的上侧壁，同时留下凹陷的下部中的共形衬里，从而覆盖凹陷的底部和下侧壁。在凹陷的下部中沉积金属以形成金属化特征，该金属化特征包括在凹陷的下部中的共形衬里和金属。里和金属。里和金属。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】在凹陷特征中自底向上金属化的方法
[0001]通过引用并入
[0002]本公开内容要求于2019年9月16日提交的美国临时申请第62/900,794号的权益，该美国临时申请通过引用整体并入本文中。


[0003]本公开内容涉及半导体器件的设计和微制造。

技术介绍

[0004]在半导体器件的制造(尤其是在微观尺度上)中，执行各种制造处理，例如成膜沉积、蚀刻掩模创建、图案化、材料蚀刻和移除以及掺杂处理。重复执行这些处理以在衬底上形成所需的半导体器件元件。从历史上看，利用微制造，已经在一个平面中创建了晶体管，其中布线/金属化形成在有源器件平面上方，因此所述晶体管已经被表征为二维(2D)电路或2D制造。缩放工作已经极大地增加了2D电路中每单位面积的晶体管的数目，但是随着缩放进入个位数纳米半导体器件制造节点，缩放工作正遇到更大的挑战。半导体器件制造商已经表达了对三维(3D)半导体电路的需求，在所述三维(3D)半导体电路中，晶体管堆叠在彼此的顶部。

技术实现思路

[0005]本公开内容涉及在凹陷结构中自底向上金属化。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种金属化的方法，所述方法包括：接收在其中形成有凹陷的衬底，所述凹陷具有底部和侧壁；在所述凹陷的底部和侧壁上沉积共形衬里；从所述凹陷的上部去除所述共形衬里以露出所述凹陷的上侧壁，同时留下所述凹陷的下部中的共形衬里，从而覆盖所述凹陷的底部和下侧壁；以及在所述凹陷的下部中选择性地沉积金属以形成金属化特征，所述金属化特征包括所述凹陷的下部中的共形衬里和所述金属。2.根据权利要求1所述的方法，其中，去除所述共形衬里包括：沉积材料以覆盖所述凹陷的下部中的共形衬里；以及相对于覆盖所述凹陷的下部中的共形衬里的材料，从所述凹陷的上部选择性地蚀刻所述共形衬里。3.根据权利要求2所述的方法，其中，沉积材料包括：在所述凹陷的下部中沉积将形成所述金属化特征的一部分的金属，或者在所述凹陷的下部中沉积将不会形成所述金属化特征的一部分的阻挡材料。4.根据权利要求1所述的方法，还包括：利用自对准单层来表面处理所述凹陷的所露出的上侧壁，以促进所述金属相对于所露出的侧壁的选择性沉积。5.一种处理衬底的方法，所述方法包括：接收具有限定凹陷特征的图案化的第一层的衬底，所述凹陷特征限定底部和侧壁；在所述衬底上沉积衬里膜，所述衬里膜共形地衬在未被覆盖的表面上；执行初始金属沉积处理，所述初始金属沉积处理在所述凹陷特征的侧壁的下部上比在所述凹陷特征的侧壁的上部上沉积相对更多的金属；使所述初始金属沉积凹陷到所述凹陷特征内的预定深度，从而产生凹陷的金属沉积；从所述衬底去除所述衬里膜的未被覆盖的部分；以及在所述凹陷的金属沉积上选择性地沉积相同的金属材料。6.根据权利要求5所述的方法，其中，选择性金属沉积填充所述凹陷的金属沉积中的间隙。7.根据权利要求5所述的方法，其中，选择性金属沉积处理通过减小所述凹陷的金属沉积的截面轮廓的凹度来改变所述截面轮廓。8.根据权利要求5所述的方法，其中，所述衬底还包括在所述第一层下方的第二层，所述第一层具有延伸至所述第二层中的凹陷特征。9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一层是介电材料；以及所述第二层是半导体材料。10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述第一层是氧化硅；以及所述第二层是硅。11.根据权利要求5所述的方法，其中，在所述凹陷的金属沉积上选择性地沉积...

【专利技术属性】
技术研发人员：尤凯鸿，约迪，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：