半导体结构的制备方法以及半导体结构技术

本发明专利技术公开了一种半导体结构的制备方法以及半导体结构，该方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上存在间隙；在所述半导体衬底上形成保护层；在所述保护层上沉积BPSG膜，以通过所述BPSG膜对所述半导体衬底上的间隙进行填充；对间隙填充后的半导体衬底进行退火处理，以制备所述半导体结构。上述方案中，通过BPSG膜对半导体衬底上的间隙进行填充，由于BPSG膜具有优异的阶梯覆盖度，可以完全填充狭窄的间隙且形成致密的薄膜。窄的间隙且形成致密的薄膜。窄的间隙且形成致密的薄膜。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的制备方法以及半导体结构


[0001]本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及一种半导体结构的制备方法以及半导体结构。

技术介绍

[0002]在半导体器件的制备过程中，经常需要对半导体器件制备过程中形成的间隙进行填充。例如，在制备存储器时，位线之间会存在间隙，为了保证器件的性能，需要对这些间隙进行填充。
[0003]现有技术中，对间隙的填充通常是利用SOD(Spin On Dielectric，旋涂介质)、热处理等工艺。但是，随着半导体器件的尺寸越来越小，间隙尺寸也越来越窄，间隙之间的SOD即使经过热处理，也存在着难以致密的问题，增加了后续工艺实施的困难度。

技术实现思路

[0004]本申请实施例通过提供一种半导体结构的制备方法以及半导体结构，解决了现有技术中间隙填充过程中难易致密的技术问题。
[0005]第一方面，本说明书实施例提供一种半导体结构的制备方法，所述方法包括：
[0006]提供半导体衬底，所述半导体衬底上存在间隙；
[0007]在所述半导体衬底上形成保护层；<br/>[0008]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上存在间隙；在所述半导体衬底上形成保护层；在所述保护层上沉积BPSG膜，以通过所述BPSG膜对所述半导体衬底上的间隙进行填充；对间隙填充后的半导体衬底进行退火处理，以制备所述半导体结构。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述对间隙填充后的半导体衬底进行退火处理之后，所述方法还包括：在所述BPSG膜上形成氧化物层；对所述氧化物层进行平坦化处理。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体结构为存储器，所述半导体结构上的间隙为在所述半导体衬底上形成位线结构时产生的所述位线之间的间隙。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述保护层的材料为Si3N4，在所述半导体衬底上形成保护层，包括：采用低压化学气相沉积法在所述半导体衬底上沉积Si3N4，以形成所述保护层。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述保护层上沉积BPSG膜，包括：根据预设的循环次数，在所述保护...

【专利技术属性】
技术研发人员：金志勋，项金娟，李亭亭，刘青，
申请(专利权)人：真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：