集成电路及其制造方法技术

本发明专利技术的实施例提供了一种集成电路，包括多个第一层深线和多个第一层浅线。该集成电路还包括多个第二层深线和多个第二层浅线。第一层深线和第一层浅线中的每个位于第一导电层中。第二层深线和第二层浅线中的每个位于第一导电层之上的第二导电层中。本发明专利技术的实施例还提供了一种制造集成电路的方法。提供了一种制造集成电路的方法。提供了一种制造集成电路的方法。

【技术实现步骤摘要】
集成电路及其制造方法


[0001]本专利技术的实施例总体涉及半导体领域，更具体地，涉及集成电路及其制造方法。

技术介绍

[0002]集成电路(IC)小型化的最新趋势导致器件体积更小，功耗更低，但以更高的速度提供更多功能。小型化工艺也导致更严格的设计和制造规范以及对可靠性的挑战。各种电子设计自动化(EDA)工具生成、优化并验证集成电路的标准单元布局设计，同时确保满足标准单元布局设计和制造规范。

技术实现思路

[0003]本专利技术的一个方面提供了一种集成电路，包括：多个第一层深线和多个第一层浅线，其中，所述第一层深线和所述第一层浅线中的每个均位于衬底上的晶体管之上的第一导电层中；以及多个第二层深线和多个第二层浅线，其中，所述第二层深线和所述第二层浅线中的每个均位于所述第一导电层之上的第二导电层中。
[0004]本专利技术的另一个方面提供了一种集成电路，包括：多个第一层深线和多个第一层浅线，其中，所述第一层深线和所述第一层浅线中的每个均位于第一导电层中；传导路径，具有低电阻率部分和低电容率部分，其中，所述低电阻率部分连接至第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路，包括：多个第一层深线和多个第一层浅线，其中，所述第一层深线和所述第一层浅线中的每个均位于衬底上的晶体管之上的第一导电层中；以及多个第二层深线和多个第二层浅线，其中，所述第二层深线和所述第二层浅线中的每个均位于所述第一导电层之上的第二导电层中。2.根据权利要求1所述的集成电路，其中，还包括：传导路径，具有至少一个第一层深线和至少一个第二层深线，并不包括所述第一层浅线和所述第二层浅线。3.根据权利要求1所述的集成电路，还包括：传导路径，具有低电阻率部分和低电容率部分，其中，所述低电阻率部分连接至第一有源器件的输出，并且其中，所述低电容率部分连接至第二有源器件的输入；其中，所述低电阻率部分包括至少一个第一层深线或至少一个第二层深线，并不包括所述第一层浅线和所述第二层浅线；并且其中，所述低电容率部分包括至少一个第一层浅线或至少一个第二层浅线，并不包括所述第一层深线和所述第二层深线。4.根据权利要求3所述的集成电路，其中：所述低电阻率部分包括至少一个第一层深线和至少一个第二层深线；以及所述低电容率部分包括至少一个第一层浅线和至少一个第二层浅线。5.根据权利要求3所述的集成电路，其中，所述低电阻率部分通过所述第一导电层与所述第二导电层之间的通孔连接件连接至所述低电容率部分。6.根据权利要求3所述的集成电路，其中，所述低电阻率部分通过扇出节点连接至所述低电容率部分。7.一种...

【专利技术属性】
技术研发人员：赖韦安，邱德馨，彭士玮，林威呈，曾健庭，吴佳典，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：